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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FKI07174 Sanken FKI07174 -
RFQ
ECAD 4513 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FKI07174 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 31A (TC) 4.5V, 10V 13.6MOHM @ 22.8A, 10V 2.5V @ 650µA 36.2 NC @ 10 v ± 20V 2520 pf @ 25 v - 38W (TC)
KGF65A6H Sanken KGF65A6H -
RFQ
ECAD 9018 0.00000000 산켄 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 KGF65 기준 405 w TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1261-KGF65A6H 귀 99 8541.29.0095 1,440 400V, 60A, 10ohm, 15V 50 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 100 a 2.37V @ 15V, 60A 1.4mj (on), 1.3mj (OFF) 110 NC 50ns/130ns
EKI10126 Sanken EKI10126 -
RFQ
ECAD 4561 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) EKI10126 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 66A (TC) 4.5V, 10V 11.6MOHM @ 33A, 10V 2.5V @ 1.5MA 88.8 NC @ 10 v ± 20V 6420 pf @ 25 v - 135W (TC)
FMM-26S Sanken FMM-26S 1.5000
RFQ
ECAD 833 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FMM-26S DK 귀 99 8541.10.0080 500 1 음극 음극 공통 600 v 10A 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C
FMN-G12S Sanken FMN-G12S 0.6400
RFQ
ECAD 356 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 기준 TO-220F-2L 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FMN-G12S DK 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 5 a 100 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 5a -
SZ-E10ET415 Sanken SZ-E10ET415 2.8725
RFQ
ECAD 4225 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 표면 표면 do-218ab SZ-E10 Schottky do-218ab 다운로드 rohs 준수 1261-SZ-E10ET415 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.1 v @ 45 a 30 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 45A -
EKI06075 Sanken EKI06075 -
RFQ
ECAD 7084 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) EKI06075 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 78A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 39a, 10V 2.5V @ 1mA 53.6 NC @ 10 v ± 20V 3810 pf @ 25 v - 116W (TC)
SJPM-H4 Sanken SJPM-H4 -
RFQ
ECAD 5669 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD, J-LEAD 기준 SJP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SJPM-H4 DK 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 2A -
EL02ZW Sanken EL02ZW -
RFQ
ECAD 3667 0.00000000 산켄 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 EL02Z 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) EL02ZW DK 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 980 MV @ 1.5 a 40 ns 50 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
AG01V Sanken Ag01V -
RFQ
ECAD 2120 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Ag01 기준 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) Ag01V DK 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.8 V @ 700 MA 100 ns 100 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 700ma -
SKI04033 Sanken Ski04033 1.3500
RFQ
ECAD 38 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 58.5a, 10V 2.5V @ 1mA 63.2 NC @ 10 v ± 20V 3910 pf @ 25 v - 116W (TC)
EN 01ZW Sanken en 01ZW -
RFQ
ECAD 6600 0.00000000 산켄 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 en 01 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 1.5 a 100 ns 10 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
FMC-26UA Sanken FMC-26UA -
RFQ
ECAD 9665 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 기준 TO-220F-2L 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FMC-26UA DK 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 4 V @ 3 a 70 ns 500 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
RO 2V Sanken RO 2V -
RFQ
ECAD 6915 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Ro 2 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 920 MV @ 1.5 a 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
AP01C Sanken AP01C -
RFQ
ECAD 3740 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 AP01 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) AP01C DK 귀 99 8541.10.0070 1,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1000 v 4 v @ 200 ma 200 ns 100 @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 200ma -
FMW-2106 Sanken FMW-2106 0.8200
RFQ
ECAD 204 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Schottky TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FMW-2106 DK 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 700 mv @ 5 a 3 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
EKI07174 Sanken EKI07174 -
RFQ
ECAD 3893 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) EKI07174 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 46A (TC) 4.5V, 10V 13.6MOHM @ 22.8A, 10V 2.5V @ 650µA 36.2 NC @ 10 v ± 20V 2520 pf @ 25 v - 90W (TC)
SJPB-H4VR Sanken SJPB-H4VR 0.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD, J-LEAD SJPB-H4 Schottky SJP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 2 a 200 µa @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 2A -
SJPX-H6VR Sanken SJPX-H6VR 0.7300
RFQ
ECAD 2747 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD, J-LEAD SJPX-H6 기준 SJP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.5 v @ 2 a 30 ns 10 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 2A -
TMA36S-L Sanken TMA36S-L 1.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TMA36S TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TMA36S-L DK 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 기준 600 v 3 a 1.5 v 30A, 32A 20 MA
RU 4 Sanken Ru 4 -
RFQ
ECAD 6257 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.5 V @ 3 a 400 ns 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
RO 2 Sanken Ro 2 -
RFQ
ECAD 9073 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 400 v 920 MV @ 1.5 a 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
RM 1ZV1 Sanken RM 1ZV1 -
RFQ
ECAD 9460 0.00000000 산켄 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 rm 1 기준 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 200 v 950 MV @ 1 a 5 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
2SC6145A Sanken 2SC6145A 4.7400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 160 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SC6145A DK 귀 99 8541.29.0075 500 260 v 15 a 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 500ma, 5a 40 @ 5a, 4v 60MHz
RM 1CV Sanken RM 1CV -
RFQ
ECAD 1189 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 rm 1 기준 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C 800ma -
SMA4020 Sanken SMA4020 -
RFQ
ECAD 2918 0.00000000 산켄 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 12-sip SMA40 4W, 20W 12-sip 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SMA4020 DK 귀 99 8541.29.0095 180 60V 4a 10µA (ICBO) 4 PNP 달링턴 (쿼드) 1.5V @ 6MA, 3A 2000 @ 3a, 4v -
SJPL-L4 Sanken SJPL-L4 -
RFQ
ECAD 6819 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD, J-LEAD 기준 SJP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SJPL-L4 DK 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 50 ns 50 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
SJPJ-D3V Sanken sjpj-d3v -
RFQ
ECAD 8368 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD, J-LEAD sjpj-d3 Schottky SJP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) sjpj-d3v dk 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 1 a 100 µa @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
AK 09WK Sanken AK 09WK -
RFQ
ECAD 5876 0.00000000 산켄 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 AK 09 Schottky - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 810 mV @ 700 mA 1 ma @ 90 v -40 ° C ~ 150 ° C 700ma -
2SB1588 Sanken 2SB1588 -
RFQ
ECAD 7770 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 80 W. to-3pf 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SB1588 DK 귀 99 8541.29.0075 1,000 150 v 10 a 100µA (ICBO) pnp- 달링턴 2.5v @ 7ma, 7a 5000 @ 7a, 4v 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고