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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PJQ5542V-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5542V-AU_R2_002A1 1.6700
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5542 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3,000 n 채널 40 v 24.8A (TA), 136A (TC) 7V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 50µA 43 NC @ 10 v ± 20V 3050 pf @ 25 v - 3.3W (TA), 100W (TC)
MBR16150CT_T0_00001 Panjit International Inc. MBR16150CT_T0_00001 0.3537
RFQ
 ECAD 1052 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR16150 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR16150CT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 16A 900 mV @ 8 a 50 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C
SS0140Q_R1_00001 Panjit International Inc. SS0140Q_R1_00001 0.2200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0201 (0603 메트릭) SS0140 Schottky DFN0603-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 10 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 100ma 2pf @ 4V, 1MHz
BZT52-B3V3-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-B3V3-AU_R1_000A1 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.12% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B3V3-AU_R1_000A1CT 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 25 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
PG158_R2_00001 Panjit International Inc. PG158_R2_00001 0.0459
RFQ
 ECAD 1646 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 PG158 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 짐 800 v 1.1 v @ 1.5 a 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 25pf @ 4V, 1MHz
1SMA4738_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMA4738_R1_00001 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4738 1 W. SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
SB3040FCT_T0_00001 Panjit International Inc. SB3040FCT_T0_00001 0.4654
RFQ
 ECAD 5181 0.00000000 Panjit International Inc. SB3020FCT 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SB3040 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SB3040FCT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 30A 550 mV @ 15 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5254B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBZ5254B-AU_R1_000A1 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5254 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBZ5254B-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 21 v 27 v 41 옴
BAS40WS_R1_00001 Panjit International Inc. BAS40WS_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F BAS40 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BAS40WS_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 v @ 40 ma 10 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
MMSZ5262AS_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5262AS_R1_00001 0.0243
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F MMSZ5262 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 39 v 51 v 125 옴
PJS6407_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6407_S1_00001 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6407 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.9A (TA) 4.5V, 10V 64mohm @ 4.9a, 10V 2.1V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 528 pf @ 15 v - 2W (TA)
PJP2NA1K_T0_00001 Panjit International Inc. PJP2NA1K_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 8126 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP2 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP2NA1K_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 2A (TA) 10V 9ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 385 pf @ 25 v - 80W (TC)
BZX584C17_R1_00001 Panjit International Inc. BZX584C17_R1_00001 0.0270
RFQ
 ECAD 4412 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12.2 v 17 v 40
PZ1AH68B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PZ1AH68B-AU_R1_000A1 0.0756
RFQ
 ECAD 1086 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123H PZ1AH68 1 W. SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 501,000 1 µa @ 51 v 68 v 80 옴
MMSZ5252AS_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5252AS_R1_00001 0.0216
RFQ
 ECAD 4950 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F MMSZ5252 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 18 v 24 v 33 옴
BZT52-B39_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-B39_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B39_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 29 v 39 v 90 옴
ES1E_R1_00001 Panjit International Inc. ES1E_R1_00001 0.3800
RFQ
 ECAD 1572 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA es1e 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 1 a 35 ns 1 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
PJD35P03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD35P03_L2_00001 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD35 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD35P03_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 8.4A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 1169 pf @ 15 v - 2W (TA), 35W (TC)
PJQ5866A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq5866a-au_r2_000a1 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn PJQ5866 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 68.2W (TC) DFN5060B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 7A (TA), 40A (TC) 17mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 13.5NC @ 4.5V 1574pf @ 25v -
MMBZ5252B_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5252B_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 6395 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5252 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 18 v 24 v 33 옴
PJQ2460_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2460_R1_00001 0.4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 PJQ2460 MOSFET (금속 (() DFN2020B-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ2460_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 3.2a, 10V 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 509 pf @ 15 v - 2W (TA)
BC859B_R1_00001 Panjit International Inc. BC859B_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 6356 0.00000000 Panjit International Inc. BC856 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC859 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 200MHz
BD650CS_S2_00001 Panjit International Inc. BD650CS_S2_00001 0.2430
RFQ
 ECAD 5822 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BD650 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 6A 750 mV @ 3 a 50 @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C
PG4933_R2_00001 Panjit International Inc. PG4933_R2_00001 0.0389
RFQ
 ECAD 6987 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 PG4933 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
SB1040_T0_00001 Panjit International Inc. SB1040_T0_00001 0.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SB1040 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 10 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
PJA3428_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3428_R1_00001 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3428 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3428_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 10 v ± 10V 45 pf @ 10 v - 500MW (TA)
ER502_R2_00001 Panjit International Inc. ER502_R2_00001 0.4200
RFQ
 ECAD 958 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 ER502 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-er502_R2_00001TR 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 5 a 35 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 65pf @ 4V, 1MHz
PZS518V2BAS_R1_00001 Panjit International Inc. PZS518V2BAS_R1_00001 0.0324
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 PZS518 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 1 µa @ 6.2 v 8.2 v
BZX84B22_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84B22_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZX84B22_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 15.4 v 22 v 55 옴
BZT52-C2V7_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-C2V7_R1_00001 0.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-C2V7_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0050 3,000 75 µa @ 1 v 2.7 v 83 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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