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불연속 불연속 제품 (2357)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
AOTF11N70	0.9211	RFQ	4921	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF11	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				700 v	11A (TC)	10V	870mohm @ 5.5a, 10V	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 30V	2150 pf @ 25 v	-	50W (TC)
AO4488L	-	RFQ	9260	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				30 v	15A (TA)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	112 NC @ 10 v	± 20V	6800 pf @ 15 v	-	1.7W (TA)
AON6520	-	RFQ	6594	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON652	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	11A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	1380 pf @ 15 v	-	1.9W (TA), 31W (TC)
AON7254	1.3300	RFQ	1	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn		Aon72	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3.3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				150 v	5.5A (TA), 17A (TC)	4.5V, 10V	54mohm @ 5a, 10V	2.7V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	675 pf @ 75 v	-	4.1W (TA), 39W (TC)
AOL1712	-	RFQ	7993	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SRFET ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	3-powersmd, 평평한 리드		AOL17	MOSFET (금속 (()		초음파 8 ™	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	16A (TA), 65A (TC)	4.5V, 10V	4.2MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 12V	5120 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	2.1W (TA), 100W (TC)
AOD4185	0.8300	RFQ	16	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD418	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널				40 v	40A (TC)	4.5V, 10V	15mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	55 NC @ 10 v	± 20V	2550 pf @ 20 v	-	2.5W (TA), 62.5W (TC)
AOD5T40p	0.5600	RFQ	103	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD5	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				400 v	3.9A (TC)	10V	1a, 1a, 10v 1.45ohm	5V @ 250µA	9 NC @ 10 v	± 30V	273 PF @ 100 v	-	52W (TC)
AOTF12T50P	-	RFQ	1138	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF12	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1652-5	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				500 v	12A (TC)	10V	500mohm @ 6a, 10V	5V @ 250µA	32 NC @ 10 v	± 30V	1477 pf @ 100 v	-	43W (TC)
AONS36352	-	RFQ	8371	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					AONS363				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aons36352tr	귀 99	8541.29.0095	3,000
AOTF474	-	RFQ	6382	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF47	MOSFET (금속 (()		TO-220FL	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				75 v	9A (TA), 47A (TC)	10V	11.3MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	3370 pf @ 30 v	-	1.9W (TA), 57.5W (TC)
AON6566_MSI	-	RFQ	4454	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON656	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	29A (TA), 32A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 20A, 10V	2.4V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1550 pf @ 15 v	-	6W (TA), 25W (TC)
AON2408	0.6700	RFQ	2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드		AON24	MOSFET (금속 (()		6-DFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				20 v	8A (TA)	2.5V, 4.5V	14.5mohm @ 8a, 4.5v	1.2V @ 250µA	7 NC @ 4.5 v	± 12V	782 pf @ 10 v	-	2.8W (TA)
AO4842L	-	RFQ	8317	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO484	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)					30V	-		22mohm @ 7.5a, 10V	2.6V @ 250µA	11nc @ 10V		448pf @ 15V	논리 논리 게이트
AON6508_101	-	RFQ	1211	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON650	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	29A (TA), 32A (TC)	4.5V, 10V	3.2MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	49 NC @ 10 v	± 20V	2010 pf @ 15 v	-	4.2W (TA), 41W (TC)
AOT12N65_001	-	RFQ	4142	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT12	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널				650 v	12A (TC)	10V	720mohm @ 6a, 10V	4.5V @ 250µA	48 NC @ 10 v	± 30V	2150 pf @ 25 v	-	278W (TC)
AO4622	-	RFQ	8026	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO462	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널					20V	-		23mohm @ 7.3a, 10V	2V @ 250µA	18NC @ 10V		1100pf @ 10V	논리 논리 게이트
AO3434A	0.3900	RFQ	43	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	4A (TA)	2.5V, 10V	52mohm @ 4a, 10V	1.5V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 12V	245 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AOW480	-	RFQ	2917	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		AOW48	MOSFET (금속 (()		TO-262	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				80 v	15A (TA), 180A (TC)	7V, 10V	4.5mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 v	± 25V	7820 pf @ 40 v	-	1.9W (TA), 333W (TC)
AIM5D05K060M2S	7.5000	RFQ	37	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	23-powerdip ip (0.748 ", 19.00mm)	IGBT	AIM5D05				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1832	귀 99	8542.39.0001	90	3 상 인버터		5 a	600 v	2000VRMS
AON3419	0.1579	RFQ	7128	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드		AON341	MOSFET (금속 (()		8-DFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				30 v	10A (TC)	4.5V, 10V	19mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1040 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOI2N60A	0.2634	RFQ	4094	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK		AOI2	MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1646-5	귀 99	8541.29.0095	70		n 채널				600 v	2A (TC)	10V	4.7ohm @ 1a, 10V	4.5V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 30V	295 pf @ 25 v	-	57W (TC)
AOI66406	0.2255	RFQ	2358	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK		AOI664	MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AOI66406TR	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				40 v	25A (TA), 60A (TC)	4.5V, 10V	6.1MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1480 pf @ 20 v	-	6.2W (TA), 52W (TC)
AO6405L	-	RFQ	7174	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AO640	MOSFET (금속 (()		6TSOP	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				30 v	5A (TA)	4.5V, 10V	52mohm @ 5a, 10V	3V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	840 pf @ 15 v	-	2W (TA)
AIP5N15K060Q4	8.0450	RFQ	2506	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	23-powerdip ip (0.748 ", 19.00mm)	IGBT	AIP5				다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AIP5N15K060Q4	귀 99	8542.39.0001	90	3 상 인버터		15 a	600 v	2000VRMS
AoT22N50L	1.3444	RFQ	9201	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AoT22N50	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				500 v	22A (TC)	10V	260mohm @ 11a, 10V	4.5V @ 250µA	83 NC @ 10 v	± 30V	3710 pf @ 25 v	-	417W (TC)
AON7754	-	RFQ	1100	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		Aon77	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				30 v	24A (TA), 32A (TC)	4.5V, 10V	3.6MOHM @ 20A, 10V	2.4V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	1975 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	3.1W (TA), 70W (TC)
AO6800	0.1823	RFQ	1356	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AO680	MOSFET (금속 (()	1.15W	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)					30V	3.4a		60mohm @ 3.4a, 10V	1.5V @ 250µA	10nc @ 10v		235pf @ 15V	논리 논리 게이트
AON6482	1.3100	RFQ	111	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON648	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				100 v	5.5A (TA), 28A (TC)	4.5V, 10V	37mohm @ 10a, 10V	2.7V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	2000 pf @ 50 v	-	2.5W (TA), 63W (TC)
AOTF2910L	1.2500	RFQ	28	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF2910	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1615-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널				100 v	22A (TC)	4.5V, 10V	24mohm @ 20a, 10V	2.7V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 20V	1190 pf @ 50 v	-	2.1W (TA), 27W (TC)
AOB190A60CL	2.8400	RFQ	1	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB190	MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널				600 v	20A (TC)	10V	190mohm @ 7.6a, 10V	4.6V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 30V	1935 pf @ 100 v	-	208W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²