SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
AO3409A UMW AO3409A 0.4300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 p 채널 30 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 130mohm @ 2.6a, 10V 3V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 20V 370 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
SI2303 UMW SI2303 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.7A (TA) 4.5V, 10V 190mohm @ 1.7a, 10V 3V @ 250µA 4 NC @ 4.5 v ± 20V 155 pf @ 15 v - 900MW (TA)
1N65G UMW 1N65G 0.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 2,500 n 채널 650 v 1A (TJ) 10V 11ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 4.8 NC @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - -
APM4953 UMW APM4953 0.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) APM49 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 30V 5.3A (TA) 41mohm @ 5.3a, 10V 2.5V @ 250µA 12NC @ 10V 504pf @ 15V 기준
ULN2803A UMW ULN2803A 1.1000
RFQ
ECAD 18 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) ULN2803 - 18-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 2,000 - 500ma 20µA 8 npn 달링턴 1.6V @ 500µa, 350ma - -
AO3416A UMW AO3416A 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 6.5a, 4.5v 1.1V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 1650 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
SI2318A UMW SI2318A 0.3600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 4.3A (TA), 5.6A (TC) 4.5V, 10V 42MOHM @ 4.3A, 10V 2.5V @ 250µA 9 NC @ 20 v ± 20V 340 pf @ 20 v - 1.25W (TA), 2.1W (TC)
AO4480 UMW AO4480 0.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 2,500 n 채널 40 v 14A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 14A, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1920 pf @ 20 v - 3.1W (TA)
SI2310A UMW SI2310A 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3A (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 20V 780 pf @ 25 v - 1.38W (TA)
AO4459 UMW AO4459 0.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 42MOHM @ 6.5A, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 520 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
AO3415A UMW AO3415A 0.4300
RFQ
ECAD 7358 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 2.5V, 4.5V 36mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 17.2 nc @ 4.5 v ± 8V 1450 pf @ 10 v - 350MW (TA)
AO3403A UMW AO3403A 0.5000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 p 채널 30 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 2.6a, 10V 1.4V @ 250µA 7.2 NC @ 10 v ± 12V 315 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
FDN338P UMW FDN338P 0.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.8A (TA) 2.5V, 4.5V 112mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 405 pf @ 10 v - 400MW (TA)
SI2312A UMW SI2312A 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 5A (TA) 1.8V, 4.5V 26mohm @ 5a, 4.5v 850MV @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V - 750MW (TA)
1N60G UMW 1N60G 0.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 2,500 n 채널 600 v 1A (TJ) 10V 11ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 4.8 NC @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - -
SI2300A UMW SI2300A 0.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TA) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 50µA 10 nc @ 4.5 v ± 12V 574 pf @ 10 v - -
NDC7002N UMW NDC7002N 0.4100
RFQ
ECAD 8309 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 NDC7002 - 700MW (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 510MA (TA) 2ohm @ 510ma, 10V 2.5V @ 250µA 1NC @ 10V 20pf @ 25V 기준
AO4410 UMW AO4410 0.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 18a, 10V 1.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 12V 10500 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
BSS84 UMW BSS84 0.3700
RFQ
ECAD 7533 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA ± 20V 45 pf @ 25 v - 300MW (TA)
AO4486 UMW AO4486 0.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 n 채널 100 v 4.2A (TA) 4.5V, 10V 79mohm @ 5a, 10V 2.7V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 942 pf @ 50 v - 3.1W (TA)
AO4466 UMW AO4466 0.5600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 8.6 NC @ 10 v ± 20V 448 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
100N03A UMW 100N03A 0.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1963 pf @ 15 v - 105W (TC)
STD20NF06L UMW STD20NF06L 0.9100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1562 pf @ 25 v - 55W (TC)
SI2305A UMW SI2305A 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 p 채널 20 v 4.2A (TA) 2.5V, 4.5V 4.2A, 4.5V 40mohm 500MV @ 250µA 10.6 NC @ 4.5 v ± 12V 740 pf @ 15 v - 1.38W (TA)
FDN335N UMW FDN335N 0.5200
RFQ
ECAD 420 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 1.7A (TA) 2.5V, 4.5V 70mohm @ 1.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 3.5 NC @ 4.5 v ± 8V 310 pf @ 10 v - 1W (TA)
STD15NF10L UMW STD15NF10L 1.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 5A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 75mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 26.2 NC @ 10 v ± 20V 1535 pf @ 15 v - 2W (TA), 34.7W (TC)
30N03A UMW 30N03A 0.5600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1963 pf @ 15 v - 105W (TC)
2N7002 UMW 2N7002 0.2400
RFQ
ECAD 3128 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 20V 50 pf @ 25 v - 225MW (TA)
AO3414A UMW AO3414A 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 n 채널 20 v 4.2A (TA) 1.8V, 4.5V 26mohm @ 4.2a, 4.5v 1V @ 250µA 6.2 NC @ 4.5 v ± 8V 436 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
2N65L UMW 2N65L 0.7400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 650 v 2A (TJ) 10V 5.5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 30V 311 pf @ 25 v - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고