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이산친구(102)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)
EPC2207	3.2300	보상요청	24	EPC	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수		GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	200V	14A(타)	5V	22m옴 @ 14A, 5V	2.5V @ 2mA	5.9nC @ 5V	+6V, -4V	100V에서 600pF	-	-
EPC2105ENGRT	-	보상요청	4940	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC210	GaNFET(질화갈륨)	-	분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	500	2 N 채널(하프 다리)		80V	9.5A		14.5m옴 @ 20A, 5V	2.5V @ 2.5mA	2.5nC @ 5V		300pF @ 40V	-
EPC2088	4.3100	보상요청	29	EPC	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인								다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	1,000
EPC2107	1.9200	보상요청	5	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	9-VFBGA	EPC210	GaNFET(질화갈륨)	-	9-BGA(1.35x1.35)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	2,500	3 N 채널(하프 다리 + 동기식 파티스트랩)		100V	1.7A, 500mA		320m옴 @ 2A, 5V, 3.3옴 @ 2A, 5V	100μA에서 2.5V, 20μA에서 2.5V	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V		50V에서 16pF, 50V에서 7pF	-
EPC2221	2.6000	보상요청	9	EPC	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC222	GaNFET(질화갈륨)	-	분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	2,500	2 N채널(이중) 둘째 소스		100V	5A		-	-	-		-	-
EPC2030	6.9400	보상요청	4	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	500		N채널	40V	31A(타)		2.4m옴 @ 30A, 5V	2.5V @ 16mA	18nC @ 5V		1900pF @ 20V	-
EPC2024	7.7000	보상요청	4	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	500		N채널	40V	90A(타)	5V	1.5m옴 @ 37A, 5V	2.5V @ 19mA		+6V, -4V	2100pF @ 20V	-	-
EPC2014	-	보상요청	9388	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	1,000		N채널	40V	10A(타)	5V	16m옴 @ 5A, 5V	2.5V @ 2mA	2.8nC @ 5V	+6V, -5V	20V에서 325pF	-	-
EPC2065	3.3400	보상요청	5	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	1,000		N채널	80V	60A(타)	5V	3.6m옴 @ 25A, 5V	2.5V @ 7mA	12.2nC @ 5V	+6V, -4V	40V에서 1449pF	기준	-
EPC2100	8.8500	보상요청	260	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC210	GaNFET(질화갈륨)	-	분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	500	2 N 채널(하프 다리)		30V	10A(타), 40A(타)		8.2m옴 @ 25A, 5V, 2.1m옴 @ 25A, 5V	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V		475pF @ 15V, 1960pF @ 15V	-
EPC2103ENGRT	-	보상요청	8535	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.		표면 실장	분수	EPC210	GaNFET(질화갈륨)	-	분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	500	2 N 채널(하프 다리)		80V	23A		5.5m옴 @ 20A, 5V	2.5V @ 7mA	6.5nC @ 5V		7600pF @ 40V	-
EPC2304ENGRT	8.7500	보상요청	4	EPC	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인								-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	3,000
EPC2206	6.1800	보상요청	81	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수		GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	500		N채널	80V	90A(타)	5V	2.2m옴 @ 29A, 5V	2.5V @ 13mA	19nC @ 5V	+6V, -4V	40V에서 1940pF	-	-
EPC2029	8.3300	보상요청	40	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	500		N채널	80V	48A(타)	5V	3.2m옴 @ 30A, 5V	2.5V @ 12mA	13nC @ 5V	+6V, -4V	40V에서 1410pF	-	-
EPC2019	3.6700	보상요청	108	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	1,000		N채널	200V	8.5A(타)	5V	42m옴 @ 7A, 5V	2.5V @ 1.5mA	2.9nC @ 5V	+6V, -4V	100V에서 288pF	-	-
EPC2049ENGRT	-	보상요청	5124	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	500		N채널	40V	16A(타)	5V	5m옴 @ 15A, 5V	2.5V @ 6mA	7.6nC @ 5V	+6V, -4V	20V에서 805pF	-	-
