RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (2357)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
AON7548	-	RFQ	6846	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	Aon75		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널		30 v	24A (TC)	4.5V, 10V	8.8mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1086 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 23W (TC)
AOB27S60L	4.0400	RFQ	5	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AOB27S60		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널		600 v	27A (TC)	10V	160mohm @ 13.5a, 10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 30V	1294 pf @ 100 v	-	357W (TC)
AON6411_001	-	RFQ	8969	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON641		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널		20 v	47A (TA), 85A (TC)	2.5V, 10V	2.1MOHM @ 20A, 10V	1.3V @ 250µA	330 nc @ 10 v	± 12V	10290 pf @ 10 v	-	7.3W (TA), 156W (TC)
AOT5N50	1.0000	RFQ	607	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT5		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1173-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		500 v	5A (TC)	10V	1.5ohm @ 2.5a, 10V	4.5V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 30V	620 pf @ 25 v	-	104W (TC)
AON6413	-	RFQ	5777	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON641		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		30 v	22A (TA), 32A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 16a, 10V	2.7V @ 250µA	58 NC @ 10 v	± 25V	2142 pf @ 15 v	-	6.2W (TA), 48W (TC)
AOTF600A70L	1.7300	RFQ	750	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF600		MOSFET (금속 (()		TO-220F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AOTF600A70L	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		700 v	8.5A (TJ)	10V	600mohm @ 2.5a, 10V	3.5V @ 250µA	15.5 nc @ 10 v	± 20V	870 pf @ 100 v	-	27W (TC)
AONP36320	0.4240	RFQ	1639	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AONP363		MOSFET (금속 (()	3.3W (TA), 50W (TC)	8-DFN-EP (3.3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-Aonp36320tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수			30V	26A (TA), 100A (TC), 27A (TA), 103A (TC)		3.2MOHM @ 20A, 10V, 3MOHM @ 20A, 10V	2.1V @ 250µA	40NC @ 10V		1700pf @ 15v, 1650pf @ 15v	기준
AO4914	-	RFQ	4468	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO491		MOSFET (금속 (()	2W (TA)	8-SOIC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO4914	귀 99	8541.29.0095	100	2 n 채널 (채널), Schottky			30V	8A (TA)		20.5mohm @ 8a, 10V	2.4V @ 250µA	18NC @ 10V		865pf @ 15V	-
AON6926	0.4763	RFQ	2993	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AON692		MOSFET (금속 (()	1.9W, 2.1W	8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 교량)			30V	11a, 12a		11mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	24NC @ 10V		1380pf @ 15V	논리 논리 게이트
AO3406L	-	RFQ	9635	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	3.6A (TA)	4.5V, 10V	50mohm @ 3.6a, 10V	2.5V @ 250µA	5 nc @ 10 v	± 20V	210 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AOD4185L	-	RFQ	6466	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD418		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널		40 v	40A (TC)	4.5V, 10V	15mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	55 NC @ 10 v	± 20V	2550 pf @ 20 v	-	62.5W (TC)
AO3406_104	-	RFQ	4572	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				AO34					다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000					3.6A (TA)
AO3415_108	-	RFQ	7428	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				AO34					다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000					4A (TA)
AO3407	-	RFQ	1666	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		30 v	4.1A (TA)	4.5V, 10V	52mohm @ 4.1a, 10V	2.4V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 20V	520 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AO3404	-	RFQ	3326	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	5A (TA)	4.5V, 10V	31mohm @ 5a, 10V	2.4V @ 250µA	6.3 NC @ 10 v	± 20V	310 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AO3413L	-	RFQ	5604	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		20 v	3A (TA)	1.8V, 4.5V	97mohm @ 3a, 4.5v	1V @ 250µA	6.1 NC @ 4.5 v	± 8V	540 pf @ 10 v	-	1.4W (TA)
AON6524_001	-	RFQ	7156	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드	AON652		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	27A (TA), 68A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 20A, 10V	2.3V @ 250µA	23 nc @ 10 v	± 20V	1900 pf @ 15 v	-	5.7W (TA), 35.5W (TC)
AOTF600A70FL	0.8511	RFQ	6132	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF600		MOSFET (금속 (()		TO-220F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AoTF600A70FL	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		700 v	8.5A (TJ)	10V	600mohm @ 2.5a, 10V	4V @ 250µA	14.5 nc @ 10 v	± 20V	900 pf @ 100 v	-	26W (TC)
AOWF600A60	0.9866	RFQ	7717	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	AOWF600		MOSFET (금속 (()		TO-262F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AOWF600A60	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		600 v	8A (TJ)	10V	600mohm @ 2.1a, 10V	3.5V @ 250µA	11.5 nc @ 10 v	± 20V	608 pf @ 100 v	-	23W (TC)
AOK125A60	5.3600	RFQ	77	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	AOK125		MOSFET (금속 (()		TO-247	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AOK125A60	귀 99	8541.29.0095	30		n 채널		600 v	28A (TC)	10V	125mohm @ 14a, 10V	4.5V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 20V	2993 PF @ 100 v	-	357W (TC)
AOD600A60	1.2600	RFQ	128	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD600		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		600 v	8A (TC)	10V	600mohm @ 2.1a, 10V	3.5V @ 250µA	11.5 nc @ 10 v	± 20V	608 pf @ 100 v	-	96W (TC)
AOCA32112E	0.1157	RFQ	5597	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 없음	AOCA32112		MOSFET (금속 (()	1.1W (TA)	4- 알파드프 (alphadfn) (0.97x0.97)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	15,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수			20V	4.5A (TA)		48mohm @ 3a, 4.5v	1.3V @ 250µA	11.5NC @ 4.5V		-	-
AOD600A70R	1.3500	RFQ	4	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD600		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		700 v	8.5A (TC)	10V	600mohm @ 2.5a, 10V	4V @ 250µA	15.5 nc @ 10 v	± 20V	950 pf @ 100 v	-	104W (TC)
AO3459	-	RFQ	1941	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO3459tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		30 v	2.6A (TA)	4.5V, 10V	110mohm @ 2.6a, 10V	2.4V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	197 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AO3498	-	RFQ	4993	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO3498tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	3.8A (TA)	2.5V, 10V	55mohm @ 3.8a, 10V	1.5V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 12V	235 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AO3451	-	RFQ	3342	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO3451TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		30 v	4A (TA)	2.5V, 10V	50mohm @ 4a, 10V	1.3V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 12V	645 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AO3457	-	RFQ	9852	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO3457tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		30 v	4.3A (TA)	4.5V, 10V	48mohm @ 4.3a, 10V	2.4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	520 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AOTF15B65M3	-	RFQ	9194	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF15	기준		30 w	TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			400V, 15a, 20ohm, 15V											263 ns	-	650 v	30 a	45 a	2.5V @ 15V, 15a	280µJ (on), 190µJ (OFF)	25.4 NC	10ns/68ns
AONS36326	-	RFQ	3418	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				AONS363					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aons36326tr	쓸모없는		3,000					-
AOI7N60_001	-	RFQ	2548	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK	AOI7		MOSFET (금속 (()		TO-251A	-			영향을받지 영향을받지	785-AOI7N60_001			1		n 채널		600 v	7A (TC)	10V	1.3ohm @ 3.5a, 10V	4.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 30V	1170 pf @ 25 v	-	178W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²