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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재의	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
AOB409L	0.6464	RFQ	9132	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB409	MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		p 채널			60 v	5A (TA), 31.5A (TC)	4.5V, 10V	38mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 20V	2953 pf @ 30 v	-	2.1W (TA), 83.3W (TC)
AOT9N70	0.6820	RFQ	5550	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT9	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			700 v	9A (TC)	10V	1.2ohm @ 4.5a, 10V	4.5V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 30V	1630 pf @ 25 v	-	236W (TC)
AO3434	-	RFQ	3709	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			30 v	3.5A (TA)	4.5V, 10V	52MOHM @ 4.2A, 10V	1.8V @ 250µA	7.2 NC @ 10 v	± 20V	340 pf @ 15 v	-	1W (TA)
AOT11N70	0.9211	RFQ	1065	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT11	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			700 v	11A (TC)	10V	870mohm @ 5.5a, 10V	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 30V	2150 pf @ 25 v	-	271W (TC)
AON6416	-	RFQ	7534	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON641	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			30 v	14A (TA), 22A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 20V	1430 pf @ 15 v	-	2.4W (TA), 31W (TC)
AON6362FD	-	RFQ	5894	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon63	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aon6362fdtr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			30 v	27A (TA), 60A (TC)		5.2MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	820 pf @ 15 v	-	6.2W (TA), 31W (TC)
AOT9N50	1.4000	RFQ	17	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT9	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1172-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			500 v	9A (TC)	10V	850mohm @ 4.5a, 10V	4.5V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 30V	1042 pf @ 25 v	-	192W (TC)
AO6402A	0.1595	RFQ	5916	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AO640	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			30 v	7.5A (TA)	4.5V, 10V	27mohm @ 7a, 10V	2.5V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	820 pf @ 15 v	-	2W (TA)
AONS62614	0.9817	RFQ	5053	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AONS626	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aons62614tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			60 v	37A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	2.5mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	90 NC @ 10 v	± 20V	3660 pf @ 30 v	-	6.2W (TA), 119W (TC)
AOCA32106E	0.2489	RFQ	4978	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-smd,, 없음		AOCA32106	MOSFET (금속 (()	2.8W (TA)	10- 알파드프 (alphadfn) (1.84x1.96)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aoca32106etr	귀 99	8541.29.0095	8,000	2 n 채널				12V	25A (TA)		3.4ohm @ 5a, 4.5v	1.1V @ 250µA	23NC @ 4.5V		-	기준
AO4407B	-	RFQ	2973	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면			AO44	MOSFET (금속 (()			-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널			30 v	12A (TA)	10V	13mohm @ 12a, 20V	2.8V @ 250µA	36 nc @ 10 v	± 25V	2600 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AON6264E	0.3091	RFQ	9575	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon62			8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000						28A (TC)
AON6382	0.4601	RFQ	5383	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon63	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			30 v	85A (TC)	4.5V, 10V	1.85mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	65 nc @ 10 v	± 20V	3100 pf @ 15 v	-	50W (TC)
AO4407	-	RFQ	3825	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1802-2	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널			30 v	12A (TA)	5V, 20V	13mohm @ 12a, 20V	2.8V @ 250µA	36 nc @ 10 v	± 25V	2600 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AO3438	-	RFQ	7897	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	6,000		n 채널			20 v	3A (TA)	1.8V, 4.5V	62mohm @ 3a, 4.5v	1V @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 v	± 8V	320 pf @ 10 v	-	1.4W (TA)
AON6452L	-	RFQ	9922	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON645	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			100 v	6.5A (TA), 26A (TC)	7V, 10V	25mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 25V	2200 pf @ 50 v	-	2W (TA), 35W (TC)
AOTF11C60P	-	RFQ	4442	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF11	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			600 v	11A (TC)	10V	400mohm @ 5.5a, 10V	5V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 30V	2333 PF @ 100 v	-	50W (TC)
AOW10N60	0.7887	RFQ	5335	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		AOW10	MOSFET (금속 (()		TO-262	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			600 v	10A (TC)	10V	750mohm @ 5a, 10V	4.5V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 30V	1600 pf @ 25 v	-	250W (TC)
AOC3870	-	RFQ	4591	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-smd,, 없음		AOC387	MOSFET (금속 (()	2.2W (TA)	10- 알파드프 (alphadfn) (3.01x1.52)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	8,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수				12V	25A (TA)		2.8mohm @ 5a, 4.5v	1.1V @ 250µA	32NC @ 4.5V		-	-
AOD2210	0.6689	RFQ	6921	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD22	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			200 v	3A (TA), 18A (TC)	5V, 10V	105mohm @ 18a, 10V	2.5V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	2065 pf @ 100 v	-	2.5W (TA), 100W (TC)
AOSD21307	0.9300	RFQ	5	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AOSD213	MOSFET (금속 (()	2W (TA)	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)				30V	9A (TA)		16mohm @ 9a, 10V	2.3V @ 250µA	51NC @ 10V		1995pf @ 15V	-
AON6230	0.9866	RFQ	2907	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon62	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			40 v	57.5A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	1.44mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	114 NC @ 10 v	± 20V	6050 pf @ 20 v	-	7.4W (TA), 104W (TC)
AOTL42A60E	-	RFQ	9199	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인					AOTL42				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AoTL42A60etr			2,000
AOTF12N30	0.5103	RFQ	1610	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF12	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1385-5	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			300 v	11.5A (TC)	10V	420mohm @ 6a, 10V	4.5V @ 250µA	16 nc @ 10 v	± 30V	790 pf @ 25 v	-	36W (TC)
AOZ5332QI	2.5700	RFQ	12	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	31-powervfqfn 모듈	MOSFET	AOZ5332				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1 단계		50 a	-
AOT11C60L	-	RFQ	9913	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT11	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			600 v	11A (TC)	10V	400mohm @ 5.5a, 10V	5V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 30V	2000 pf @ 100 v	-	278W (TC)
AO4447A	1.0200	RFQ	50	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널			30 v	17A (TA)	4V, 10V	7mohm @ 17a, 10V	1.6V @ 250µA	105 NC @ 10 v	± 20V	5500 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOTF7T60PL	0.7900	RFQ	808	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF7	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1653-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			600 v	7A (TC)	10V	1.1ohm @ 3.5a, 10V	5V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 30V	965 pf @ 100 v	-	29W (TC)
AO4850	-	RFQ	7862	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO485	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)				75V	2.3a		130mohm @ 3.1a, 10V	3V @ 250µA	7NC @ 10V		380pf @ 30V	논리 논리 게이트
AO4822_101	-	RFQ	5010	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO482	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)				30V	8a		19mohm @ 8a, 10V	2.4V @ 250µA	18NC @ 10V		888pf @ 15V	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²