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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BT152X-400R,127 WeEn Semiconductors BT152X-400R, 127 0.4973
RFQ
 ECAD 7540 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BT152 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 60 MA 450 v 20 a 1.5 v 200a, 220a 32 MA 1.75 v 13 a 1 MA 표준 표준
Z0107NN,135 WeEn Semiconductors Z0107NN, 135 0.4800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA Z0107 SC-73 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 4,000 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 1 a 1.3 v 8A, 8.5A 5 MA
BYV29X-500,127 WeEn Semiconductors BYV29X-500,127 0.4290
RFQ
 ECAD 8271 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 BYV29 기준 TO-220FP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.25 V @ 8 a 60 ns 50 @ 500 v 150 ° C (°) 9a -
WNSC2D101200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D101200WQ 4.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 WNSC2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1740-WNSC2D101200WQ 귀 99 8541.10.0080 600 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.65 V @ 10 a 0 ns 110 µa @ 1200 v 175 ° C 10A 490pf @ 1v, 1MHz
BYV60W-600PT2Q WeEn Semiconductors byv60w-600pt2q 2.8700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 기준 TO-247-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 1740-BYV60W-600PT2Q 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 60 a 79 ns 10 µa @ 600 v 175 ° C 60a -
PHE13003A,412 WeEn Semiconductors PHE13003A, 412 0.0720
RFQ
 ECAD 6599 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Phe13 2.1 w To-92-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934063927412 귀 99 8541.29.0095 5,000 400 v 1 a 1MA NPN 1.5V @ 250ma, 750ma 10 @ 400ma, 5V -
BTA316-800E,127 WeEn Semiconductors BTA316-800E, 127 1.2300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTA316 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 16 a 1.5 v 140a, 150a 10 MA
BT134W-600,115 WeEn Semiconductors BT134W-600,115 0.5700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BT134 SC-73 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 15 MA 기준 600 v 1 a 1.5 v 10a, 11a 35 MA
WNSC5D06650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D06650T6J -
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 4-vSfn s 패드 WNSC5 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky 5-DFN (8x8) - 1740-WNSC5D06650T6JTR 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 6 a 0 ns 30 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 201pf @ 1v, 1MHz
BTA312X-800CT/L01Q WeEn Semiconductors BTA312X-800CT/L01Q 0.3966
RFQ
 ECAD 6864 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BTA312 TO-220F 다운로드 귀 99 8541.30.0080 600 하나의 35 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 12 a 1 v 100A, 110A 35 MA
TYN16X-600CTFQ WeEn Semiconductors TYN16X-600CTFQ 0.3136
RFQ
 ECAD 7808 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 Tyn16 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 40 MA 600 v 16 a 1.3 v 180a, 198a 15 MA 1.6 v 10.2 a 1 MA 표준 표준
MAC223A8X,127 WeEn Semiconductors MAC223A8X, 127 0.7806
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MAC223 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 30 MA 기준 600 v 20 a 1.5 v 190a, 230a 50 MA
WNSC2D151200W6Q WeEn Semiconductors WNSC2D151200W6Q 2.8554
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 WNSC2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 귀 99 8541.10.0080 600 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 150 µa @ 1200 v 175 ° C 15a 700pf @ 1v, 1MHz
BTA41-600BQ WeEn Semiconductors BTA41-600BQ 3.1400
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 BTA41 to-3p 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 934660058127 귀 99 8541.30.0080 450 하나의 80 MA 기준 600 v 40 a 1.3 v 400A, 440A 70 MA
ACTT10X-800CTNQ WeEn Semiconductors ACTT10X-800CTNQ 0.4370
RFQ
 ECAD 7898 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 ACTT10 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934070098127 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 30 MA 기준 800 v 10 a 1 v 90a, 99a 35 MA
BYV410-600PQ WeEn Semiconductors BYV410-600pq 0.4219
RFQ
 ECAD 9831 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 byv410 기준 TO-220E 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 20A 1.7 V @ 10 a 55 ns 10 µa @ 600 v 175 ° C
WND10M600XQ WeEn Semiconductors WND10M600XQ 0.3419
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 WND10 기준 TO-220F 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 600 v 980 MV @ 10 a 10 µa @ 600 v 150 ° C 10A -
BTA316-600E,127 WeEn Semiconductors BTA316-600E, 127 1.1600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTA316 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 16 a 1.5 v 140a, 150a 10 MA
BYV410-600,127 WeEn Semiconductors BYV410-600,127 1.6000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 byv410 기준 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 20A 2.1 V @ 10 a 35 ns 50 µa @ 600 v 150 ° C (°)
WB35SD160ALZ WeEn Semiconductors WB35SD160ALZ 0.6908
RFQ
 ECAD 7815 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 표면 표면 주사위 WB35 기준 웨이퍼 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1600 v 1.2 v @ 35 a 50 µa @ 1600 v 150 ° C 35a -
ACTT8B-800CTNJ WeEn Semiconductors ACTT8B-800CTNJ 0.4370
RFQ
 ECAD 9145 0.00000000 ween 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ACTT8 D2PAK 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 800 하나의 40 MA 기준 800 v 8 a 1 v 80a, 88a 35 MA
BTA316X-600C/L03Q WeEn Semiconductors BTA316X-600C/L03Q 0.4632
RFQ
 ECAD 2149 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BTA316 TO-220F 다운로드 1 (무제한) 934660005127 귀 99 8541.30.0080 600 하나의 35 MA 기준 600 v 16 a 1 v 140a, 150a 35 MA
PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors PHE13009/DG, 127 0.3166
RFQ
 ECAD 2624 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 Phe13 80 W. TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 400 v 12 a 100µA NPN 2V @ 1.6A, 8A 8 @ 5a, 5V -
WND45P16WQ WeEn Semiconductors WND45P16WQ 3.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 WND45 기준 TO-247-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 30 짐 1600 v 1.4 V @ 45 a 10 µa @ 1600 v 150 ° C 45A -
BYT28-300,127 WeEn Semiconductors BYT28-300,127 0.5280
RFQ
 ECAD 9594 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 BYT28 기준 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 10A 1.4 V @ 10 a 60 ns 10 µa @ 300 v 150 ° C (°)
BTA316-600ET/DGQ WeEn Semiconductors BTA316-600ET/DGQ 1.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTA316 TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 934067858127 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 15 MA 기준 600 v 16 a 1 v 140a, 150a 10 MA
BTA140-600-0Q WeEn Semiconductors BTA140-600-0Q 0.6469
RFQ
 ECAD 9285 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTA140 TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 934068927127 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 60 MA 기준 600 v 25 a 1 v 190a, 209a 70 MA
ACTT10-800CTNQ WeEn Semiconductors ACTT10-800CTNQ 0.4219
RFQ
 ECAD 9825 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 ACTT10 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934070097127 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 30 MA 기준 800 v 10 a 1 v 90a, 99a 35 MA
WB75FC120ALZ WeEn Semiconductors WB75FC120ALZ 1.8128
RFQ
 ECAD 6110 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 표면 표면 주사위 WB75 기준 웨이퍼 - 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.3 v @ 75 a 85 ns 250 µa @ 1200 v 175 ° C 75a -
BYC30W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC30W-1200pq 3.0400
RFQ
 ECAD 851 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 BYC30 기준 TO-247-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934072005127 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.3 v @ 30 a 65 ns 250 µa @ 1200 v 175 ° C (°) 30A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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