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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재의	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
AONR66406	0.2132	RFQ	3668	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AONR664	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널			40 v	22A (TA), 30A (TC)	4.5V, 10V	6.1MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1480 pf @ 20 v	-	5W (TA), 27W (TC)
AOT14N50	1.8700	RFQ	5393	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT14	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1170-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			500 v	14A (TC)	10V	380mohm @ 7a, 10V	4.5V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 30V	2297 pf @ 25 v	-	278W (TC)
AO6409_DELTA	-	RFQ	4848	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					AO640				다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000						5.5A (TA)
AOD4454	0.4763	RFQ	4265	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD44	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			150 v	3A (TA), 20A (TC)	7V, 10V	94mohm @ 10a, 10V	4.6V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	985 pf @ 75 v	-	2.5W (TA), 100W (TC)
AOTF10T60	-	RFQ	6221	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF10	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1637-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			600 v	10A (TC)	10V	700mohm @ 5a, 10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 30V	1346 PF @ 100 v	-	43W (TC)
AO4800	-	RFQ	4409	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO480	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)				30V	6.9A		27mohm @ 6.9a, 10V	1.5V @ 250µA	7NC @ 4.5V		630pf @ 15V	-
AOTF10N60_003	-	RFQ	8216	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF10	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널			600 v	10A (TC)	10V	750mohm @ 5a, 10V	4.5V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 30V	1600 pf @ 25 v	-	50W (TC)
AOCA33104A	0.3960	RFQ	6460	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-smd,, 없음		AOCA33104	MOSFET (금속 (()	3.1W (TA)	10- 알파드프 (alphadfn) (2.98x1.49)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aoca33104atr	귀 99	8541.29.0095	8,000	2 n 채널 (채널)				12V	30A (TA)		2.8mohm @ 5a, 4.5v	1.3V @ 250µA	32NC @ 4.5V		-	-
AOB2618L	-	RFQ	3408	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB2618	MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널			60 v	7A (TA), 23A (TC)	4.5V, 10V	19mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	950 pf @ 30 v	-	2.1W (TA), 41.5W (TC)
AOWF11N60	0.8328	RFQ	9084	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		AOWF11	MOSFET (금속 (()		TO-262F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1446-5	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			600 v	11A (TC)	10V	650mohm @ 5.5a, 10V	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 v	± 30V	1990 pf @ 25 v	-	27.8W (TC)
AO3403L	-	RFQ	4991	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널			30 v	2.6A (TA)	2.5V, 10V	130mohm @ 2.6a, 10V	1.4V @ 250µA	5.3 NC @ 4.5 v	± 12V	500 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AOD2N100	0.5630	RFQ	4509	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD2	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			1000 v	2A (TC)	10V	9ohm @ 1a, 10V	4.5V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 30V	580 pf @ 25 v	-	83W (TC)
AOZ5017QI	1.2345	RFQ	8326	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	31-powervfqfn 모듈	MOSFET	AOZ5017				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1 단계		60 a	-
AO3407A	0.4600	RFQ	969	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널			30 v	4.3A (TA)	4.5V, 10V	48mohm @ 4.3a, 10V	3V @ 250µA	16 nc @ 10 v	± 20V	830 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AOT360A70L	2.0100	RFQ	7484	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT360	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AOT360A70L	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			700 v	12A (TC)	10V	360mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	22.5 nc @ 10 v	± 20V	1360 pf @ 100 v	-	156W (TC)
AoT4S60L	0.6993	RFQ	8318	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT4	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1268-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			600 v	4A (TC)	10V	900mohm @ 2a, 10V	4.1V @ 250µA	6 nc @ 10 v	± 30V	263 pf @ 100 v	-	83W (TC)
AONX36322	0.7453	RFQ	5052	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드		AONX363	MOSFET (금속 (()	3.5W (TA), 24W (TC), 3.5W (TA), 52W (TC)	8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aonx3632tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널) 비대칭				30V	21A (TA), 55A (TC), 38A (TA), 85A (TC)		4.95mohm @ 20a, 10v, 1.35mohm @ 20a, 10v	2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA	25NC @ 10V, 100NC @ 10V		1145pf @ 15v, 4175pf @ 15v	기준
AOTF13N50_002	-	RFQ	2001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF13	MOSFET (금속 (()		TO-220F	-			영향을받지 영향을받지	785-AOTF13N50_002			1		n 채널			500 v	13A (TC)	10V	510mohm @ 6.5a, 10V	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 v	± 30V	1633 pf @ 25 v	-	50W (TC)
AOD2610E	0.3471	RFQ	8255	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD26			TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500
AOB25S65L	3.9800	RFQ	6	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB25S65	MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널			650 v	25A (TC)	10V	190mohm @ 12.5a, 10V	4V @ 250µA	26.4 NC @ 10 v	± 30V	1278 pf @ 100 v	-	357W (TC)
AOE6930	2.2500	RFQ	2227	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드		AOE693	MOSFET (금속 (()	24W, 75W	8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널) 비대칭				30V	22A (TC), 85A (TC)		4.3MOHM @ 20A, 10V, 0.83MOHM @ 30A, 10V	2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA	15nc @ 4.5v, 65nc @ 4.5v		1075pf @ 15v, 5560pf @ 15v	-
AON7430L	-	RFQ	4134	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AON743	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널			30 v	9A (TA), 20A (TC)	4.5V, 10V	12MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	910 pf @ 15 v	-	1.7W (TA), 25W (TC)
AON6570	-	RFQ	6096	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					AON657				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-Aon6570tr	쓸모없는		3,000						-
AO3435	0.4000	RFQ	359	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널			20 v	2.9A (TA)	1.5V, 4.5V	70mohm @ 3.5a, 4.5v	1V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	± 8V	745 pf @ 10 v	-	1W (TA)
AOL1404	-	RFQ	7825	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	3-powersmd, 평평한 리드		AOL14	MOSFET (금속 (()		초음파 8 ™	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			20 v	18A (TA), 45A (TC)	2.5V, 4.5V	4mohm @ 20a, 4.5v	1.6V @ 250µA	43 NC @ 10 v	± 12V	4630 pf @ 10 v	-	2.1W (TA), 60W (TC)
AO8807L	-	RFQ	4435	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					AO880				다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	3,000
AOD486A	0.7700	RFQ	8448	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD48	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			40 v	50A (TC)	4.5V, 10V	9.8mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1920 pf @ 20 v	-	2W (TA), 50W (TC)
AOT8N80L_001	-	RFQ	5533	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT8	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널			800 v	7.4A (TC)	10V	1.63ohm @ 4a, 10V	4.5V @ 250µA	32 NC @ 10 v	± 30V	1650 pf @ 25 v	-	245W (TC)
AO4800L	-	RFQ	6580	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO480	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)				30V	6.9A		27mohm @ 6.9a, 10V	1.5V @ 250µA	7NC @ 4.5V		630pf @ 15V	-
AOC2870	0.9800	RFQ	2791	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-xdfn		AOC287	MOSFET (금속 (()	1.4W	4-DFN (1.7x1.7)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수				-	-		-	1.3V @ 250µA	11.5NC @ 4.5V		-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²