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불연속 불연속 제품 (4522)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CLL4680 BK	-	RFQ	5021	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-CLL4680BK	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 100 ma		4 µa @ 1 v						2.2 v
CBR1U-D020S TR13	-	RFQ	9592	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		4-SMDIP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000															1.05 V @ 1 a		5 µa @ 200 v		1 a		단일 단일	200 v
CBR1-D020S PBFREE	0.4094	RFQ	1383	Central Semiconductor Corp	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	CBR1-D020	기준		4-SMDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50															1.1 v @ 1 a		10 µa @ 200 v		1 a		단일 단일	200 v
CMHZ4714 BK	-	RFQ	6829	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CMHZ4714BK	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 100 ma		10 na @ 25 v						33 v
CMHZ4685 TR	-	RFQ	6842	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CMHZ4685TR	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 100 ma		7.5 µa @ 2 v						3.6 v
1N5370B BK	-	RFQ	1600	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	AX-5W	다운로드				1514-1n5370BBK	귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 1 a		500 NA @ 42.6 v						56 v	35 옴
CLL4104 BK	-	RFQ	4633	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-CLL4104BK	귀 99	8541.10.0050	1															1 v @ 200 ma		1 µa @ 7.6 v						10 v	200 옴
1N5377B tr	-	RFQ	3943	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	AX-5W	다운로드				1514-1n5377btr	귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 1 a		500 NA @ 69.2 v						91 v	75 옴
CMHZ5253B TR PBFREE	0.3600	RFQ	4	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CMHZ5253		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma		100 na @ 19 v						25 v	35 옴
CBR1F-100	-	RFQ	1714	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 원, 케이스		기준		사례	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	CBR1F-100 PBFREE	귀 99	8541.10.0080	250															1.3 v @ 1 a		10 µa @ 1000 v		1.5 a		단일 단일	1kv
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CMKZ5256B TR	-	RFQ	5947	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립														900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v						30 v	49 옴
CMHZ4679 BK	-	RFQ	1117	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CMHZ4679BK	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 100 ma		5 µa @ 1 v						2 v
CZ5337B BK	-	RFQ	8775	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			5 w	Do-201	다운로드		1 (무제한)		CZ5337BBK	귀 99	8541.10.0050	500															1.2 v @ 1 a		10 µa @ 1 v						4.7 v	2 옴
1N5418 TR	-	RFQ	7083	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-4, 축,		기준		GPR-4AM	다운로드				1514-1n5418tr	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												400 v	1.1 v @ 3 a	150 ns	1 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 200 ° C	3A	120pf @ 12v, 1MHz
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CMHZ4678 TR	-	RFQ	9949	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-cmhz4678tr	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 100 ma		7.5 µa @ 1 v						1.8 v
CLL4691 BK	-	RFQ	2165	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-CLL4691BK	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 100 ma		10 µa @ 5 v						6.2 v
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1N5618 BK	-	RFQ	6020	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	1N5618	기준		GPR-1A	-			영향을받지 영향을받지				1		짐												600 v	1.2 v @ 1 a	2 µs	500 NA @ 600 v	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	35pf @ 12v, 130khz
1N5339C tr	-	RFQ	2338	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	AX-5W	-				1514-1n5339ctr	귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 1 a		1 µa @ 2 v						5.6 v	1 옴
CMKZ5231B TR	-	RFQ	6873	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립														900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v						5.1 v	17 옴
CP802-CWDM3011P-WN	-	RFQ	1231	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	CP802	MOSFET (금속 (()		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1514-cp802-cwdm3011p-wn	귀 99	8541.29.0040	8,000			p 채널	30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	13mohm @ 1a, 10V	3V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	3100 pf @ 8 v	-	-
1N5565B tr	-	RFQ	1739	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	AX-5W	다운로드				1514-1n5565btr	귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 1 a
CEN1151 TR13	-	RFQ	4106	Central Semiconductor Corp	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									-	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CEN1151TR13TR	쓸모없는		1,000
CLL4685 TR	-	RFQ	8519	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-Cll4685tr	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 100 ma		7.5 µa @ 2 v						3.6 v
CLL4705 TR 주석/리드	0.4900	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	CLL4705		500MW	SOD-80	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	2,500															1.5 v @ 100 ma		50 NA @ 13.6 v						18 v
CBR1A-080 주석/리드	2.2000	RFQ	250	Central Semiconductor Corp	CBR1A	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 원, 케이스		기준		사례	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	250															1 V @ 1 a		10 µa @ 800 v		1.5 a		단일 단일	800 v
CPR1F-040 BK	-	RFQ	8567	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로					cpr1f				-			영향을받지 영향을받지				1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²