- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
불연속 불연속 제품 (2357)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재의 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AOI2NL60 | - |  | 5407 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | AOI2 | - | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOI2NL60 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | AON7408 | 0.1172 | | 8476 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | AON740 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 10A (TA), 18A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 10a, 10V | 2.6V @ 250µA | 8.6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 448 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA), 11W (TC) | |||||||
 | AOW20S60 | 1.7111 | | 3533 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | AOW20 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 199MOHM @ 10A, 10V | 4.1V @ 250µA | 19.8 nc @ 10 v | ± 30V | 1038 pf @ 100 v | - | 266W (TC) | |||||||
| AON7514 | - | | 8936 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | Aon75 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 5MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 22.5 nc @ 10 v | ± 20V | 951 pf @ 15 v | - | 3W (TA), 23W (TC) | ||||||||
 | AOTF22N50L | 1.2880 | | 1058 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF22 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 22A (TC) | 10V | 260mohm @ 11a, 10V | 4.5V @ 250µA | 83 NC @ 10 v | ± 30V | 3710 pf @ 25 v | - | 39W (TC) | |||||||
 | AOD421 | - | | 7900 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD42 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 12.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 75mohm @ 12.5a, 10V | 1.4V @ 250µA | 4.6 NC @ 4.5 v | ± 12V | 620 pf @ 10 v | - | 2W (TA), 18.8W (TC) | ||||||||
 | AON6484 | 0.3969 | | 5736 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON648 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 3.3A (TA), 12A (TC) | 4.5V, 10V | 79mohm @ 7.5a, 10V | 2.7V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 942 pf @ 50 v | - | 2W (TA), 25W (TC) | |||||||
 | AO5404E_001 | - | | 4330 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | AO5404 | MOSFET (금속 (() | SC-89-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 500MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 550mohm @ 500ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 1 NC @ 4.5 v | ± 8V | 45 pf @ 10 v | - | 280MW (TA) | ||||||||
 | AO4498E | - | | 2635 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 18A (TA) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 18a, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 2760 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||
 | AOB66616L | 2.4200 | | 8430 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB66616 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 38.5A (TA), 140A (TC) | 6V, 10V | 3.2MOHM @ 20A, 10V | 3.4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 2870 pf @ 30 v | - | 8.3W (TA), 125W (TC) | |||||||
| AO4850L | - | | 7413 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO485 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 75V | 2.3a | 130mohm @ 3.1a, 10V | 3V @ 250µA | 7NC @ 10V | 380pf @ 30V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||
 | AO7412 | - | | 7193 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | AO741 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 1.7A (TA) | 2.5V, 10V | 90mohm @ 2.1a, 10V | 1.8V @ 250µA | 3.6 NC @ 4.5 v | ± 12V | 270 pf @ 15 v | - | 350MW (TA) | |||||||
 | AON7400AL_102 | - | | 5075 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | AON740 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 1380 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA), 25W (TC) | ||||||||
 | AOZ5507QI_2 | 1.8100 | | 4 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 22-powervfqfn 모듈 | MOSFET | AOZ5507 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 1 단계 | 30 a | - | |||||||||||||||||
 | AOT470 | 0.7371 | | 6008 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT47 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 75 v | 10A (TA), 100A (TC) | 10V | 10.5mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 136 NC @ 10 v | ± 25V | 5640 pf @ 30 v | - | 2.1W (TA), 268W (TC) | |||||||
 | AOI2606 | - | | 7767 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | AOI260 | MOSFET (금속 (() | TO-251A | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1721-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 70 | n 채널 | 60 v | 14A (TA), 46A (TC) | 10V | 6.8mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 4050 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 150W (TC) | |||||||
| AOI5N40 | 0.3715 | | 9508 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | AOI5 | MOSFET (금속 (() | TO-251A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1451-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,500 | n 채널 | 400 v | 4.2A (TC) | 10V | 1.6ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 250µA | 8.5 NC @ 10 v | ± 30V | 400 pf @ 25 v | - | 78W (TC) | ||||||
| AOB414 | 1.3100 | | 335 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB41 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 6.6A (TA), 51A (TC) | 7V, 10V | 25mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 25V | 2200 pf @ 50 v | - | 2.5W (TA), 150W (TC) | |||||||
| AONS36302 | 0.4601 | | 9889 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AONS363 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-aons36302tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 146a | 10V | 1.8mohm @ 20a, 10V | 1.8V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 3860 pf @ 15 v | Schottky Diode (Body) | 57W (TC) | ||||||
| AO3496 | - | | 5013 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | AO34 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AO3496TR | 쓸모없는 | 3,000 | - | ||||||||||||||||||||||
 | AOTF472 | - | | 7580 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF47 | MOSFET (금속 (() | TO-220FL | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 75 v | 10A (TA), 53A (TC) | 10V | 8.9mohm @ 30a, 10V | 3.9V @ 250µA | 115 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 30 v | - | 1.9W (TA), 57.5W (TC) | ||||||||
| AON6542 | - | | 7647 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON654 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 23A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 5MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 22.5 nc @ 10 v | ± 20V | 951 pf @ 15 v | - | 4.1W (TA), 25W (TC) | ||||||||
| AOT160A60L | 1.5964 | | 5710 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT160 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOT160A60L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 24A (TC) | 10V | 160mohm @ 12a, 10V | 3.6V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 2340 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||||
| AON7424 | - | | 6644 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | AON742 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 18A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5.2MOHM @ 20A, 10V | 2.3V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 3450 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||||||
 | aou2n60 | 0.2634 | | 2852 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | aou2 | MOSFET (금속 (() | TO-251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 25 v | - | 56.8W (TC) | |||||||
| AO6401AL | - | | 8145 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | AO640 | - | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||
| AOD240 | 1.5600 | | 14 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD24 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 23A (TA), 70A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 4300 pf @ 20 v | - | 2.7W (TA), 150W (TC) | |||||||
| aon6266e | 0.6000 | | 5824 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | Aon62 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 24A (TC) | 4.5V, 10V | 13.2MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 20V | 755 pf @ 30 v | - | 26W (TC) | |||||||
| AOT10N60L | - | | 1452 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT10 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 750mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||||
| AO4296 | 0.6365 | | 7835 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO42 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 13.5A (TA) | 4.5V, 10V | 8.3mohm @ 13.5a, 10V | 2.3V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 3130 pf @ 50 v | - | 3.1W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)