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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) |
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![]() | AOD2610_002 | - | ![]() | 7174 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD26 | TO-252 (DPAK) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | - | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | AOB1100L | 2.2310 | ![]() | 2772 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB1100 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 8A (TA), 130A (TC) | 10V | 11.7mohm @ 20a, 10V | 3.8V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 4833 pf @ 25 v | - | 2.1W (TA), 500W (TC) | ||||||||||||||
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![]() | aon6266e | 0.6000 | ![]() | 5824 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | Aon62 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 24A (TC) | 4.5V, 10V | 13.2MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 20V | 755 pf @ 30 v | - | 26W (TC) | ||||||||||||||
![]() | AOT10N60L | - | ![]() | 1452 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT10 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 750mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||
![]() | AONS66609 | 2.8200 | ![]() | 5142 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | Aons666 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 50A (TA), 304A (TC) | 8V, 10V | 1.25mohm @ 20a, 10V | 3.3V @ 250µA | 126 NC @ 10 v | ± 20V | 6350 pf @ 30 v | - | 6.2W (TA), 215W (TC) | |||||||||||||||
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![]() | AOB360A70L | 2.1600 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS5 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB360 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 700 v | 12A (TC) | 10V | 360mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 22.5 nc @ 10 v | ± 20V | 1360 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | ||||||||||||||
![]() | AOU4N60_001 | - | ![]() | 8954 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | aou4 | MOSFET (금속 (() | TO-251-3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOU4N60_001 | 1 | n 채널 | 600 v | 4A (TC) | 10V | 2.3ohm @ 2a, 10V | 4.5V @ 250µA | 14.5 nc @ 10 v | ± 30V | 640 pf @ 25 v | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||
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![]() | AOC2417 | - | ![]() | 6011 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | AOC24 | MOSFET (금속 (() | 4- 알파드프 (alphadfn) (1.57x1.57) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.5A (TA) | 2.5V, 10V | 32mohm @ 1.5a, 10V | 1.4V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 12V | 1355 pf @ 10 v | - | 550MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | AO3406L_104 | - | ![]() | 5804 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | AO34 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 3.6A (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO4425 | 1.2100 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 38 v | 14A (TA) | 10V, 20V | 10mohm @ 14a, 20V | 3.5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 25V | 3800 pf @ 20 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||
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![]() | aou2n60 | 0.2634 | ![]() | 2852 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | aou2 | MOSFET (금속 (() | TO-251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 25 v | - | 56.8W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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