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![]() | AO4772 | - | ![]() | 9268 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO47 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6A (TA) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 6a, 10V | 2.4V @ 250µA | 6.3 NC @ 10 v | ± 20V | 310 pf @ 15 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA) | |||||||||
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![]() | AO4813_002 | - | ![]() | 8296 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO481 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 7.1A (TA) | 25mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 19NC @ 10V | 1250pf @ 15V | - | |||||||||||
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![]() | AOT10T60PL | - | ![]() | 6642 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT10 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 700mohm @ 5a, 10V | 5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1595 pf @ 100 v | - | 208W (TC) | ||||||||
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![]() | AON6884 | 0.5410 | ![]() | 5667 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON688 | MOSFET (금속 (() | 1.6W | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 9a | 11.3MOHM @ 10A, 10V | 2.7V @ 250µA | 33NC @ 10V | 1950pf @ 20V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||
![]() | AOCA72104E | 0.3699 | ![]() | 3299 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-smd,, 없음 | AOCA72104 | MOSFET (금속 (() | 3.1W (TA) | 10- 알파드프 (alphadfn) (2.98x1.49) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-aoca72104etr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 12V | 30A (TA) | 2.6mohm @ 5a, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 45NC @ 4.5V | - | 기준 | ||||||||||
![]() | AON7418_002 | - | ![]() | 9689 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | AON741 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 46A (TA), 50A (TC) | 1.7mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | 2994 pf @ 15 v | - | |||||||||||
![]() | AOT416L_001 | - | ![]() | 1922 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT41 | TO-220 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 50 | - | |||||||||||||||||||||
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![]() | AO3406L_107 | - | ![]() | 1197 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-SMD, SOT-23-3 변형 | AO34 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 3.6A (TA) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 3.6a, 10V | 3V @ 250µA | 8.5 NC @ 10 v | ± 20V | 375 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | |||||||||
![]() | AOTF13N50_002 | - | ![]() | 2001 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF13 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | - | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOTF13N50_002 | 1 | n 채널 | 500 v | 13A (TC) | 10V | 510mohm @ 6.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 v | ± 30V | 1633 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||
![]() | AOD2610E | 0.3471 | ![]() | 8255 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD26 | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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전 세계 제조업체
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