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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
AOD210_001	-	RFQ	6396	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD21	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				30 v	23A (TA), 70A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	58 NC @ 10 v	± 20V	4300 pf @ 15 v	-	2.7W (TA), 150W (TC)
AO4435_201	-	RFQ	2003	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널				30 v	10.5A (TA)	5V, 20V	14mohm @ 11a, 20V	3V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 25V	1400 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOI530	-	RFQ	8675	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK		AOI53	MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1649-5	귀 99	8541.29.0095	3,500		n 채널				30 v	23A (TA), 70A (TC)	4.5V, 10V	2.7mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	62 NC @ 10 v	± 20V	3130 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 83W (TC)
AONS66524	0.7509	RFQ	2668	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AONS665	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aons66524tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				150 v	13A (TA), 56A (TC)	8V, 10V	16MOHM @ 20A, 10V	3.7V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	1780 pf @ 75 v	-	6.2W (TA), 119W (TC)
AO4423L	-	RFQ	7181	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				30 v	17A (TA)	6V, 20V	6.2mohm @ 15a, 20V	2.6V @ 250µA	57 NC @ 10 v	± 25V	3033 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOZ5117QI	2.5700	RFQ	6	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	31-powervfqfn 모듈	MOSFET	AOZ5117				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1 단계		60 a		-
aony36356	1.0800	RFQ	7222	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		aony363	MOSFET (금속 (()	2.9W (TA), 22W (TC), 3.4W (TA), 33W (TC)	8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널					30V	17.5A (TA), 32A (TC), 24A (TA), 32A (TC)		6.1MOHM @ 20A, 10V	2.1V @ 250µA	20NC @ 10V		920pf @ 15V	기준
AO6604L_001	-	RFQ	3111	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AO660	MOSFET (금속 (()	1.1W	6TSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	n 보완 p 채널 및					20V	3.4a, 2.5a		60mohm @ 3.4a, 4.5v	1V @ 250µA	3.8nc @ 4.5v		320pf @ 10V	논리 논리 게이트
AON6758_103	-	RFQ	8010	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드		Aon67	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	27A (TA), 32A (TC)	4.5V, 10V	3.6MOHM @ 20A, 10V	2.4V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	1975 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	4.1W (TA), 41W (TC)
AON7568	0.1979	RFQ	7670	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		Aon75	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				30 v	25A (TA), 32A (TC)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	2270 pf @ 15 v	-	5W (TA), 28W (TC)
AOZ5047QIS-01	0.9480	RFQ	6281	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	24-powertfqfn		AOZ5047				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000
AOI516_001	-	RFQ	5993	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK		AOI51	MOSFET (금속 (()		TO-251B	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				30 v	18A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1229 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AON7422GS	-	RFQ	8087	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	테이프 & tr (TR)	활동적인					AON742				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000
AO4852	-	RFQ	6359	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO485	MOSFET (금속 (()	1.4W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)					60V	3A		90mohm @ 3a, 10V	2.6V @ 250µA	9.2NC @ 10V		450pf @ 30V	논리 논리 게이트
AoT7N60	0.5560	RFQ	2064	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT7	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1189-5	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				600 v	7A (TC)	10V	1.2ohm @ 3.5a, 10V	4.5V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 30V	1035 pf @ 25 v	-	192W (TC)
AON7140	0.7300	RFQ	2389	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn		AON714	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3.3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				40 v	50A (TC)	4.5V, 10V	2.3MOHM @ 20A, 10V	2.4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	3350 pf @ 20 v	-	46W (TC)
AON7450	-	RFQ	7221	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AON745	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				100 v	5.6A (TA), 21A (TC)	8V, 10V	48mohm @ 7.8a, 10V	4.1V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 25V	1090 pf @ 50 v	-	3.1W (TA), 43W (TC)
AONR36328	0.1309	RFQ	7822	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AONR363	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-Aonr36328tr	귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				30 v	15A (TA), 20A (TC)	4.5V, 10V	8.4mohm @ 20a, 10V	2.1V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 16V	700 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 24W (TC)
AON2801L#A.	-	RFQ	7828	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드		AON280	MOSFET (금속 (()	1.5W	6-DFN (2x2)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 p 채널 (채널)					20V	3A		120mohm @ 3a, 4.5v	1V @ 250µA	6.5NC @ 4.5V		700pf @ 10V	논리 논리 게이트
AONS30300	1.2862	RFQ	1110	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aons303	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aons30300tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	88A (TA), 710A (TC)	4.5V, 10V	0.58mohm @ 20a, 10V	1.6V @ 250µA	150 nc @ 10 v	± 20V	12215 pf @ 15 v	-	7.5W (TA), 483W (TC)
AoT210L	-	RFQ	9452	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT210	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				30 v	20A (TA), 105A (TC)	4.5V, 10V	2.9mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	58 NC @ 10 v	± 20V	4300 pf @ 15 v	-	1.9W (TA), 176W (TC)
AOD1R4A70	0.4939	RFQ	4333	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		aod1r4	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				700 v	3.8A (TC)	10V	1.4ohm @ 1a, 10V	4.1V @ 250µA	8 nc @ 10 v	± 20V	354 pf @ 100 v	-	48W (TC)
AO6808	-	RFQ	9801	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AO680	MOSFET (금속 (()	800MW	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수					20V	4.6a		23mohm @ 6a, 4.5v	1V @ 250µA	21NC @ 10V		780pf @ 10V	논리 논리 게이트
AO8810#a	-	RFQ	1489	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		AO881	MOSFET (금속 (()	1.5W	8-tssop	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수					20V	7a		20mohm @ 7a, 4.5v	1.1V @ 250µA	14NC @ 4.5V		1295pf @ 10V	논리 논리 게이트
AOC3870	-	RFQ	4591	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-smd,, 없음		AOC387	MOSFET (금속 (()	2.2W (TA)	10- 알파드프 (alphadfn) (3.01x1.52)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	8,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수					12V	25A (TA)		2.8mohm @ 5a, 4.5v	1.1V @ 250µA	32NC @ 4.5V		-	-
AOI516_002	-	RFQ	1023	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK		AOI51	MOSFET (금속 (()		TO-251B	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				30 v	18A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1229 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AO3487	-	RFQ	2353	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO3487tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				30 v	4.3A (TA)	4.5V, 10V	48mohm @ 4.3a, 10V	2.4V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 20V	520 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AOZ5277QI	3.2000	RFQ	20	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	39-powervfqfn	MOSFET	AOZ5277				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1 단계		60 a	20 v	-
AON7230	0.5219	RFQ	7179	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn		Aon72	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3.3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				100 v	47A (TC)	4.5V, 10V	11.5mohm @ 13a, 10V	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 20V	2320 pf @ 50 v	-	54W (TC)
AON6918	-	RFQ	3278	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-wdfn n 패드		AON691	MOSFET (금속 (()	2W, 2.2W	8-DFN-EP (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 교량)					25V	15a, 26.5a		5.2MOHM @ 20A, 10V	2.3V @ 250µA	21NC @ 10V		1560pf @ 15V	논리 논리 게이트

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²