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불연속 불연속 제품 (2357)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
AOTF11S60_900	-	RFQ	3600	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모 쓸모	-	-	-		AOTF11	MOSFET (금속 (()		-	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널					-	-	-	-		-		-	-
AOZ5166QI-01	2.9500	RFQ	2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	40-powerwfqfn 모듈	MOSFET	AOZ5166				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1 단계		60 a		-
AOTL66810	3.1826	RFQ	5505	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	8-Powersfn		AOTL668			톨라	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000
AOD242	-	RFQ	8457	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD24	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				40 v	14.5A (TA), 54A (TC)	4.5V, 10V	5.8mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 20V	1350 pf @ 20 v	-	2.5W (TA), 53.5W (TC)
AON1606	0.0672	RFQ	8909	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-ufdfn		AON16	MOSFET (금속 (()		3-DFN (1.0 x 0.60)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널				20 v	700MA (TA)	1.5V, 4.5V	275mohm @ 400ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.85 nc @ 4.5 v	± 8V	62.5 pf @ 10 v	-	900MW (TA)
AON6566_MSI	-	RFQ	4454	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON656	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	29A (TA), 32A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 20A, 10V	2.4V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1550 pf @ 15 v	-	6W (TA), 25W (TC)
AO4423_101	-	RFQ	2734	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널				30 v	17A (TA)	6V, 20V	6.2mohm @ 15a, 20V	2.6V @ 250µA	57 NC @ 10 v	± 25V	3033 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AO4407AL_102	-	RFQ	9627	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				30 v	12A (TA)	6V, 20V	11mohm @ 12a, 20V	3V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 25V	2600 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOD210_001	-	RFQ	6396	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD21	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				30 v	23A (TA), 70A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	58 NC @ 10 v	± 20V	4300 pf @ 15 v	-	2.7W (TA), 150W (TC)
AOTF10T60P	-	RFQ	9190	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF10	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널				600 v	10A (TC)	10V	700mohm @ 5a, 10V	5V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 30V	1595 pf @ 100 v	-	43W (TC)
AON7400AL	-	RFQ	2753	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드		AON740	MOSFET (금속 (()		8-DFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				30 v	15A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	1380 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 25W (TC)
AOD206_030	-	RFQ	6112	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD20	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				30 v	18A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 20A, 4.5V	2.4V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1333 PF @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AIM5D10B060M1S	6.2244	RFQ	9996	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	23-powerdip ip (0.748 ", 19.00mm)	IGBT	AIM5D10				-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AIM5D10B060M1S	귀 99	8542.39.0001	90	3 상 인버터		10 a	600 v	2000VRMS
AON6408L	-	RFQ	2045	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON640	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	14.5A (TA), 25A (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	36 nc @ 10 v	± 20V	1900 pf @ 15 v	-	2.4W (TA), 31W (TC)
AON7400B_101	-	RFQ	3708	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AON740	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				30 v	18A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 18a, 10V	2.5V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	1440 pf @ 15 v	-	4.1W (TA), 24W (TC)
AOI4126	0.4395	RFQ	6320	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK		AOI41	MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,500		n 채널				100 v	7.5A (TA), 43A (TC)	7V, 10V	24mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 25V	2200 pf @ 50 v	-	3W (TA), 100W (TC)
AOD4144_003	-	RFQ	1400	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	대부분	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD41	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				30 v	13A (TA), 55A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 20V	1430 pf @ 15 v	-	2.3W (TA), 50W (TC)
aod3n50	0.6800	RFQ	22	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD3	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				500 v	2.8A (TC)	10V	3ohm @ 1.5a, 10V	4.5V @ 250µA	8 nc @ 10 v	± 30V	331 pf @ 25 v	-	57W (TC)
AO3409L	-	RFQ	1920	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				30 v	2.6A (TA)	4.5V, 10V	130mohm @ 2.6a, 10V	3V @ 250µA	9 NC @ 10 v	± 20V	370 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AOD210	-	RFQ	2062	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD21	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				30 v	23A (TA), 70A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	58 NC @ 10 v	± 20V	4300 pf @ 15 v	-	2.7W (TA), 150W (TC)
AOSP21357	1.2300	RFQ	6826	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AOSP213	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				30 v	16A (TA)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 16a, 10V	2.3V @ 250µA	70 nc @ 10 v	± 25V	2830 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AON7804_102	-	RFQ	2939	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON780	MOSFET (금속 (()	3.1W	8-DFN (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)					30V	9a		21mohm @ 8a, 10V	2.4V @ 250µA	18NC @ 10V		888pf @ 15V	논리 논리 게이트
AO9926BL	-	RFQ	9975	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO9926	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)					20V	7.6a		23mohm @ 7.6a, 10V	1.1V @ 250µA	12.5NC @ 10V		630pf @ 15V	논리 논리 게이트
AON7566	0.2155	RFQ	9727	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		Aon75	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				30 v	34A (TC)	4.5V, 10V	3.7mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	3020 pf @ 15 v	-	30W (TC)
AOSP21321	0.5100	RFQ	1	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AOSP213	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	17mohm @ 11a, 10V	2.3V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 25V	1180 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AO4480	0.7400	RFQ	153	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				40 v	14A (TA)	4.5V, 10V	11.5mohm @ 14a, 10V	3V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1920 pf @ 20 v	-	3.1W (TA)
AO3434TS	-	RFQ	5611	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO3434TST	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	3.5A (TA)	4.5V, 10V	52MOHM @ 4.2A, 10V	1.8V @ 250µA	7.2 NC @ 10 v	± 20V	340 pf @ 15 v	-	1W (TA)
AOUS66923	0.7071	RFQ	7572	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-powersmd, 평평한 리드		AOUS669	MOSFET (금속 (()		초음파 8 ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				100 v	16.5A (TA), 58A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 20a, 10V	2.6V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	1725 pf @ 50 v	-	6.2W (TA), 73W (TC)
AOT11S65L	1.2424	RFQ	3261	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT11	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				650 v	11A (TC)	10V	399mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250µA	13.2 NC @ 10 v	± 30V	646 pf @ 100 v	-	198W (TC)
AOT462_001	-	RFQ	2902	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모 쓸모		구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT46			TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50							70A (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²