EPC2302	8.7500	보상요청	53	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	7-PowerWQFN		GaNFET(질화갈륨)		7-QFN(3x5)	다운로드	ROHS3 준수	2(1년)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	3,000		N채널	100V	101A(타)	5V	1.8m옴 @ 50A, 5V	2.5V @ 14mA	23nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 3200pF	-	-
EPC2040	1.1100	보상요청	8	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	15V	3.4A(타)	5V	30m옴 @ 1.5A, 5V	2.5V @ 1mA	0.93nC @ 5V		6V에서 105pF	-	-
EPC2010	-	보상요청	4570	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	500		N채널	200V	12A(타)	5V	25m옴 @ 6A, 5V	2.5V @ 3mA	7.5nC @ 5V	+6V, -4V	100V에서 540pF	-	-
EPC2025	-	보상요청	4441	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.21.0040	1,000		N채널	300V	4A(타)	5V	150m옴 @ 3A, 5V	2.5V @ 1mA		+6V, -4V	240V에서 194pF	-	-
EPC2007C	2.1400	보상요청	41	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	100V	6A(타)	5V	30m옴 @ 6A, 5V	2.5V @ 1.2mA	2.2nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 220pF	-	-
EPC2202	2.9100	보상요청	65	EPC	자동차, AEC-Q101, eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수		GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	80V	18A(타)	5V	17m옴 @ 11A, 5V	2.5V @ 3mA	4nC @ 5V	+5.75V, -4V	50V에서 415pF	-	-
EPC2105	8.7500	보상요청	2	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC210	GaNFET(질화갈륨)	-	분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	500	2 N 채널(하프 다리)		80V	9.5A, 38A		14.5m옴 @ 20A, 5V, 3.4m옴 @ 20A, 5V	2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA	2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V		40V에서 300pF, 40V에서 1100pF	-
EPC2007	-	보상요청	5089	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	1,000		N채널	100V	6A(타)	5V	30m옴 @ 6A, 5V	2.5V @ 1.2mA	2.8nC @ 5V	+6V, -5V	50V에서 205pF	-	-
EPC2023	7.9500	보상요청	10	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.		표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	500		N채널	30V	60A(타)		1.3m옴 @ 40A, 5V	2.5V @ 20mA			15V에서 2300pF	-
EPC2111	3.0600	보상요청	6	EPC	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC211	GaNFET(질화갈륨)	-	분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	2,500	2 N 채널(하프 다리)		30V	16A(타)		19m옴 @ 15A, 5V, 8m옴 @ 15A, 5V	2.5V @ 5mA	2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V		230pF @ 15V, 590pF @ 15V	-
EPC2104	8.7500	보상요청	3	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC210	GaNFET(질화갈륨)	-	분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	500	2 N 채널(하프 다리)		100V	23A		6.3m옴 @ 20A, 5V	2.5V @ 5.5mA	7nC @ 5V		50V에서 800pF	-
EPC2012C	2.7600	보상요청	19	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	200V	5A(타)	5V	100m옴 @ 3A, 5V	2.5V @ 1mA	1.3nC @ 5V	+6V, -4V	100V에서 140pF	-	-
EPC2012	-	보상요청	9923	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0040	1,000		N채널	200V	3A(타)	5V	100m옴 @ 3A, 5V	2.5V @ 1mA	1.8nC @ 5V	+6V, -5V	100V에서 145pF	-	-
EPC2108	1.7400	보상요청	1	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	9-VFBGA	EPC210	GaNFET(질화갈륨)	-	9-BGA(1.35x1.35)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	2,500	3 N 채널(하프 다리 + 동기식 파티스트랩)		60V, 100V	1.7A, 500mA		190m옴 @ 2.5A, 5V, 3.3옴 @ 2.5A, 5V	100μA에서 2.5V, 20μA에서 2.5V	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V		22pF @ 30V, 7pF @ 30V	-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

이산친구(102)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²