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불연속 불연속 제품 (2357)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AOWF11A60 | - |  | 6941 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | AOWF11 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
 | AON6278 | 2.6800 | | 66 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | Aon62 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 34A (TA), 85A (TC) | 6V, 10V | 3.3mohm @ 20a, 10V | 3.3V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | ± 20V | 4646 pf @ 40 v | - | 7.4W (TA), 208W (TC) | ||||
 | AO3454 | - | | 6476 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-SMD, SOT-23-3 변형 | AO34 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AO3454TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 5.8A (TA) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 5.8a, 10V | 2.6V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 373 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | |||
 | AOTF290L | 1.9757 | | 5726 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF290 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 72A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 20A, 10V | 4.1V @ 250µA | 126 NC @ 10 v | ± 20V | 7180 pf @ 50 v | - | 48W (TC) | ||||
 | AOD538 | 0.3715 | | 1428 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 알파모 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD53 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 34A (TA), 70A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 2160 pf @ 15 v | - | 4.2W (TA), 24W (TC) | ||||
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| AON6444 | - | | 2741 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON644 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 14A (TA), 81A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 20V | 5800 pf @ 30 v | - | 2.3W (TA), 83W (TC) | |||||
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| AOD2908 | - | | 1884 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD290 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 9A (TA), 52A (TC) | 10V | 13.5mohm @ 20a, 10V | 4.1V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 1670 pf @ 50 v | - | 2.5W (TA), 75W (TC) | |||||
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 | AOW298 | - | | 8673 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | AOW29 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1379-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 9A (TA), 58A (TC) | 10V | 14.5mohm @ 20a, 10V | 4.1V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 1670 pf @ 50 v | - | 2.1W (TA), 100W (TC) | |||
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 | AOI4185 | 0.3213 | | 4379 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | AOI41 | MOSFET (금속 (() | TO-251A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,500 | p 채널 | 40 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 2550 pf @ 20 v | - | 2.5W (TA), 62.5W (TC) | ||||
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| AOD206_001 | - | | 5073 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 알파모 | 대부분 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD20 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 18A (TA), 46A (TC) | 4.5V, 10V | 5MOHM @ 20A, 10V | 2.4V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 1333 PF @ 15 v | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | |||||
 | AOD607_001 | - | | 5448 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD | AOD60 | MOSFET (금속 (() | TO-252-4L | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 보완 p 채널 및 | 30V | 12A (TC) | - | ||||||||||||
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 | AON6850 | 0.8165 | | 7098 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON685 | MOSFET (금속 (() | 1.7W | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 100V | 5a | 35mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 29NC @ 10V | 1840pf @ 50V | - | ||||||
| AOU3N50_002 | - | | 7402 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | aou3 | MOSFET (금속 (() | TO-251-3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOU3N50_002 | 1 | n 채널 | 500 v | 2.8A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 8 nc @ 10 v | ± 30V | 331 pf @ 25 v | - | 57W (TC) | |||||||
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 | AON7514 | - | | 8936 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | Aon75 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 5MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 22.5 nc @ 10 v | ± 20V | 951 pf @ 15 v | - | 3W (TA), 23W (TC) | |||||
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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