SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
AK 09WK Sanken AK 09WK -
RFQ
ECAD 5876 0.00000000 산켄 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 AK 09 Schottky - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 810 mV @ 700 mA 1 ma @ 90 v -40 ° C ~ 150 ° C 700ma -
FMM-26S Sanken FMM-26S 1.5000
RFQ
ECAD 833 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FMM-26S DK 귀 99 8541.10.0080 500 1 음극 음극 공통 600 v 10A 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C
EKI10198 Sanken EKI10198 -
RFQ
ECAD 6809 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) EKI10198 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 47A (TC) 4.5V, 10V 17.8mohm @ 23.4a, 10V 2.5V @ 1mA 55.8 nc @ 10 v ± 20V 3990 pf @ 25 v - 116W (TC)
DKG1020 Sanken DKG1020 1.1958
RFQ
ECAD 5070 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DKG10 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 rohs 준수 1261-dkg1020tr 귀 99 8541.29.0095 2,800 n 채널 100 v 20A (TA) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 42a, 10V 2.5V @ 1mA 47 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 10 v - 40W (TC)
RG 10A Sanken RG 10A -
RFQ
ECAD 6766 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 v @ 1 a 100 ns 500 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
EK 06 Sanken EK 06 -
RFQ
ECAD 1479 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Schottky - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 620 MV @ 700 MA 1 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 700ma -
TMG3C80F5 Sanken TMG3C80F5 -
RFQ
ECAD 6886 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 - rohs 준수 1 (무제한) 1261-TMG3C80F5 귀 99 8541.30.0080 1
RG 1CV1 Sanken RG 1CV1 -
RFQ
ECAD 2545 0.00000000 산켄 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 구멍을 구멍을 기준 - 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 3.3 v @ 700 ma 100 ns 20 µa @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 700ma -
RH 1BV Sanken RH 1BV -
RFQ
ECAD 3587 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 RH 1 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.3 V @ 600 MA 4 µs 5 µa @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C 600ma -
EM1Z Sanken em1z -
RFQ
ECAD 9980 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 EM1 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 200 v 970 MV @ 1 a 10 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
SJPA-D3V Sanken SJPA-D3V -
RFQ
ECAD 3580 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD, J-LEAD SJPA-D3 Schottky SJP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SJPA-D3V DK 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 360 MV @ 1 a 1.5 ma @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C 1A -
FMET-22015 Sanken FMET-22015 -
RFQ
ECAD 2507 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FMET-22 Schottky TO-220F 다운로드 rohs 준수 1261-FMET-22015 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 980 MV @ 10 a 100 µa @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C
DKI10526 Sanken DKI10526 -
RFQ
ECAD 1481 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 19A (TA) 4.5V, 10V 47.7mohm @ 9.3a, 10v 2.5V @ 350µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1530 pf @ 25 v - 37W (TC)
RM 1CV1 Sanken RM 1CV1 -
RFQ
ECAD 6382 0.00000000 산켄 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 rm 1 기준 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 1000 v 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C 800ma -
SJPJ-L3VR Sanken sjpj-l3vr -
RFQ
ECAD 3729 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD, J-LEAD sjpj-l3 Schottky SJP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) sjpj-l3vr dk 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 3 a 300 µa @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
SJPB-D6V Sanken SJPB-D6V -
RFQ
ECAD 4394 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD, J-LEAD SJPB-D6 Schottky SJP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SJPB-D6V DK 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 680 mV @ 1 a 100 µa @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
AP01CV Sanken AP01CV -
RFQ
ECAD 1912 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 AP01 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) AP01CV DK 귀 99 8541.10.0070 1,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1000 v 4 v @ 200 ma 200 ns 100 @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 200ma -
SKI04033 Sanken Ski04033 1.3500
RFQ
ECAD 38 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 58.5a, 10V 2.5V @ 1mA 63.2 NC @ 10 v ± 20V 3910 pf @ 25 v - 116W (TC)
EKI04027 Sanken EKI04027 -
RFQ
ECAD 8634 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) EKI04027 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 85A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 82.5a, 10V 2.5V @ 1.5MA 93.7 NC @ 10 v ± 20V 6200 pf @ 25 v - 135W (TC)
EKI10126 Sanken EKI10126 -
RFQ
ECAD 4561 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) EKI10126 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 66A (TC) 4.5V, 10V 11.6MOHM @ 33A, 10V 2.5V @ 1.5MA 88.8 NC @ 10 v ± 20V 6420 pf @ 25 v - 135W (TC)
FKI10126 Sanken FKI10126 -
RFQ
ECAD 9174 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FKI10126 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 41A (TC) 4.5V, 10V 11.6MOHM @ 33A, 10V 2.5V @ 1.5MA 88.8 NC @ 10 v ± 20V 6420 pf @ 25 v - 42W (TC)
EL 1V1 Sanken EL 1V1 0.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 산켄 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 구멍을 구멍을 기준 - 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 1.5 a 50 ns 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
RU 3AMV1 Sanken RU 3AMV1 0.6800
RFQ
ECAD 409 0.00000000 산켄 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 구멍을 구멍을 기준 - 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.1 v @ 1.5 a 400 ns 10 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
EG01W Sanken EG01W -
RFQ
ECAD 4502 0.00000000 산켄 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 EG01 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) EG01W DK 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 2 v @ 700 ma 100 ns 50 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 700ma -
EK 04V Sanken EK 04V -
RFQ
ECAD 6882 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Schottky - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 5 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
RU 3CV Sanken RU 3CV -
RFQ
ECAD 6210 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Ru 3 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 2 V @ 1.5 a 400 ns 10 µa @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
FML-24S Sanken FML-24S -
RFQ
ECAD 8799 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 TO-220F-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FML-24S DK 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 10A 1.3 V @ 5 a 50 ns 100 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C
RO 2 Sanken Ro 2 -
RFQ
ECAD 9073 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 400 v 920 MV @ 1.5 a 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
FMW-2106 Sanken FMW-2106 0.8200
RFQ
ECAD 204 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Schottky TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FMW-2106 DK 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 700 mv @ 5 a 3 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
EM 1V0 Sanken EM 1V0 -
RFQ
ECAD 5349 0.00000000 산켄 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 em 1 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 400 v 970 MV @ 1 a 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고