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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
AOD5N50	0.3289	RFQ	6933	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD5	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				500 v	5A (TC)	10V	1.6ohm @ 2.5a, 10V	4.5V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 30V	670 pf @ 25 v	-	104W (TC)
AO6409_102	-	RFQ	2671	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AO640	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널				20 v	5.5A (TA)	1.8V, 4.5V	45mohm @ 5a, 4.5v	1V @ 250µA	17.2 nc @ 4.5 v	± 8V	1450 pf @ 10 v	-	2.1W (TA)
AONL32330R	-	RFQ	5635	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는					AONL323	-			-			영향을받지 영향을받지	785-Aonl32330R			1														-
AON2880	-	RFQ	9967	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드		AON288	MOSFET (금속 (()	2W	8-DFN-EP (2x2)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수					20V	7a		21.5mohm @ 5a, 4.5v	1V @ 250µA	9NC @ 4.5V		600pf @ 10V	논리 논리 게이트
AO3438	-	RFQ	7897	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형		AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	6,000		n 채널				20 v	3A (TA)	1.8V, 4.5V	62mohm @ 3a, 4.5v	1V @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 v	± 8V	320 pf @ 10 v	-	1.4W (TA)
AOB284L	-	RFQ	1187	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB284	MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널				80 v	16A (TA), 105A (TC)	6V, 10V	4.3MOHM @ 20A, 10V	3.3V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V	5154 pf @ 40 v	-	2.1W (TA), 250W (TC)
AON6590_002	-	RFQ	1325	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON659	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-Aon6590_002tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				40 v	67A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	0.99mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V	8320 pf @ 20 v	-	7.3W (TA), 208W (TC)
AO4822_101	-	RFQ	5010	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO482	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)					30V	8a		19mohm @ 8a, 10V	2.4V @ 250µA	18NC @ 10V		888pf @ 15V	-
AO4619	-	RFQ	3556	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO461	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널					30V	-		24mohm @ 7.4a, 10V	2.6V @ 250µA	7.2NC @ 10V		448pf @ 15V	논리 논리 게이트
AON6144	1.7200	RFQ	11	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon61	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				40 v	100A (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	70 nc @ 10 v	± 20V	3780 pf @ 20 v	-	78W (TC)
AoT7N60	0.5560	RFQ	2064	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT7	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1189-5	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				600 v	7A (TC)	10V	1.2ohm @ 3.5a, 10V	4.5V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 30V	1035 pf @ 25 v	-	192W (TC)
AIM5D05B060M1S	6.0923	RFQ	5899	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	23-powerdip ip (0.748 ", 19.00mm)	IGBT	AIM5D05				-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AIM5D05B060M1S	귀 99	8542.39.0001	90	3 상 인버터		5 a	600 v	2000VRMS
AO4803L	-	RFQ	9582	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO4803	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 p 채널 (채널)					30V	5a		52mohm @ 5a, 10V	2.4V @ 250µA	11nc @ 10V		520pf @ 15V	-
AON2405	0.2051	RFQ	7274	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드		AON24	MOSFET (금속 (()		6-DFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				20 v	8A (TA)	1.5V, 4.5V	32mohm @ 8a, 4.5v	900MV @ 250µA	18 nc @ 4.5 v	± 8V	1025 pf @ 10 v	-	2.8W (TA)
AOTF266L	2.9100	RFQ	111	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF266	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1443-5	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				60 v	18A (TA), 78A (TC)	6V, 10V	3.5mohm @ 20a, 10V	3.2V @ 250µA	90 NC @ 10 v	± 20V	5650 pf @ 30 v	-	2.1W (TA), 45.5W (TC)
AOCA32301	0.2934	RFQ	6050	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 없음		AOCA323	MOSFET (금속 (()	1.9W (TA)	4- 알파드프 (alphadfn) (1.9x1.3)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aoca32301tr	귀 99	8541.29.0095	8,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수					30V	9A (TA)		18mohm @ 4a, 10V	1.9V @ 250µA	24.5NC @ 10V		-	기준
AOZ5239QI_9	-	RFQ	1819	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	31-powervfqfn 모듈	MOSFET	AOZ5239				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aoz5239qi_9tr	귀 99	8542.39.0001	3,000	1 단계		50 a		-
AO4576	0.6000	RFQ	2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO45	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	20A (TA)	4.5V, 10V	5.8mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	22.5 nc @ 10 v	± 20V	951 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AON7254	1.3300	RFQ	1	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn		Aon72	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3.3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				150 v	5.5A (TA), 17A (TC)	4.5V, 10V	54mohm @ 5a, 10V	2.7V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	675 pf @ 75 v	-	4.1W (TA), 39W (TC)
AOD1R4A70	0.4939	RFQ	4333	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		aod1r4	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				700 v	3.8A (TC)	10V	1.4ohm @ 1a, 10V	4.1V @ 250µA	8 nc @ 10 v	± 20V	354 pf @ 100 v	-	48W (TC)
AON6262E	1.1300	RFQ	33	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon62	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				60 v	40A (TC)	4.5V, 10V	6.2MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 20V	1650 pf @ 30 v	-	48W (TC)
AON7474A	-	RFQ	2638	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AON747	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				75 v	4A (TA), 7.5A (TC)	4.5V, 10V	130mohm @ 5a, 10V	1.6V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 16V	280 pf @ 37.5 v	-	4.1W (TA), 15.5W (TC)
AOD514_050	-	RFQ	6563	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD51	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				30 v	17A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 20a, 10V	2.6V @ 250µA	22.5 nc @ 10 v	± 20V	951 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AO6408	-	RFQ	6092	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AO640	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				20 v	8.8A (TA)	1.8V, 10V	18mohm @ 8.8a, 10V	1V @ 250µA	22 nc @ 4.5 v	± 12V	2200 pf @ 10 v	-	2W (TA)
AOZ5517QI_2	2.5000	RFQ	3	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	31-powervfqfn 모듈	MOSFET	AOZ5517				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1 단계		60 a		-
AOZ5018QI	3.0100	RFQ	3	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	31-powervfqfn 모듈	MOSFET	AOZ5018				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	3 단계		65 a	25 v	-
AO4714	-	RFQ	9282	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SRFET ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO47	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	20A (TA)	4.5V, 10V	4.7mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	74 NC @ 10 v	± 20V	4512 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	3W (TA)
AOV20S60	1.7931	RFQ	9370	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-powertsfn		AOV20	MOSFET (금속 (()		4-DFN (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,500		n 채널				600 v	3.6A (TA), 18A (TC)	10V	250mohm @ 10a, 10V	4.1V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 30V	1038 pf @ 100 v	-	8.3W (TA), 278W (TC)
AOTF27S60L	4.0100	RFQ	5	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF27	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널				600 v	27A (TC)	10V	160mohm @ 13.5a, 10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 30V	1294 pf @ 100 v	-	50W (TC)
AOTF11S60_900	-	RFQ	3600	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-	-	-		AOTF11	MOSFET (금속 (()		-	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널					-	-	-	-		-		-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²