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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	현재의	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
AOD4120L	-	RFQ	2657	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD41		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				20 v	25A (TC)	2.5V, 10V	18mohm @ 20a, 10V	2V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 16V	900 pf @ 10 v	-	2.5W (TA), 33W (TC)
AON7702A_101	-	RFQ	6593	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SRFET ™	대부분	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 155 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		Aon77		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				30 v	13.5A (TA), 36A (TC)	4.5V, 10V	10mohm @ 13a, 10V	2.1V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 12V	1400 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	3.1W (TA), 23W (TC)
AO4826	-	RFQ	3205	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO482		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)					60V	-		25mohm @ 6.3a, 10V	3V @ 250µA	58NC @ 10V		2300pf @ 30V	논리 논리 게이트
AO3438_001	-	RFQ	9107	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				20 v	3A (TA)	1.8V, 4.5V	62mohm @ 3a, 4.5v	1V @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 v	± 8V	320 pf @ 10 v	-	1.4W (TA)
AO4822L_101	-	RFQ	6838	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO482		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)					30V	8a		19mohm @ 8a, 10V	2.4V @ 250µA	18NC @ 10V		888pf @ 15V	-
AOD446_001	-	RFQ	6443	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD44				TO-252 (DPAK)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500							-
AOTF20C60	-	RFQ	9493	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF20		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				600 v	20A (TC)	10V	250mohm @ 10a, 10V	5V @ 250µA	74 NC @ 10 v	± 30V	3500 pf @ 50 v	-	50W (TC)
AOTF42S60	-	RFQ	3088	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	대부분	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF42		MOSFET (금속 (()		TO-220F	-			영향을받지 영향을받지	785-AOTF42S60			1		n 채널				600 v	39a	10V	99mohm @ 21a, 10V	3.8V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 30V	2154 pf @ 100 v	-	50W
AON6528	-	RFQ	2352	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON652		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	30A (TC)	4.5V, 10V	6.3MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1037 pf @ 15 v	-	25W (TC)
AOD2610_002	-	RFQ	7174	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD26				TO-252 (DPAK)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500							-
AO6402A_201	-	RFQ	2532	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AO640		MOSFET (금속 (()		6TSOP	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	7.5A (TA)	4.5V, 10V	24mohm @ 7.5a, 10V	2.6V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 20V	448 pf @ 15 v	-	2W (TA)
AO4441	0.6500	RFQ	10	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				60 v	4A (TA)	4.5V, 10V	100mohm @ 4a, 10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	1120 pf @ 30 v	-	3.1W (TA)
AO4425	1.2100	RFQ	104	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				38 v	14A (TA)	10V, 20V	10mohm @ 14a, 20V	3.5V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 25V	3800 pf @ 20 v	-	3.1W (TA)
AOD504	-	RFQ	6163	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	대부분	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD50		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				25 v	18A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 20A, 10V	2.4V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1333 PF @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AON7403L	-	RFQ	1982	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AON740		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		p 채널				30 v	8A (TA), 20A (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 8a, 10V	3V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 25V	1400 pf @ 15 v	-	1.6W (TA), 27W (TC)
AO4801AS	-	RFQ	4157	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	대부분	쓸모 쓸모		-	-		AO480		-		-	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1														-
AON6282	0.7232	RFQ	3695	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon62		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				80 v	26.5A (TA), 85A (TC)	6V, 10V	5.6MOHM @ 20A, 10V	3.5V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 20V	2848 pf @ 40 v	-	7.4W (TA), 83W (TC)
AO4813L	-	RFQ	6773	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO481		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)					30V	7.1A (TA)		25mohm @ 7.1a, 10V	2.7V @ 250µA	30.9NC @ 10V		1573pf @ 15V	-
AON6702	-	RFQ	8953	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SRFET ™	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon67		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	26A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	2MOHM @ 20A, 10V	2.4V @ 250µA	123 NC @ 10 v	± 20V	7080 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	2.3W (TA), 83W (TC)
AOWF10N65	0.7871	RFQ	5517	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		AOWF10		MOSFET (금속 (()		TO-262F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				650 v	10A (TC)	10V	1ohm @ 5a, 10V	4.5V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 30V	1645 pf @ 25 v	-	25W (TC)
AO4450_101	-	RFQ	8679	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				40 v	7A (TA)	4.5V, 10V	30mohm @ 7a, 10V	3V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	516 pf @ 20 v	-	3.1W (TA)
AOD2904	-	RFQ	6678	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD290		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				100 v	10.5A (TA), 70A (TC)	6V, 10V	10MOHM @ 20A, 10V	3.4V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 20V	2785 pf @ 50 v	-	2.7W (TA), 125W (TC)
AOTF7T60	-	RFQ	6368	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF7		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				600 v	7A (TC)	10V	1.1ohm @ 3.5a, 10V	5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 30V	962 pf @ 100 v	-	38W (TC)
AOZ5038QI	1.2255	RFQ	9186	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	31-powervfqfn 모듈	MOSFET	AOZ5038					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1 단계			50 a	-
AOTF20B65M2	2.9100	RFQ	802	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOTF20	기준		45 W.	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1771	귀 99	8541.29.0095	1,000			400V, 20A, 15ohm, 15V													292 ns	-	650 v	40 a	60 a	2.15V @ 15V, 20A	580µJ (on), 280µJ (OFF)	46 NC	26ns/123ns
AOD4144_002	-	RFQ	2455	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD41		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				30 v	13A (TA), 55A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 20V	1430 pf @ 15 v	-	2.3W (TA), 50W (TC)
AO4807_101	-	RFQ	7786	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO480		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 p 채널 (채널)					30V	6A		35mohm @ 6a, 10V	2.4V @ 250µA	16NC @ 10V		760pf @ 15V	논리 논리 게이트
AOTS26108	0.1820	RFQ	4627	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AOTS261		MOSFET (금속 (()	1.25W (TA)	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aots26108tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	n 보완 p 채널 및					30V, 20V	3.8A (TA), 4.5A (TA)		50mohm @ 3.8a, 10v, 44mohm @ 4.5a, 4.5v	1.5V @ 250µA, 950MV @ 250µA	16nc @ 10v, 17nc @ 4.5v		340pf @ 15V, 930pf @ 10V	기준
AOWF11A60	-	RFQ	6941	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	테이프 & tr (TR)	활동적인					AOWF11					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000
AO4447AL_201	-	RFQ	9778	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				30 v	17A (TA)	4V, 10V	7mohm @ 17a, 10V	1.6V @ 250µA	105 NC @ 10 v	± 20V	5500 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²