SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PJD40N04_L2_00001 Panjit International Inc. PJD40N04_L2_00001 0.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD40 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD40N04_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 10A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 20V 1040 pf @ 20 v - 2W (TA), 36W (TC)
BAT42W_R1_00001 Panjit International Inc. BAT42W_R1_00001 0.2200
RFQ
ECAD 81 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 BAT42W Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BAT42W_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 200 ma 500 NA @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 200ma -
PJC7438_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7438_R1_00001 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PJC7438 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 400MA (TA) 1.8V, 10V 1.45ohm @ 500ma, 10V 1V @ 250µA 0.95 nc @ 4.5 v ± 20V 36 pf @ 25 v - 350MW (TA)
BX315_R1_00001 Panjit International Inc. BX315_R1_00001 0.3700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BX315 Schottky SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 3 a 50 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
MBR1040_T0_00001 Panjit International Inc. MBR1040_T0_00001 0.2835
RFQ
ECAD 6564 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR104 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR1040_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 700 mV @ 10 a 50 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
MMSZ5235BS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMSZ5235BS-AU_R1_000A1 0.0270
RFQ
ECAD 8767 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F MMSZ5235 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 3 µa @ 5 v 6.8 v 5 옴
ED506S_S2_00001 Panjit International Inc. ED506S_S2_00001 0.7900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ED506S 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-ed506S_S2_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 5 a 35 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
MMBZ5255BTW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5255BTW_R1_00001 0.0513
RFQ
ECAD 1982 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5255 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 3 독립 100 na @ 21 v 28 v 44 옴
MMBZ5251BW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5251BW_R1_00001 0.0189
RFQ
ECAD 2527 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5251 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 17 v 22 v 29 옴
PJW3P06A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW3P06A_R2_00001 0.1466
RFQ
ECAD 7358 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA pjw3p06a MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJW3P06A_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 3A (TA) 4.5V, 10V 190mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 430 pf @ 30 v - 3.1W (TA)
BD8200S_L2_00001 Panjit International Inc. BD8200S_L2_00001 0.3348
RFQ
ECAD 9726 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BD8200 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 8 a 50 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
PJP2NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJP2NA70_T0_00001 -
RFQ
ECAD 7729 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP2 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP2NA70_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 2A (TA) 10V 6.5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 7.8 NC @ 10 v ± 30V 260 pf @ 25 v - 45W (TC)
MMBZ5240B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBZ5240B-AU_R1_000A1 0.0189
RFQ
ECAD 3208 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5240 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
MMBZ5260AW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5260AW_R1_00001 0.0270
RFQ
ECAD 1371 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5260 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 33 v 43 v 93 옴
BX34-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BX34-AU_R1_000A1 0.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BX34 Schottky SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BX34-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 700 mv @ 3 a 50 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 125pf @ 0V, 1MHz
ED504S_L2_00001 Panjit International Inc. ED504S_L2_00001 0.7600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ED504S 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-ed504S_L2_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 5 a 35 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
PJQ5442-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5442-AU_R2_000A1 0.9500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5442 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5442-AU_R2_000A1CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 14A (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 20V 1258 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 99.3W (TC)
BZT52-B3V6S-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-B3V6S-AU_R1_000A1 0.2400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.08% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B3V6S-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 15 µa @ 1 v 3.6 v 95 옴
PZ1AL7V5B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. pz1al7v5b-au_r1_000a1 0.0756
RFQ
ECAD 1275 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F PZ1AL7V5 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 501,000 10 µa @ 3 v 7.5 v 2 옴
MMBTA44_R1_00001 Panjit International Inc. MMBTA44_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA44 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 400 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 750mv @ 5ma, 50ma 50 @ 10ma, 10V 50MHz
MMDT2907AQ_R1_00001 Panjit International Inc. MMDT2907AQ_R1_00001 0.2900
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT2907 150MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMDT2907AQ_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 60V 600ma 50NA 2 PNP (() 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
BZX84C7V5W_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C7V5W_R1_00001 0.1600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZX84C7V5W_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
BZX84B6V8W_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84B6V8W_R1_00001 0.0270
RFQ
ECAD 9660 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.06% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
SBA230AH-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. SBA230AH-AU_R1_000A1 0.4700
RFQ
ECAD 9562 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H SBA230 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SBA230AH-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 490 mV @ 2 a 100 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
ES1B_R1_00001 Panjit International Inc. ES1B_R1_00001 0.3800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1B 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-ES1B_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5228B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBZ5228B-AU_R1_000A1 0.0189
RFQ
ECAD 8952 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5228 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
MMSZ5255BS_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5255BS_R1_00001 0.0216
RFQ
ECAD 1245 0.00000000 Panjit International Inc. MMSZ5221BS 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F MMSZ5255 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 21 v 28 v 44 옴
S1KF_R1_00001 Panjit International Inc. S1KF_R1_00001 0.0324
RFQ
ECAD 3804 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 S1KF 기준 SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 120,000 800 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
PJP60R540E_T0_00001 Panjit International Inc. PJP60R540E_T0_00001 0.7394
RFQ
ECAD 8938 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP60R MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP60R540E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 1.3A (TA), 9A (TC) 10V 535mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 23.7 NC @ 10 v ± 20V 531 pf @ 25 v - 94W (TC)
MBR6100FCT_T0_00001 Panjit International Inc. MBR6100FCT_T0_00001 0.7695
RFQ
ECAD 7905 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MBR6100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR6100FCT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 6A 800 mv @ 3 a 50 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고