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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
BYC20-600,127 WeEn Semiconductors BYC20-600,127 0.8580
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 BYC20 기준 TO-220AC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 2.9 V @ 20 a 55 ns 200 µa @ 600 v 150 ° C (°) 20A -
BTA202W-800ETF WeEn Semiconductors BTA202W-800ETF 0.1321
RFQ
 ECAD 6545 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BTA202 SC-73 다운로드 귀 99 8541.30.0080 4,000 하나의 20 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 2 a 1 v 25A, 27.5A 10 MA
WNS40H100CQ WeEn Semiconductors WNS40H100CQ 1.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 WNS40 Schottky TO-220E 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 934072049127 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 710 MV @ 20 a 50 µa @ 100 v 150 ° C (°)
WNSC04650T6J WeEn Semiconductors WNSC04650T6J 1.0313
RFQ
 ECAD 1979 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 4-vSfn s 패드 WNSC0 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky 5-DFN (8x8) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 4 a 0 ns 25 µa @ 650 v 175 ° C (°) 4a 141pf @ 1v, 1MHz
TYN20B-600T,118 WeEn Semiconductors Tyn20B-600T, 118 0.5123
RFQ
 ECAD 1300 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB Tyn20 D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 800 40 MA 600 v 20 a 1.3 v 210A, 231A 32 MA 1.5 v 12.7 a 1 MA 표준 표준
BT137X-600F/L02Q WeEn Semiconductors BT137X-600F/L02Q 0.2875
RFQ
 ECAD 8708 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BT137 TO-220F 다운로드 1 (무제한) 934068458127 귀 99 8541.30.0080 600 하나의 20 MA 기준 600 v 8 a 1 v 65a, 71a 70 MA
TYN30Y-600TFQ WeEn Semiconductors Tyn30y-600tfq 1.1600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 Tyn30 TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 50 40 MA 600 v 30 a 1 v 360A, 396A 10 MA 1.5 v 19 a 10 µA 표준 표준
BTA416Y-800B,127 WeEn Semiconductors BTA416Y-800B, 127 1.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 BTA416 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 60 MA 기준 800 v 16 a 1.5 v 160a, 176a 50 MA
BT169B,126 WeEn Semiconductors BT169B, 126 0.4900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 ween 반도체 - 컷 컷 (CT) 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BT169 To-92-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 2,000 5 MA 200 v 800 MA 800 MV 8a, 9a 200 µA 1.7 v 500 MA 100 µa 민감한 민감한
BTA312X-600E/DGQ WeEn Semiconductors BTA312X-600E/DGQ 0.4822
RFQ
 ECAD 4278 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BTA312 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934067484127 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 12 a 1.5 v 95a, 105a 10 MA
BT169G-LML WeEn Semiconductors BT169G-LML 0.0790
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & t (TB) 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BT169 To-92-3 다운로드 1 (무제한) 934066107126 귀 99 8541.30.0080 10,000 1 MA 600 v 800 MA 800 MV 8a, 9a 50 µA 1.7 v 500 MA 2 µA 민감한 민감한
BT234-800D,127 WeEn Semiconductors BT234-800D, 127 0.7400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BT234 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 6 MA 기준 800 v 4 a 1 v 35A @ 50Hz 10 MA
WNSC208006Q WeEn Semiconductors WNSC208006Q -
RFQ
 ECAD 5632 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 TO-220-2 WNSC2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC - 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 800 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 450 µa @ 800 v 175 ° C 20A 655pf @ 1v, 1MHz
BTA425Y-800CTQ WeEn Semiconductors BTA425Y-800CTQ 1.8400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 BTA425 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 50 MA 기준 800 v 25 a 1.3 v 250A, 275A 35 MA
BTA316-600B0Q WeEn Semiconductors BTA316-600B0Q 0.5425
RFQ
 ECAD 5378 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTA316 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934067452127 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 60 MA 기준 600 v 16 a 1.5 v 140a, 150a 50 MA
BT234-600D,127 WeEn Semiconductors BT234-600D, 127 0.2639
RFQ
 ECAD 8214 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BT234 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934065717127 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 6 MA 기준 600 v 4 a 1 v 35A @ 50Hz 10 MA
Z0103NN,135 WeEn Semiconductors Z0103NN, 135 0.5000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA Z0103 SC-73 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 4,000 하나의 7 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 1 a 1.3 v 8A, 8.5A 3 MA
WNSC5D10650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D10650X6Q -
RFQ
 ECAD 1726 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 WNSC5 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC - 1740-WNSC5D10650X6Q 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 323pf @ 1v, 1MHz
BTA201-800E,112 WeEn Semiconductors BTA201-800E, 112 0.2283
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BTA201 To-92-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 5,000 하나의 12 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 1 a 1.5 v 12.5a, 13.7a 10 MA
BT139X-600G,127 WeEn Semiconductors BT139X-600G, 127 0.4069
RFQ
 ECAD 1812 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BT139 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 60 MA 기준 600 v 16 a 1.5 v 155a, 170a 50 MA
Z0107MA0,412 WeEn Semiconductors Z0107MA0,412 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 Z0107 To-92-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 5,000 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 1 a 1.3 v 12.5A, 13.8A 5 MA
BTA212-800B,127 WeEn Semiconductors BTA212-800B, 127 0.5726
RFQ
 ECAD 6412 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTA212 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 60 MA 기준 800 v 12 a 1.5 v 95a, 105a 50 MA
NXPSC08650B6J WeEn Semiconductors NXPSC08650B6J 4.8600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NXPSC SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky D2PAK 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 800 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 230 µa @ 650 v 175 ° C (°) 8a 260pf @ 1v, 1MHz
NCR100Q-6MX WeEn Semiconductors NCR100Q-6MX 0.0773
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA NCR100 SOT-89 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 5 MA 600 v 800 MA 1 v 8a, 9a 100 µa 1.7 v 510 MA 100 MA 민감한 민감한
BT151-1000RT,127 WeEn Semiconductors BT151-1000RT, 127 0.9600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 BT151 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 50 20 MA 1kv 12 a 1.5 v 120a, 131a 15 MA 1.75 v 7.5 a 2.5 MA 표준 표준
BYC8X-600P,127 WeEn Semiconductors BYC8X-600P, 127 0.8900
RFQ
 ECAD 1766 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 byc8 기준 TO-220FP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.9 V @ 8 a 18 ns 20 µa @ 600 v 175 ° C (°) 8a -
BT137X-800E,127 WeEn Semiconductors BT137X-800E, 127 0.2753
RFQ
 ECAD 8542 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BT137 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 20 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 8 a 1.5 v 65a, 71a 10 MA
BTA312-600CT,127 WeEn Semiconductors BTA312-600ct, 127 0.4521
RFQ
 ECAD 8272 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTA312 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 35 MA 기준 600 v 12 a 1.5 v 95a, 105a 35 MA
NXPSC08650X6Q WeEn Semiconductors NXPSC08650X6Q 4.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 NXPSC SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 934072085127 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 230 µa @ 650 v 175 ° C (°) 8a 260pf @ 1v, 1MHz
BTA204S-800E,118 WeEn Semiconductors BTA204S-800E, 118 0.7200
RFQ
 ECAD 6949 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BTA204 DPAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 2,500 하나의 12 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 4 a 1.5 v 25a, 27a 10 MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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