SIC
close

불연속 불연속 제품 (5131)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SX34-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. SX34-AU_R1_000A1 0.4700
RFQ
 ECAD 883 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SX34 Schottky SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-sx34-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 160pf @ 4V, 1MHz
PJD45P04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD45P04-AU_L2_000A1 0.3712
RFQ
 ECAD 4751 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD45 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjd45p04-au_l2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 8.5A (TA), 45A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 2030 pf @ 25 v - 2W (TA), 63W (TC)
SD660CS_S2_00001 Panjit International Inc. SD660CS_S2_00001 0.3348
RFQ
 ECAD 5382 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SD660 Schottky TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 81,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 6A 700 mv @ 3 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
PDZ36B_R1_00001 Panjit International Inc. PDZ36B_R1_00001 0.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F PDZ36B 400MW SOD-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PDZ36B_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 50 na @ 27 v 36 v 60 옴
BC807-25_R1_00001 Panjit International Inc. BC807-25_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC807-25_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
PJQ5461A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5461A-AU_R2_000A1 0.2922
RFQ
 ECAD 9513 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5461 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq5461a-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA), 11.5A (TC) 4.5V, 10V 110mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 2W (TA), 26W (TC)
MMSZ5234A-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMSZ5234A-AU_R1_000A1 0.0270
RFQ
 ECAD 6891 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.94% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5234 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
1SMA4740_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMA4740_R1_00001 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4740 1 W. SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 500 NA @ 7.6 v 10 v 7 옴
MMBZ5260BV_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5260BV_R1_00001 0.0270
RFQ
 ECAD 2994 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 MMBZ5260 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 33 v 43 v 93 옴
PJU4NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJU4NA60_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 2609 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA PJU4NA60 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU4NA60_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 600 v 4A (TA) 10V 2.4ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 11.1 NC @ 10 v ± 30V 450 pf @ 25 v - 77W (TC)
SB2030CT_T0_00001 Panjit International Inc. SB2030CT_T0_00001 0.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. SB2020CT 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SB2030 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SB2030CT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 20A 550 mV @ 10 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C
BZX84B20_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84B20_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
PZS5124BAS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PZS5124BAS-AU_R1_000A1 0.0378
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 PZS5124 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 10 na @ 18.2 v 24 v
DZ23C14_R1_00001 Panjit International Inc. DZ23C14_R1_00001 0.0378
RFQ
 ECAD 7771 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23C14 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 10.5 v 14 v 25 옴
PDZ9.1B_R1_00001 Panjit International Inc. PDZ9.1B_R1_00001 0.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.09% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F PDZ9.1B 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 6 v 9.1 v 10 옴
SRT8100UF_R2_00001 Panjit International Inc. SRT8100UF_R2_00001 0.6800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 SRT8100 Schottky SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SRT8100UF_R2_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 660 mV @ 8 a 80 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
BD5200YS_S2_00001 Panjit International Inc. BD5200YS_S2_00001 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BD5200 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BD5200YS_S2_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 5 a 50 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 5a -
MMSZ5227B_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5227B_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 445 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5227 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMSZ5227B_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
SD530S_S2_00001 Panjit International Inc. SD530S_S2_00001 0.2700
RFQ
 ECAD 5634 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SD530 Schottky TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 81,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 5 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a -
1SMB3EZ19-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. 1SMB3EZ19-AU_R1_000A1 0.1242
RFQ
 ECAD 3239 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB3 3 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 500,000 500 NA @ 14.4 v 19 v 7 옴
SD103CW_R1_00001 Panjit International Inc. SD103CW_R1_00001 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SD103 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SD103CW_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 600 mv @ 200 ma 5 µa @ 10 v -55 ° C ~ 125 ° C 350ma -
SB24AFC-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. sb24afc-au_r1_000a1 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SB24 Schottky smaf-c 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 100 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 98pf @ 4V, 1MHz
PJD40N04_L2_00001 Panjit International Inc. PJD40N04_L2_00001 0.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD40 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD40N04_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 10A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 20V 1040 pf @ 20 v - 2W (TA), 36W (TC)
BAT42W_R1_00001 Panjit International Inc. BAT42W_R1_00001 0.2200
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 BAT42W Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BAT42W_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 200 ma 500 NA @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 200ma -
PJC7438_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7438_R1_00001 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PJC7438 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 400MA (TA) 1.8V, 10V 1.45ohm @ 500ma, 10V 1V @ 250µA 0.95 nc @ 4.5 v ± 20V 36 pf @ 25 v - 350MW (TA)
BX315_R1_00001 Panjit International Inc. BX315_R1_00001 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BX315 Schottky SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 3 a 50 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
MBR1040_T0_00001 Panjit International Inc. MBR1040_T0_00001 0.2835
RFQ
 ECAD 6564 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR104 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR1040_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 700 mV @ 10 a 50 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
MMSZ5235BS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMSZ5235BS-AU_R1_000A1 0.0270
RFQ
 ECAD 8767 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F MMSZ5235 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 3 µa @ 5 v 6.8 v 5 옴
ED506S_S2_00001 Panjit International Inc. ED506S_S2_00001 0.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ED506S 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-ed506S_S2_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 5 a 35 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
MMBZ5255BTW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5255BTW_R1_00001 0.0513
RFQ
 ECAD 1982 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5255 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 3 독립 100 na @ 21 v 28 v 44 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다