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불연속 불연속 제품 (2357)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
AOTF8T50P	-	RFQ	8162	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF8		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널					500 v	8A (TC)	10V	810mohm @ 4a, 10V	5V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 30V	905 pf @ 100 v	-	38W (TC)
AOL1454	0.4322	RFQ	7829	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	3-powersmd, 평평한 리드		AOL14		MOSFET (금속 (()		초음파 8 ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					40 v	12A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	9MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1920 pf @ 20 v	-	2.1W (TA), 60W (TC)
AoT16N50	1.0079	RFQ	9369	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT16		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널					500 v	16A (TC)	10V	370mohm @ 8a, 10V	4.5V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 30V	2297 pf @ 25 v	-	278W (TC)
AONR62921	0.6733	RFQ	4871	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인					AONR629					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000
AOY526	-	RFQ	2163	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK		AOY52		MOSFET (금속 (()		TO-251B	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	70		n 채널					30 v	18A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 20A, 10V	2.4V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1550 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AO5803E	-	RFQ	5544	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666		AO580		MOSFET (금속 (()	400MW	SC-89-6	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)						20V	-		800mohm @ 600ma, 4.5v	900MV @ 250µA	-		100pf @ 10V	논리 논리 게이트
AOT5B65M1	1.5800	RFQ	738	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT5	기준		83 w	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1765	귀 99	8541.29.0095	1,000			400V, 5A, 60ohm, 15V														195 ns	-	650 v	10 a	15 a	1.98V @ 15V, 5A	80µJ (on), 70µJ (OFF)	14 NC	8.5ns/106ns
AOT10B65M1	1.9900	RFQ	18	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT10	기준		150 W.	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1761	귀 99	8541.29.0095	1,000			400V, 10A, 30ohm, 15V														262 ns	-	650 v	20 a	30 a	2V @ 15V, 10A	180µJ (on), 130µJ (OFF)	24 NC	12ns/91ns
AON6786_001	-	RFQ	7602	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SRFET ™	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon67		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널					30 v	24A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 20a, 10V	2V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 12V	6780 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	2.5W (TA), 83W (TC)
AON3825_001	-	RFQ	5325	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-	-	-		AON3825		-		-	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		-						-	-	-	-		-		-	-
AOSP36326C	0.4600	RFQ	87	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AOSP363		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					30 v	12A (TA)	4.5V, 10V	11mohm @ 12a, 10V	2.3V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 20V	542 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
AON6734	-	RFQ	2667	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon67		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					30 v	37A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	2.8mohm @ 20a, 10V	2V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 12V	1900 pf @ 15 v	-	6.2W (TA), 32.2W (TC)
AOB292L	1.9487	RFQ	8164	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB292		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널					100 v	14.5A (TA), 105A (TC)	6V, 10V	4.1MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	126 NC @ 10 v	± 20V	6775 pf @ 50 v	-	2.1W (TA), 300W (TC)
AONR21307	0.7100	RFQ	255	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AONR213		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		p 채널					30 v	24A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 17a, 10V	2.3V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 25V	1995 pf @ 15 v	-	5W (TA), 28W (TC)
AON3818	0.1888	RFQ	5628	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드		AON381		MOSFET (금속 (()	2.7W	8-DFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수						24V	8a		13.5mohm @ 8a, 4.5v	1.2V @ 250µA	15NC @ 4.5V		840pf @ 12v	논리 논리 게이트
AOTF7N70	0.6017	RFQ	2143	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF7		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널					700 v	7A (TC)	10V	1.8ohm @ 3.5a, 10V	4.5V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 30V	1175 pf @ 25 v	-	38.5W (TC)
AOTF7N60	0.5560	RFQ	9461	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF7		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널					600 v	7A (TC)	10V	1.2ohm @ 3.5a, 10V	4.5V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 30V	1035 pf @ 25 v	-	38.5W (TC)
AO6403	0.1921	RFQ	8097	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AO640		MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널					30 v	6A (TA)	4.5V, 10V	35mohm @ 6a, 10V	2.4V @ 250µA	18.5 nc @ 10 v	± 20V	920 pf @ 15 v	-	2W (TA)
AO4430	0.9700	RFQ	8	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					30 v	18A (TA)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 18a, 10V	2.5V @ 250µA	124 NC @ 10 v	± 20V	7270 pf @ 15 v	-	3W (TA)
AOTF14N50L	-	RFQ	4661	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF14		MOSFET (금속 (()		TO-220F	-			영향을받지 영향을받지	785-AoTF14N50L			1		n 채널					500 v	14A (TJ)	10V	380mohm @ 7a, 10V	4.5V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 30V	2297 pf @ 25 v	-	50W
AO7801	-	RFQ	2466	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		AO780		MOSFET (금속 (()	300MW	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)						20V	-		520mohm @ 600ma, 4.5v	900MV @ 250µA	1.8NC @ 4.5V		140pf @ 10V	논리 논리 게이트
AOB4184	0.4820	RFQ	1100	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB41		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널					40 v	12A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	10MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	1800 pf @ 20 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AON7528	0.9000	RFQ	196 년	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		Aon75		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					30 v	45A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	2MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	2895 pf @ 15 v	-	6.2W (TA), 83W (TC)
AOB30B65LN2V	1.2167	RFQ	5884	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphaigbt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB30	기준		227 w	TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AOB30B65LN2VTR	귀 99	8541.29.0095	800			400V, 30A, 10ohm, 15V														312 ns	-	650 v	60 a	90 a	2.35V @ 15V, 30A	880µJ (on), 350µJ (OFF)	52 NC	23ns/109ns
AOD600A70	1.3500	RFQ	3	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD600		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널					700 v	8.5A (TC)	10V	600mohm @ 2.5a, 10V	3.5V @ 250µA	15.5 nc @ 10 v	± 20V	870 pf @ 100 v	-	104W (TC)
AIM703S60C1	2.9936	RFQ	4817	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	32-Soic (0.295 ", 7.50mm 너비), 19 개의 리드	MOSFET	AIM703					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AIM703S60C1TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	3 상 인버터			1.8 a	600 v	1500VRMS
AON3814L	-	RFQ	2369	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드		AON381		MOSFET (금속 (()	2.5W	8-DFN (3x3)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수						20V	6A (TC)		17mohm @ 6a, 4.5v	1.1V @ 250µA	13NC @ 4.5V		1100pf @ 10V	-
AIP5D10K060Q4	7.0512	RFQ	4436	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	23-powerdip ip (0.748 ", 19.00mm)	IGBT	AIP5					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AIP5D10K060Q4	귀 99	8542.39.0001	90	3 상 인버터			10 a	600 v	2000VRMS
AOD4T60p	-	RFQ	5483	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD4		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널					600 v	4A (TC)	10V	2.1ohm @ 2a, 10V	5V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 30V	522 pf @ 100 v	-	83W (TC)
AOTF12T60PL	-	RFQ	5231	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF12		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1692-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널					600 v	12A (TC)	10V	520mohm @ 6a, 10V	5V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 30V	2028 pf @ 100 v	-	35W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²