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불연속 불연속 제품 (2357)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
AOTF2210L	-	RFQ	8582	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF22		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		200 v	6.5A (TA), 13A (TC)	5V, 10V	90mohm @ 13a, 10V	2.5V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	2065 pf @ 100 v	-	8.3W (TA), 36.5W (TC)
AOTF14N50	0.9211	RFQ	1376	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF14		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		500 v	14A (TC)	10V	380mohm @ 7a, 10V	4.5V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 30V	2297 pf @ 25 v	-	50W (TC)
AONS36308	-	RFQ	4926	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AONS363		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (5x6)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-Aons36308tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	26A (TA), 53A (TC)	4.5V, 10V	6.1MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1000 pf @ 15 v	-	6.2W (TA), 26W (TC)
AO4292E	0.3624	RFQ	9751	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO42				8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000					8A (TA)
AON7426	-	RFQ	5589	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AON742		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널		30 v	18A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 18a, 10V	2.35V @ 250µA	115 NC @ 10 v	± 20V	2120 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 29W (TC)
AO6400	0.4900	RFQ	5	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457	AO640		MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	6.9A (TA)	2.5V, 10V	28mohm @ 6.9a, 10V	1.4V @ 250µA	12 nc @ 4.5 v	± 12V	1030 pf @ 15 v	-	2W (TA)
AO4447	-	RFQ	6167	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		30 v	15A (TA)	4V, 10V	7.5mohm @ 15a, 10V	1.6V @ 250µA	120 nc @ 10 v	± 20V	6600 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOUS66620	0.4413	RFQ	4864	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-powersmd, 평평한 리드	aous666		MOSFET (금속 (()		초음파 8 ™	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aous66620tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		60 v	19.5A (TA), 46A (TC)	8V, 10V	9MOHM @ 20A, 10V	3.6V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	1070 pf @ 30 v	-	6.2W (TA), 52W (TC)
AOI950A70	1.3900	RFQ	3	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK	AOI950		MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1820	귀 99	8541.29.0095	70		n 채널		700 v	5A (TC)	10V	950mohm @ 1a, 10V	4.1V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 20V	461 pf @ 100 v	-	56.5W (TC)
AO4813	0.8700	RFQ	69	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO481		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)			30V	7.1A		25mohm @ 7.1a, 10V	2.5V @ 250µA	19NC @ 10V		1250pf @ 15V	논리 논리 게이트
AONE36182	0.7095	RFQ	3377	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AONE361		MOSFET (금속 (()	2W (TA), 25W (TC), 2.5W (TA), 35.5W (TC)	8-DFN-EP (3.3x3.3)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-Aone36182tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널) 비대칭			25V	17A (TA), 60A (TC), 34A (TA), 60A (TC)		4.6mohm @ 17a, 10v, 1.4mohm @ 20a, 10v	1.8V @ 250µA	21NC @ 10V, 80nc @ 10V		880pf @ 12.5v, 3215pf @ 12.5v	기준
AOT20C60L	-	RFQ	8669	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT20		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		600 v	20A (TC)	10V	250mohm @ 10a, 10V	5V @ 250µA	74 NC @ 10 v	± 30V	3440 pf @ 100 v	-	463W (TC)
AON3816	0.2893	RFQ	7817	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	AON381		MOSFET (금속 (()	2.5W	8-DFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수			20V	-		22mohm @ 4a, 4.5v	1.1V @ 250µA	13NC @ 4.5V		1100pf @ 10V	논리 논리 게이트
AOI4144_002	-	RFQ	7556	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	AOI41		MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		30 v	13A (TA), 55A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 20V	1430 pf @ 15 v	-	2.3W (TA), 50W (TC)
AOD504	-	RFQ	6163	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD50		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		25 v	18A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 20A, 10V	2.4V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1333 PF @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AON7934	0.4004	RFQ	2817	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-wdfn n 패드	AON793		MOSFET (금속 (()	2.5W	8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000	2 n 채널 (채널 교량)			30V	13a, 15a		10.2mohm @ 13a, 10V	2.2V @ 250µA	11nc @ 10V		485pf @ 15V	논리 논리 게이트
AO6411	-	RFQ	3834	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457	AO641		MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		20 v	7A (TA)	1.8V, 4.5V		900MV @ 250µA	18 nc @ 4.5 v	± 8V	1025 pf @ 10 v	-	2.7W (TA)
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AON7318	0.9800	RFQ	19	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	AON731		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3.3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	36.5A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	1.95mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 20V	2840 pf @ 15 v	-	4.1W (TA), 39W (TC)
AO6602_DELTA	-	RFQ	9459	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457	AO660		MOSFET (금속 (()	1.15W	6TSOP	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 보완 p 채널 및			30V	3.5A (TA), 2.7A (TA)		50mohm @ 3.5a, 10v, 100mohm @ 2.7a, 10v	2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA	5NC @ 10V, 5.2NC @ 10V		210pf @ 15V, 240pf @ 15V	-
AON6403L_APP	-	RFQ	4448	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON640		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		30 v	21A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	196 NC @ 10 v	± 20V	9120 pf @ 15 v	-	2.3W (TA), 83W (TC)
AON6534	-	RFQ	5025	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON653		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	20A (TA), 30A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 20a, 10V	2.6V @ 250µA	22.5 nc @ 10 v	± 20V	951 pf @ 15 v	-	4.1W (TA), 25W (TC)
AO4407A_102	-	RFQ	3169	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널		30 v	12A (TA)	6V, 20V	11mohm @ 12a, 20V	3V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 25V	2600 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOTF12N50_006	-	RFQ	6048	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF12		MOSFET (금속 (()		TO-220F	-			영향을받지 영향을받지	785-AOTF12N50_006			1		n 채널		500 v	12A (TC)	10V	520mohm @ 6a, 10V	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 v	± 30V	1633 pf @ 25 v	-	50W (TC)
AOTF9N50L	-	RFQ	1783	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF9		MOSFET (금속 (()		TO-220F	-			영향을받지 영향을받지	785-AoTF9N50L			1		n 채널		500 v	9A (TJ)	10V	850mohm @ 4.5a, 10V	4.5V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 30V	1042 pf @ 25 v	-	38.5W (TC)
AO4435_102	-	RFQ	7624	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널		30 v	10.5A (TA)	5V, 20V	14mohm @ 11a, 20V	3V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 25V	1400 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOTF10N65	0.7673	RFQ	1428	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF10		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		650 v	10A (TC)	10V	1ohm @ 5a, 10V	4.5V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 30V	1645 pf @ 25 v	-	50W (TC)
AOB1404L	1.1264	RFQ	9065	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AOB1404		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널		40 v	15A (TA), 220A (TC)	10V	3.9mohm @ 20a, 10V	3.7V @ 250µA	86 NC @ 10 v	± 20V	4300 pf @ 20 v	-	2.1W (TA), 417W (TC)
AOD5B65MQ1E	0.4125	RFQ	3819	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphaigbt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD5	기준		52 W.	TO-252 (DPAK)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aod5b65mq1etr	귀 99	8541.29.0095	2,500			400V, 5A, 60ohm, 15V											74 ns	-	650 v	10 a	15 a	2.7V @ 15V, 5A	90µJ (on), 60µJ (OFF)	8.8 NC	7ns/78ns
AODH6600	-	RFQ	2238	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				AODH66					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aodh6600tr	귀 99	8541.29.0095	2,500

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²