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불연속 불연속 제품 (2357)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재의	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
AOTF25S65	2.0360	RFQ	7494	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF25	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			650 v	25A (TC)	10V	190mohm @ 12.5a, 10V	4V @ 250µA	26.4 NC @ 10 v	± 30V	1278 pf @ 100 v	-	50W (TC)
AO3403L_102	-	RFQ	5925	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널			30 v	2.6A (TA)	2.5V, 10V	130mohm @ 2.6a, 10V	1.4V @ 250µA	5.3 NC @ 4.5 v	± 12V	500 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AON7520	-	RFQ	5932	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn		Aon75	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3.3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			30 v	48A (TA), 50A (TC)	2.5V, 10V	1.8mohm @ 20a, 10V	1.2V @ 250µA	105 NC @ 10 v	± 12V	4175 pf @ 15 v	-	6.2W (TA), 83.3W (TC)
AOI444	0.2619	RFQ	5197	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK		AOI44	MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,500		n 채널			60 v	4A (TA), 12A (TC)	4.5V, 10V	60mohm @ 12a, 10V	3V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 20V	540 pf @ 30 v	-	2.1W (TA), 20W (TC)
AON7460	0.3505	RFQ	4162	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AON746	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널			300 v	1.2A (TA), 4A (TC)	10V	830mohm @ 1.2a, 10V	4.5V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 30V	380 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 33W (TC)
AOTF16N50	1.0079	RFQ	3204	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF16	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			500 v	16A (TC)	10V	370mohm @ 8a, 10V	4.5V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 30V	2297 pf @ 25 v	-	50W (TC)
AON6992	1.1800	RFQ	5	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn		AON699	MOSFET (금속 (()	3.1W	8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널) 비대칭				30V	19a, 31a		5.2MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	13NC @ 10V		820pf @ 15V	논리 논리 게이트
AON6426	-	RFQ	4960	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON642	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			30 v	14A (TA), 65A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 20V	2300 pf @ 15 v	-	2W (TA), 42W (TC)
AOC3860A	0.4259	RFQ	7901	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-SMD,, 없음		AOC386	MOSFET (금속 (()	2.5W (TA)	6- 알파드프 (alphadfn) (3.05x1.77)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	8,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수				12V	25A (TA)		3.5mohm @ 5a, 4.5v	1V @ 250µA	44NC @ 4.5V		-	-
AON6590A	2.7300	RFQ	7167	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON659	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			40 v	67A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	0.99mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V	8320 pf @ 20 v	-	7.3W (TA), 208W (TC)
AOB66916L	3.8100	RFQ	2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB66916	MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널			100 v	35.5A (TA), 120A (TC)	6V, 10V	3.6MOHM @ 20A, 10V	3.5V @ 250µA	78 NC @ 10 v	± 20V	6180 pf @ 50 v	-	8.3W (TA), 277W (TC)
AO4578	-	RFQ	2385	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO45	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			30 v	20A (TA)	4.5V, 10V	5.7mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	1128 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AONS62614T	2.4000	RFQ	6593	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AONS626	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			60 v	39A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	2.5mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	90 NC @ 10 v	± 20V	3660 pf @ 30 v	-	7.5W (TA), 142W (TC)
AO5401E	-	RFQ	5278	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-89, SOT-490		AO5401	MOSFET (금속 (()		SC-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널			20 v	500MA (TA)	1.8V, 4.5V	800mohm @ 500ma, 4.5v	900MV @ 250µA		± 8V	100 pf @ 10 v	-	280MW (TA)
AON7400AL_103	-	RFQ	9350	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드		AON740	MOSFET (금속 (()		8-DFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널			30 v	15A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	1380 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 25W (TC)
AON2800	-	RFQ	3601	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드		AON280	MOSFET (금속 (()	1.5W	6-DFN (2x2)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수				20V	4.5A		47mohm @ 4a, 4.5v	1.2V @ 250µA	6NC @ 4.5V		435pf @ 10V	논리 논리 게이트
AO4447AL_201	-	RFQ	9778	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널			30 v	17A (TA)	4V, 10V	7mohm @ 17a, 10V	1.6V @ 250µA	105 NC @ 10 v	± 20V	5500 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOD4144_002	-	RFQ	2455	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD41	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			30 v	13A (TA), 55A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 20V	1430 pf @ 15 v	-	2.3W (TA), 50W (TC)
AO4807_101	-	RFQ	7786	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO480	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 p 채널 (채널)				30V	6A		35mohm @ 6a, 10V	2.4V @ 250µA	16NC @ 10V		760pf @ 15V	논리 논리 게이트
AOTS26108	0.1820	RFQ	4627	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AOTS261	MOSFET (금속 (()	1.25W (TA)	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aots26108tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	n 보완 p 채널 및				30V, 20V	3.8A (TA), 4.5A (TA)		50mohm @ 3.8a, 10v, 44mohm @ 4.5a, 4.5v	1.5V @ 250µA, 950MV @ 250µA	16nc @ 10v, 17nc @ 4.5v		340pf @ 15V, 930pf @ 10V	기준
AOZ5118QI	2.6200	RFQ	2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	31-powervfqfn 모듈	MOSFET	AOZ5118				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1 단계		65 a	-
AO4405	-	RFQ	2775	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널			30 v	6A (TA)		50mohm @ 6a, 10V	2.4V @ 250µA	11 NC @ 10 v		520 pf @ 15 v	-
AO3419	0.4100	RFQ	459	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널			20 v	3.5A (TA)	1.8V, 10V	85mohm @ 3.5a, 10V	1.4V @ 250µA	4.4 NC @ 4.5 v	± 12V	400 pf @ 10 v	-	1.4W (TA)
AOT1100L	-	RFQ	9263	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT11	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1408-5	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			100 v	8A (TA), 130A (TC)	10V	12MOHM @ 20A, 10V	3.8V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V	4833 pf @ 25 v	-	2.1W (TA), 500W (TC)
AON7408L	-	RFQ	2259	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AON740	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널			30 v	7.5A (TA), 20A (TA)	4.5V, 10V	22mohm @ 9a, 10V	3V @ 250µA	8 NC @ 4.5 v	± 20V	820 pf @ 15 v	-	1.7W (TA), 20W (TC)
AOD456	-	RFQ	1390	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD45	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			25 v	50A (TC)	4.5V, 10V	6MOHM @ 30A, 10V	3V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	2220 pf @ 12.5 v	-	3W (TA), 50W (TC)
AOWF11A60	-	RFQ	6941	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	테이프 & tr (TR)	활동적인					AOWF11				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000
AON6278	2.6800	RFQ	66	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon62	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			80 v	34A (TA), 85A (TC)	6V, 10V	3.3mohm @ 20a, 10V	3.3V @ 250µA	86 NC @ 10 v	± 20V	4646 pf @ 40 v	-	7.4W (TA), 208W (TC)
AOD2816	0.3881	RFQ	6743	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD281	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			80 v	8.5A (TA), 35A (TC)	6V, 10V	15mohm @ 20a, 10V	3.5V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1109 pf @ 40 v	-	2.5W (TA), 53.5W (TC)
AO3454	-	RFQ	6476	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO3454TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			30 v	5.8A (TA)	4.5V, 10V	25mohm @ 5.8a, 10V	2.6V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	373 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²