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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SVM845L_R1_00001 Panjit International Inc. SVM845L_R1_00001 0.1917
RFQ
ECAD 1287 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SVM845 Schottky TO-277 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 85,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 500 mV @ 8 a 250 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 500pf @ 4V, 1MHz
PJA3409-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3409-AU_R1_000A1 0.4300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3409 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pja3409-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.9A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 2.9a, 10V 2.1V @ 250µA 9.8 nc @ 10 v ± 20V 396 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
SBA120CH_R1_00001 Panjit International Inc. SBA120CH_R1_00001 0.0324
RFQ
ECAD 6774 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F SBA120 Schottky SOD-323HE - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 395,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 100 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
FR2DF_R1_00001 Panjit International Inc. FR2DF_R1_00001 0.4200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 FR2D 기준 SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-FR2DF_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 24pf @ 4V, 1MHz
SBA0830CS_R1_00001 Panjit International Inc. SBA0830CS_R1_00001 0.0394
RFQ
ECAD 1542 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F SBA0830 Schottky SOD-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,200,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mV @ 800 mA 100 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma -
MBR25100FCT_T0_00001 Panjit International Inc. MBR25100FCT_T0_00001 0.5601
RFQ
ECAD 7527 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MBR25100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR25100FCT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 25A 800 mV @ 12.5 a 50 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
BAS40S_R1_00001 Panjit International Inc. BAS40S_R1_00001 0.1600
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BAS40S_R1_00001TR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 200ma 1 v @ 40 ma 1 µa @ 25 v -55 ° C ~ 150 ° C
UF2001CT_T0_00001 Panjit International Inc. UF2001CT_T0_00001 0.2835
RFQ
ECAD 2221 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 UF2001 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-UF2001CT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 1 V @ 10 a 50 ns 1 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
MBR860DC_R2_00001 Panjit International Inc. MBR860DC_R2_00001 0.3456
RFQ
ECAD 6604 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBR860 Schottky TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 8a 750 mV @ 4 a 50 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
FR3K_R1_00001 Panjit International Inc. FR3K_R1_00001 0.0945
RFQ
ECAD 5303 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC FR3K 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 1 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
MBR1060F_T0_00001 Panjit International Inc. MBR1060F_T0_00001 0.2835
RFQ
ECAD 8483 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 MBR106 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR1060F_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mv @ 10 a 50 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
BD8150CS_L2_00001 Panjit International Inc. BD8150CS_L2_00001 0.3969
RFQ
ECAD 4715 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BD8150 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 8a 900 mV @ 4 a 50 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C
MBR30100PT_T0_00001 Panjit International Inc. MBR30100PT_T0_00001 1.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR30100 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-MBR30100PT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 30A 800 mV @ 15 a 50 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
MB215_R1_00001 Panjit International Inc. MB215_R1_00001 0.3800
RFQ
ECAD 790 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MB215 Schottky SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 2 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
SD830YS_S2_00001 Panjit International Inc. sd830ys_s2_00001 0.3456
RFQ
ECAD 1002 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SD830 Schottky TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 81,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
BZX84B43-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZX84B43-AU_R1_000A1 0.0216
RFQ
ECAD 4502 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 30.1 v 43 v 150 옴
BZT52-B68_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-B68_R1_00001 0.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 51 v 68 v 200 옴
UF2006FCT_T0_00001 Panjit International Inc. UF2006FCT_T0_00001 0.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. UF2002FCT 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 UF2006 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-UF2006FCT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 20A 1.7 V @ 10 a 100 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
SB530_R2_00001 Panjit International Inc. SB530_R2_00001 0.0918
RFQ
ECAD 6193 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB530 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 57,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 5 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a -
1SS387FN2_R1_00001 Panjit International Inc. 1SS387FN2_R1_00001 0.2200
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0402 (1006 메트릭) 1SS387FN2 기준 2-DFN (1x0.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 1.6 ns 500 NA @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma 0.5pf @ 0V, 1MHz
PG208_R2_00001 Panjit International Inc. PG208_R2_00001 0.0513
RFQ
ECAD 7824 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 PG208 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 800 v 1.1 v @ 2 a 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
MBR640F_T0_00001 Panjit International Inc. MBR640F_T0_00001 0.5130
RFQ
ECAD 9377 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 MBR640 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR640F_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 700 mv @ 6 a 50 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A -
QRT8A06F_T0_00001 Panjit International Inc. QRT8A06F_T0_00001 -
RFQ
ECAD 2777 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 QRT8A06 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 3757-QRT8A06F_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.4 v @ 8 a 28 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
MBR1060CT_T0_00001 Panjit International Inc. MBR1060CT_T0_00001 0.7300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR106 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 750 mV @ 5 a 50 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
PJP5NA50_T0_00001 Panjit International Inc. PJP5NA50_T0_00001 -
RFQ
ECAD 2097 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP5 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP5NA50_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TA) 10V 1.55ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 491 pf @ 25 v - 87.5W (TC)
UF801_T0_00001 Panjit International Inc. UF801_T0_00001 0.7300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 UF801 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-UF801_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 8 a 50 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
MBR850D_R2_00001 Panjit International Inc. MBR850D_R2_00001 0.3078
RFQ
ECAD 8429 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBR850 Schottky TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 MV @ 8 a 50 @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
DZ23C51_R1_00001 Panjit International Inc. DZ23C51_R1_00001 0.0378
RFQ
ECAD 7743 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23C51 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 38 v 51 v 100 옴
PJD4NA65_L2_00001 Panjit International Inc. PJD4NA65_L2_00001 0.8800
RFQ
ECAD 8392 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD4NA65 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD4NA65_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 4A (TA) 10V 2.7ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 11.4 NC @ 10 v ± 30V 463 pf @ 25 v - 77W (TC)
ERT2AAFC_R1_00001 Panjit International Inc. ERT2AAFC_R1_00001 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 ert2a 기준 smaf-c 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-ERT2AAFC_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 2 a 25 ns 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고