 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기술 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 속도 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | IV1D12010O2 | 11.0300 |  | 190 | 0.00000000 | 인벤칩 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | TO-220-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 4084-IV1D12010O2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 1200V | 1.8V @ 10A | 0ns | 1200V에서 50μA | -55°C ~ 175°C | 28A | 575pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||
|  | IV1D12020T3 | 17.9500 |  | 120 | 0.00000000 | 인벤칩 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-247-3 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 4084-IV1D12020T3 | EAR99 | 30 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 1200V | 30A(DC) | 1.8V @ 20A | 0ns | 1200V에서 100μA | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||||||
|  | IV1D12020T2 | 17.9500 |  | 120 | 0.00000000 | 인벤칩 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-247-2 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | TO-247-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 4084-IV1D12020T2 | EAR99 | 30 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 1200V | 1.8V @ 20A | 0ns | 1200V에서 120μA | -55°C ~ 175°C | 54A | 1114pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||
|  | IV1Q12050T3 | 37.4900 |  | 3 | 0.00000000 | 인벤칩 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | SiCFET(탄화규소) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 4084-IV1Q12050T3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 1200V | 58A(티씨) | 20V | 65m옴 @ 20A, 20V | 3.2V @ 6mA | 120nC @ 20V | +20V, -5V | 800V에서 2770pF | - | 327W(Tc) | |||||||||||
|  | IV1D06006P3 | 4.2300 |  | 2 | 0.00000000 | 인벤칩 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | TO-252-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 650V | 1.65V @ 6A | 0ns | 650V에서 10μA | -55°C ~ 175°C | 16.7A | 224pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||
|  | IV1D12015T2 | 13.6300 |  | 120 | 0.00000000 | 인벤칩 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-247-2 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | TO-247-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 4084-IV1D12015T2 | EAR99 | 30 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 1200V | 1.8V @ 15A | 0ns | 1200V에서 80μA | -55°C ~ 175°C | 44A | 888pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||
|  | IV1Q12050T4 | 38.5000 |  | 4491 | 0.00000000 | 인벤칩 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-4 | SiCFET(탄화규소) | TO-247-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 4084-IV1Q12050T4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 1200V | 58A(티씨) | 20V | 65m옴 @ 20A, 20V | 3.2V @ 6mA | 120nC @ 20V | +20V, -5V | 800V에서 2750pF | - | 344W(Tc) | |||||||||||
|  | IV1D12010T2 | 11.0300 |  | 110 | 0.00000000 | 인벤칩 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-247-2 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | TO-247-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 4084-IV1D12010T2 | EAR99 | 30 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 1200V | 1.8V @ 10A | 0ns | 1200V에서 50μA | -55°C ~ 175°C | 30A | 575pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||
|  | IV1D12030U3 | 23.8500 |  | 110 | 0.00000000 | 인벤칩 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-247-3 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 4084-IV1D12030U3 | EAR99 | 30 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 1200V | 44A(DC) | 1.8V @ 15A | 0ns | 1200V에서 80μA | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||||||
|  | IV1D06006O2 | 4.0900 |  | 136 | 0.00000000 | 인벤칩 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | TO-220-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 4084-IV1D06006O2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 650V | 1.65V @ 6A | 0ns | 650V에서 10μA | -55°C ~ 175°C | 17.4A | 212pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||
|  | IV1Q12160T4 | 18.7400 |  | 106 | 0.00000000 | 인벤칩 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-4 | SiCFET(탄화규소) | TO-247-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 4084-IV1Q12160T4 | EAR99 | 30 | N채널 | 1200V | 20A(TC) | 20V | 195m옴 @ 10A, 20V | 2.9V @ 1.9mA | 43nC @ 20V | +20V, -5V | 885pF @ 800V | - | 138W(Tc) | ||||||||||||
|  | IV1D12040U2 | 27.8300 |  | 120 | 0.00000000 | 인벤칩 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-247-2 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | TO-247-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 4084-IV1D12040U2 | EAR99 | 30 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 1200V | 102A(DC) | 1.8V @ 40A | 0ns | 1200V에서 200μA | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||||||
|  | IV1D12005O2 | 6.1300 |  | 164 | 0.00000000 | 인벤칩 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | TO-220-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 4084-IV1D12005O2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 1200V | 1.8V @ 5A | 0ns | 1200V에서 30μA | -55°C ~ 175°C | 17A | 320pF @ 1V, 1MHz | 

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