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불연속 불연속 제품 (2357)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
AO4454L	-	RFQ	4929	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					AO44				다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	3,000
AoTF3N50	-	RFQ	8242	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF3	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				500 v	3A (TC)	10V	3ohm @ 1.5a, 10V	4.5V @ 250µA	8 nc @ 10 v	± 30V	331 pf @ 25 v	-	31W (TC)
AOB12N60FDL	-	RFQ	3810	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB12	MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널				600 v	12A (TC)	10V	650mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 30V	2010 pf @ 25 v	-	278W (TC)
AOB66918L	4.3664	RFQ	8306	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB66918	MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AOB66918LTR	귀 99	8541.29.0095	800		n 채널				100 v	33A (TA), 120A (TC)	8V, 10V	5MOHM @ 20A, 10V	3.7V @ 250µA	105 NC @ 10 v	± 20V	6500 pf @ 50 v	-	10W (TA), 375W (TC)
AON6482	1.3100	RFQ	111	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON648	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				100 v	5.5A (TA), 28A (TC)	4.5V, 10V	37mohm @ 10a, 10V	2.7V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	2000 pf @ 50 v	-	2.5W (TA), 63W (TC)
AO4952	-	RFQ	8744	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SRFET ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO495	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)					30V	11a		10.5mohm @ 11a, 10V	2.5V @ 250µA	15NC @ 10V		605pf @ 15V	논리 논리 게이트
AON7202_101	-	RFQ	2657	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		Aon72	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				30 v	20A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 20A, 10V	2.3V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	2200 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 36W (TC)
AON7754	-	RFQ	1100	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		Aon77	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				30 v	24A (TA), 32A (TC)	4.5V, 10V	3.6MOHM @ 20A, 10V	2.4V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	1975 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	3.1W (TA), 70W (TC)
AOD450	0.2327	RFQ	3019	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD45	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				200 v	3.8A (TC)	10V	700mohm @ 3.8a, 15V	6V @ 250µA	3.82 NC @ 10 v	± 30V	215 pf @ 25 v	-	2.1W (TA), 25W (TC)
AOT474_001	-	RFQ	4933	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는		구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT47			TO-220	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	50							-
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AO4290A	0.7088	RFQ	6606	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO42	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				100 v	15.5A (TA)	4.5V, 10V	6.4mohm @ 15.5a, 10V	2.3V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 20V	4525 pf @ 50 v	-	3.1W (TA)
AON7440	-	RFQ	8226	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn		AON744	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3.3x3.3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	28A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	2.8mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 20V	2820 pf @ 15 v	-	4.2W (TA), 42W (TC)
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AON2801L#A.	-	RFQ	7828	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드		AON280	MOSFET (금속 (()	1.5W	6-DFN (2x2)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 p 채널 (채널)					20V	3A		120mohm @ 3a, 4.5v	1V @ 250µA	6.5NC @ 4.5V		700pf @ 10V	논리 논리 게이트
AONR36328	0.1309	RFQ	7822	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AONR363	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-Aonr36328tr	귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				30 v	15A (TA), 20A (TC)	4.5V, 10V	8.4mohm @ 20a, 10V	2.1V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 16V	700 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 24W (TC)
AON7450	-	RFQ	7221	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AON745	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				100 v	5.6A (TA), 21A (TC)	8V, 10V	48mohm @ 7.8a, 10V	4.1V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 25V	1090 pf @ 50 v	-	3.1W (TA), 43W (TC)
AOD2910E	0.4204	RFQ	9424	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD291			TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500							37A (TC)
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Aon6108fh	-	RFQ	6232	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-	-		AON6108	-		-	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aon6108fhtr	쓸모없는		3,000		-					-	-	-	-		-		-	-
AOB29S50L	4.6100	RFQ	5042	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB29S50	MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널				500 v	29A (TC)	10V	150mohm @ 14.5a, 10V	3.9V @ 250µA	26.6 NC @ 10 v	± 30V	1312 pf @ 100 v	-	357W (TC)
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aon6366e	0.3487	RFQ	5108	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon63	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	34A (TC)	4.5V, 10V	3.7mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	3020 pf @ 15 v	-	46W (TC)
AON2803	0.2376	RFQ	7954	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드		AON280	MOSFET (금속 (()	1.5W	6-DFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)					20V	3.8a		70mohm @ 3.8a, 4.5v	1V @ 250µA	12NC @ 4.5V		560pf @ 10V	논리 논리 게이트
AIP5N15K060Q4	8.0450	RFQ	2506	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	23-powerdip ip (0.748 ", 19.00mm)	IGBT	AIP5				다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AIP5N15K060Q4	귀 99	8542.39.0001	90	3 상 인버터		15 a	600 v	2000VRMS
AoT22N50L	1.3444	RFQ	9201	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AoT22N50	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				500 v	22A (TC)	10V	260mohm @ 11a, 10V	4.5V @ 250µA	83 NC @ 10 v	± 30V	3710 pf @ 25 v	-	417W (TC)
AO4435_201	-	RFQ	2003	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널				30 v	10.5A (TA)	5V, 20V	14mohm @ 11a, 20V	3V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 25V	1400 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOTF4S60	0.6993	RFQ	9030	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF4	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				600 v	4A (TC)	10V	900mohm @ 2a, 10V	4.1V @ 250µA	6 nc @ 10 v	± 30V	263 pf @ 100 v	-	31W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²