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불연속 불연속 제품 (2357)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
aony36356	1.0800	RFQ	7222	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		aony363	MOSFET (금속 (()	2.9W (TA), 22W (TC), 3.4W (TA), 33W (TC)	8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널					30V	17.5A (TA), 32A (TC), 24A (TA), 32A (TC)		6.1MOHM @ 20A, 10V	2.1V @ 250µA	20NC @ 10V		920pf @ 15V	기준
AO6604L_001	-	RFQ	3111	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AO660	MOSFET (금속 (()	1.1W	6TSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	n 보완 p 채널 및					20V	3.4a, 2.5a		60mohm @ 3.4a, 4.5v	1V @ 250µA	3.8nc @ 4.5v		320pf @ 10V	논리 논리 게이트
AON6918	-	RFQ	3278	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-wdfn n 패드		AON691	MOSFET (금속 (()	2W, 2.2W	8-DFN-EP (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 교량)					25V	15a, 26.5a		5.2MOHM @ 20A, 10V	2.3V @ 250µA	21NC @ 10V		1560pf @ 15V	논리 논리 게이트
AO3404_101	-	RFQ	1333	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	5A (TA)	4.5V, 10V	31mohm @ 5a, 10V	2.4V @ 250µA	6.3 NC @ 10 v	± 20V	310 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AON7536	-	RFQ	1161	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn		Aon75	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3.3x3.3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	24A (TA), 68A (TC)	4.5V, 10V	4.2MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	2350 pf @ 15 v	-	4.1W (TA), 32.5W (TC)
AOD4124	-	RFQ	8942	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD41	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				100 v	7.5A (TA), 54A (TC)	7V, 10V	21mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 25V	2420 pf @ 50 v	-	3.1W (TA), 150W (TC)
AOZ5277QI	3.2000	RFQ	20	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	39-powervfqfn	MOSFET	AOZ5277				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1 단계		60 a	20 v	-
AON7230	0.5219	RFQ	7179	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn		Aon72	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3.3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				100 v	47A (TC)	4.5V, 10V	11.5mohm @ 13a, 10V	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 20V	2320 pf @ 50 v	-	54W (TC)
AoT2500L	4.1700	RFQ	7122	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT2500	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1650-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널				150 v	11.5A (TA), 152A (TC)	6V, 10V	6.5mohm @ 20a, 10V	3.5V @ 250µA	136 NC @ 10 v	± 20V	6460 pf @ 75 v	-	2.1W (TA), 375W (TC)
AOL1712	-	RFQ	7993	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SRFET ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	3-powersmd, 평평한 리드		AOL17	MOSFET (금속 (()		초음파 8 ™	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	16A (TA), 65A (TC)	4.5V, 10V	4.2MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 12V	5120 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	2.1W (TA), 100W (TC)
AOI516_001	-	RFQ	5993	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK		AOI51	MOSFET (금속 (()		TO-251B	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				30 v	18A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1229 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AON7568	0.1979	RFQ	7670	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		Aon75	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				30 v	25A (TA), 32A (TC)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	2270 pf @ 15 v	-	5W (TA), 28W (TC)
AON6292	1.1482	RFQ	8076	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon62	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				100 v	24A (TA), 85A (TC)	6V, 10V	6MOHM @ 20A, 10V	3.4V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 20V	3830 pf @ 50 v	-	7.3W (TA), 156W (TC)
AO3420L_103	-	RFQ	7381	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					AO34				다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000							6A (TA)
AO4304_001	-	RFQ	7830	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO43			8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000							-	4.5V, 10V				± 20V
AON6428	-	RFQ	7523	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON642	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	11A (TA), 43A (TC)	4.5V, 10V	10MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	17.8 nc @ 10 v	± 20V	770 pf @ 15 v	-	2W (TA), 30W (TC)
AO4423_101	-	RFQ	2734	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널				30 v	17A (TA)	6V, 20V	6.2mohm @ 15a, 20V	2.6V @ 250µA	57 NC @ 10 v	± 25V	3033 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AON6538	-	RFQ	7085	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON653	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	30A (TA), 75A (TC)	4.5V, 10V	4MOHM @ 20A, 10V	2.4V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1315 pf @ 15 v	-	5.6W (TA), 35.5W (TC)
AO3415L_107	-	RFQ	6907	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					AO34				다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000							4A (TA)
AON7400AL	-	RFQ	2753	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드		AON740	MOSFET (금속 (()		8-DFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				30 v	15A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	1380 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 25W (TC)
AO3415B	-	RFQ	8326	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	대부분	쓸모없는			-		AO34	-		-	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1														-
AO4812_101	-	RFQ	2480	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO481	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)					30V	6A		30mohm @ 6a, 10V	2.4V @ 250µA	6.3NC @ 10V		310pf @ 15V	-
AO7414_001	-	RFQ	2099	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323		AO741	MOSFET (금속 (()		SC-70-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1		n 채널				20 v	2A (TA)	1.8V, 4.5V	62mohm @ 2a, 4.5v	1V @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 v	± 8V	320 pf @ 10 v	-	350MW (TA)
AON7407	0.6400	RFQ	162	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AON740	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		p 채널				20 v	14.5A (TA), 40A (TC)	1.8V, 4.5V	9.5mohm @ 14a, 4.5v	900MV @ 250µA	53 NC @ 4.5 v	± 8V	4195 pf @ 10 v	-	3.1W (TA), 29W (TC)
AON4605_002	-	RFQ	6100	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					AON460				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000							-
AIM5D05B060M1S	6.0923	RFQ	5899	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	23-powerdip ip (0.748 ", 19.00mm)	IGBT	AIM5D05				-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AIM5D05B060M1S	귀 99	8542.39.0001	90	3 상 인버터		5 a	600 v	2000VRMS
AO3416L	-	RFQ	6540	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				20 v	6.5A (TA)	1.8V, 4.5V	22mohm @ 6.5a, 4.5v	1V @ 250µA	16 nc @ 4.5 v	± 8V	1160 pf @ 10 v	-	1.4W (TA)
AON6442	1.1900	RFQ	7893	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON644	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				40 v	22A (TA), 32A (TC)	4.5V, 10V	4.8mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	2200 pf @ 20 v	-	4.2W (TA), 35.7W (TC)
AOT780A70L	0.7092	RFQ	3354	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT780	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AoT780A70LTR	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				700 v	7A (TC)	10V	780mohm @ 1.4a, 10V	4.1V @ 250µA	11.5 nc @ 10 v	± 20V	675 pf @ 100 v	-	89W (TC)
AOD4120	-	RFQ	8856	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD41	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				20 v	25A (TC)	2.5V, 10V	18mohm @ 20a, 10V	2V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 16V	900 pf @ 10 v	-	2.5W (TA), 33W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²