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불연속 불연속 제품 (1242)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BT236X-800G/L02Q WeEn Semiconductors BT236X-800G/L02Q 0.3670
RFQ
 ECAD 1740 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BT236 TO-220F 다운로드 1 (무제한) 934067771127 귀 99 8541.30.0080 600 하나의 40 MA 기준 800 v 6 a 1 v 65a, 71a 100 MA
BYC30WT-600PSQ WeEn Semiconductors BYC30WT-600PSQ 1.3879
RFQ
 ECAD 4791 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 BYC30 기준 TO-247-3 다운로드 귀 99 8541.10.0080 600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.75 V @ 30 a 35 ns 10 µa @ 600 v 175 ° C 30A -
BYV29B-500,118 WeEn Semiconductors BYV29B-500,118 1.0100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BYV29 기준 D2PAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.25 V @ 8 a 60 ns 50 @ 500 v 150 ° C (°) 9a -
BTA204S-600D,118 WeEn Semiconductors BTA204S-600D, 118 0.7000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BTA204 DPAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 2,500 하나의 6 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 4 a 1.5 v 25a, 27a 5 MA
Z0103MA,412 WeEn Semiconductors Z0103MA, 412 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 Z0103 To-92-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 5,000 하나의 7 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 1 a 1.3 v 8A, 8.5A 3 MA
Z0107MA,412 WeEn Semiconductors Z0107MA, 412 0.1068
RFQ
 ECAD 6696 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 Z0107 To-92-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 5,000 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 1 a 1.3 v 8A, 8.5A 5 MA
WNSC5D086506Q WeEn Semiconductors WNSC5D086506Q -
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 WNSC5 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC - 1740-WNSC5D086506Q 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 40 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 267pf @ 1v, 1MHz
BTA310X-800E,127 WeEn Semiconductors BTA310X-800E, 127 0.4340
RFQ
 ECAD 6483 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BTA310 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934066178127 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 10 a 1.5 v 85A, 93A 10 MA
BT137S-800F,118 WeEn Semiconductors BT137S-800F, 118 0.2677
RFQ
 ECAD 9939 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BT137 DPAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 2,500 하나의 20 MA 기준 800 v 8 a 1.5 v 65a, 71a 25 MA
BT139X-800/L02Q WeEn Semiconductors BT139X-800/L02Q 0.4441
RFQ
 ECAD 5867 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BT139 TO-220F 다운로드 1 (무제한) 934067769127 귀 99 8541.30.0080 600 하나의 45 MA 기준 800 v 16 a 1 v 155a, 170a 70 MA
BTA440Z-800BTQ WeEn Semiconductors BTA440Z-800BTQ 3.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 BTA440 to-3p 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.30.0080 30 하나의 80 MA 기준 800 v 40 a 1.3 v 400A, 440A 50 MA
ACTT10-800ETQ WeEn Semiconductors ACTT10-800ETQ -
RFQ
 ECAD 1705 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 ACTT10-800 TO-220AB - rohs 준수 1 (무제한) 934068001127 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 논리 - 게이트 민감한 800 v 10 a - 10 MA
BTA212X-800B,127 WeEn Semiconductors BTA212X-800B, 127 1.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BTA212 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 60 MA 기준 800 v 12 a 1.5 v 95a, 105a 50 MA
BYW29ED-200,118 WeEn Semiconductors BYW29ED-200,118 1.0400
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BYW29 기준 DPAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 20 a 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C (°) 8a -
BTA308-800ETQ WeEn Semiconductors BTA308-800ETQ 0.3365
RFQ
 ECAD 9217 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTA308 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934072025127 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 50 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 8 a 1 v 60a, 65a 10 MA
NXPS20H110C,127 WeEn Semiconductors NXPS20H110C, 127 -
RFQ
 ECAD 7764 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 NXPS20 Schottky TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 110 v 10A 770 MV @ 10 a 6 µa @ 110 v 175 ° C (°)
BT236X-800,127 WeEn Semiconductors BT236X-800,127 0.3417
RFQ
 ECAD 8210 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BT236 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 20 MA 기준 800 v 6 a 1.5 v 65a, 71a 35 MA
BTA216B-600D,118 WeEn Semiconductors BTA216B-600D, 118 0.7217
RFQ
 ECAD 5762 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BTA216 D2PAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 800 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 16 a 1.5 v 140a, 150a 5 MA
BT134W-600E,115 WeEn Semiconductors BT134W-600E, 115 0.5700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BT134 SC-73 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 1 a 1.5 v 10a, 11a 10 MA
BTA410Y-800BT,127 WeEn Semiconductors BTA410Y-800BT, 127 0.4822
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 BTA410 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934066159127 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 60 MA 기준 800 v 10 a 1.5 v 100A, 110A 50 MA
BTA204X-800E/L03Q WeEn Semiconductors BTA204X-800E/L03Q 0.2793
RFQ
 ECAD 9930 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BTA204 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934068692127 귀 99 8541.30.0080 600 하나의 12 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 4 a 1 v 25a, 27a 10 MA
NXPSC08650D6J WeEn Semiconductors NXPSC08650D6J 4.7400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NXPSC SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky DPAK 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 230 µa @ 650 v 175 ° C (°) 8a 260pf @ 1v, 1MHz
BT131-600,116 WeEn Semiconductors BT131-600,116 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BT131 To-92-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 2,000 하나의 5 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 1 a 1.5 v 12.5A, 13.8A 3 MA
NXPSC04650X6Q WeEn Semiconductors NXPSC04650X6Q 2.7000
RFQ
 ECAD 6191 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 NXPSC SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 934072079127 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 4 a 0 ns 170 µa @ 650 v 175 ° C (°) 4a 1V @ 1V, 1MHz
BYV415J-600PQ WeEn Semiconductors BYV415J-600pq 1.2375
RFQ
 ECAD 1012 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 byv415 - to-3pf 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934071203127 귀 99 8541.10.0080 480 - - - -
Z0107NA,116 WeEn Semiconductors Z0107NA, 116 0.1150
RFQ
 ECAD 1948 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 Z0107 To-92-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 10,000 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 1 a 1.3 v 8A, 8.5A 5 MA
BT131-800E,412 WeEn Semiconductors BT131-800E, 412 0.1183
RFQ
 ECAD 3902 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BT131 To-92-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 5,000 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 1 a 1.5 v 12.5a, 13.7a 10 MA
PHE13005X/01,127 WeEn Semiconductors PHE13005X/01,127 0.2200
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 ween 반도체 * 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 Phe13 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934066084127 귀 99 8541.29.0095 50
BUJ303B,127 WeEn Semiconductors BUJ303B, 127 0.3365
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buj303 100 W. TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 400 v 5 a 100µA NPN 1.5v @ 1a, 3a 23 @ 800ma, 3v -
BTA216-600E,127 WeEn Semiconductors BTA216-600E, 127 0.5355
RFQ
 ECAD 4073 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTA216 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 25 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 16 a 1.5 v 140a, 150a 10 MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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