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불연속 불연속 제품 (5131)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
S3G_R1_00001 Panjit International Inc. S3G_R1_00001 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3G 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-S3G_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 800 짐 400 v 1.2 v @ 3 a 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 53pf @ 4v, 1MHz
BZT52-B24S-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-B24S-AU_R1_000A1 0.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-B2V4S-AU 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B24S-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
MMBT5551_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT5551_R1_00001 0.2200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5551 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBT5551_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0075 3,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
BZX84C33_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C33_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Panjit International Inc. BZX84C2V4 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZX84C33_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 23.1 v 33 v 80 옴
BZT52-B30_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-B30_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B30_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 22.5 v 30 v 80 옴
BZT52-B6V2_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-B6V2_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.94% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B6V2_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
BAV99-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. bav99-au_r1_000a1 0.1600
RFQ
 ECAD 312 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav99 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-bav99-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 75 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
BAW56W-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. baw56w-au_r1_000a1 0.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 baw56 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-baw56w-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 75 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52-C2V4S_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-C2V4S_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Panjit International Inc. BZT52-C2V4 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-C2V4S_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
MMSZ5236A_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5236A_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. MMSZ5229A 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5236 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMSZ5236A_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
PJA3430_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3430_R1_00001 0.3500
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3430 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3430_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 2A (TA) 1.8V, 4.5V 150mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 1.8 nc @ 4.5 v ± 8V 92 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
RB501V-40-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. RB501V-40-AU_R1_000A1 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB501V Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-RB501V-40-AU_R1_000A1TR 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 45 v 550 mV @ 100 ma 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 100ma 8pf @ 4V, 1MHz
PJA3407_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3407_R1_00001 0.4400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3407 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.8a, 10V 2.1V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 528 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
BZT52-B15_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-B15_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B15_R1_00001TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
PJA3414_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3414_R1_00001 0.0907
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3414 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3414_R1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.2A (TA) 1.8V, 4.5V 36mohm @ 5.2a, 4.5v 1.2V @ 250µA 4.1 NC @ 4.5 v ± 12V 396 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
BZT52-C16-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-C16-AU_R1_000A1 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-C2V4S-AU 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-C16-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 12 v 16 v 40
PJC7404_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7404_R1_00001 0.4400
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PJC7404 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJC7404_R1_00001CT 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1A (TA) 1.8V, 4.5V 150mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 1.6 NC @ 4.5 v ± 8V 92 pf @ 10 v - 350MW (TA)
PJQ2409_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2409_R1_00001 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 PJQ2409 MOSFET (금속 (() DFN2020B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ2409_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 15 v - 2W (TA)
SBT10100VFCT_T0_00001 Panjit International Inc. SBT10100VFCT_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 7269 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SBT10100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 3757-SBT10100VFCT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 5a 740 mV @ 5 a 60 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR110AFC_R1_00001 Panjit International Inc. MBR110AFC_R1_00001 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 MBR110 Schottky smaf-c 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR110AFC_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
PJA3405-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3405-AU_R1_000A1 0.4700
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3405 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 73mohm @ 3.6a, 10V 2.1V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 417 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
PJA3413_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3413_R1_00001 0.4900
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3413 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3413_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.4A (TA) 1.8V, 4.5V 82mohm @ 3.4a, 4.5v 1.2V @ 250µA 7 NC @ 4.5 v ± 12V 522 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
SBM360VBF_R1_00001 Panjit International Inc. SBM360VBF_R1_00001 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 SBM360 Schottky SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SBM360VBF_R1_00001TR 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 500 mV @ 3 a 220 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
BZT52-B13_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-B13_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B13_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10 v 13 v 25 옴
BZT52-B16S-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-B16S-AU_R1_000A1 0.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-B2V4S-AU 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B16S-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 na @ 12 v 16 v 40
SBA130CS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. SBA130CS-AU_R1_000A1 0.4000
RFQ
 ECAD 7303 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SBA130 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SBA130CS-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 470 mV @ 1 a 100 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BC847BS_R1_00001 Panjit International Inc. BC847BS_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 300MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC848C_R1_00001 Panjit International Inc. BC848C_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Panjit International Inc. BC848 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC848C_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V -
MBR60200PT_T0_00001 Panjit International Inc. MBR60200PT_T0_00001 3.2700
RFQ
 ECAD 793 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR60200 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-MBR60200PT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 30A 900 mV @ 30 a 50 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
PJA3400_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3400_R1_00001 0.4400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3400 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3400_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.9A (TA) 2.5V, 10V 38mohm @ 4.9a, 10V 1.3V @ 250µA 5.7 NC @ 10 v ± 12V 490 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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