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불연속 불연속 제품 (2357)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
AOSP36326C	0.4600	RFQ	87	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AOSP363	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	12A (TA)	4.5V, 10V	11mohm @ 12a, 10V	2.3V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 20V	542 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
AON6734	-	RFQ	2667	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	Aon67	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	37A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	2.8mohm @ 20a, 10V	2V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 12V	1900 pf @ 15 v	-	6.2W (TA), 32.2W (TC)
AO8818	-	RFQ	1238	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	AO881	MOSFET (금속 (()	1.5W	8-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수		30V	-		18mohm @ 7a, 10V	1.5V @ 250µA	14NC @ 4.5V		1060pf @ 15V	논리 논리 게이트
AOD256_001	-	RFQ	6662	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD25	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	150 v	3A (TA), 19A (TC)	4.5V, 10V	85mohm @ 10a, 10V	2.8V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1165 pf @ 75 v	-	2.5W (TA), 83W (TC)
AON7400A	0.4200	RFQ	81	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AON740	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	30 v	15A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	1380 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 25W (TC)
AOTF8N50L_004	-	RFQ	4271	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는				AOTF8				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AOTF8N50L_004	귀 99	8541.29.0095	1,000
AO4854	0.2148	RFQ	8719	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO485	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	8a		19mohm @ 8a, 10V	2.4V @ 250µA	18NC @ 10V		888pf @ 15V	논리 논리 게이트
AOD3N80	1.4900	RFQ	2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD3	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	800 v	2.8A (TC)	10V	4.8ohm @ 1.5a, 10V	4.5V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 30V	510 pf @ 25 v	-	83W (TC)
AO4202	-	RFQ	3360	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO42	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	19A (TA)	4.5V, 10V	5.3mohm @ 19a, 10V	2.3V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	2200 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AON6774	-	RFQ	9838	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	Aon67	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	44A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	2.05mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	3000 pf @ 15 v	-	6.2W (TA), 48W (TC)
AON2290	0.6100	RFQ	291	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	Aon22	MOSFET (금속 (()		6-DFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	4.5A (TA)	4.5V, 10V	72mohm @ 4.5a, 10V	2.8V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	415 pf @ 50 v	-	2.8W (TA)
AOC2415	-	RFQ	6836	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 없음	AOC24	MOSFET (금속 (()		4- 알파드프 (alphadfn) (1.57x1.57)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	3.5A (TA)	1.5V, 4.5V	33mohm @ 1.5a, 4.5v	1V @ 250µA	28 NC @ 4.5 v	± 8V	1685 pf @ 10 v	-	550MW (TA)
AOT502	-	RFQ	2713	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT5	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	33 v	9A (TA), 60A (TC)	10V	11.5mohm @ 30a, 10V	2.7V @ 250µA	28 nc @ 10 v	-	1450 pf @ 15 v	-	1.9W (TA), 79W (TC)
AON2705	-	RFQ	5447	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드	Aon27	MOSFET (금속 (()		6-DFN (2x2)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	3A (TA)	4.5V, 10V	108mohm @ 3a, 10V	2.3V @ 250µA	6 nc @ 10 v	± 20V	180 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	1.5W (TA)
AON6200L	-	RFQ	7833	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	Aon62	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	13A (TA), 24A (TC)	4.5V, 10V	7.8mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 15 v	-	1.95W (TA), 35W (TC)
AOI4T60p	-	RFQ	9406	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK	AOI4	MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	80		n 채널	600 v	4A (TC)	10V	2.1ohm @ 2a, 10V	5V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 30V	522 pf @ 100 v	-	83W (TC)
AOB280L	2.4890	RFQ	8433	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AOB280	MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	80 v	20.5A (TA), 140A (TC)	6V, 10V	2.2MOHM @ 20A, 10V	3.4V @ 250µA	224 NC @ 10 v	± 20V	11135 pf @ 40 v	-	2.1W (TA), 333W (TC)
AONR32314	0.1497	RFQ	5241	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	AONR323	MOSFET (금속 (()		8-DFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	17A (TA), 30A (TC)	4.5V, 10V	8.7mohm @ 17a, 10V	2.25V @ 250µA	32 NC @ 10 v	± 20V	1420 pf @ 15 v	-	4.1W (TA), 24W (TC)
AON6596	-	RFQ	9723	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON659	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	20A (TA), 35A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1150 pf @ 15 v	-	5W (TA), 41W (TC)
AOT190A60CL	2.4800	RFQ	7912	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT190	MOSFET (금속 (()		TO-220	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AOT190A60CL	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	20A (TC)	10V	190mohm @ 7.6a, 10V	4.6V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 30V	1935 pf @ 100 v	-	208W (TC)
AOV15S60	1.4244	RFQ	7033	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-powertsfn	AOV15	MOSFET (금속 (()		4-DFN (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,500		n 채널	600 v	520MA (TA), 12A (TC)	10V	360mohm @ 7.5a, 10V	3.8V @ 250µA	15.6 NC @ 10 v	± 30V	717 pf @ 100 v	-	8.3W (TA), 208W (TC)
AOB2918L	-	RFQ	3066	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AOB2918	MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	100 v	13A (TA), 90A (TC)	10V	7mohm @ 20a, 10V	3.9V @ 250µA	53 NC @ 10 v	± 20V	3430 pf @ 50 v	-	2.1W (TA), 267W (TC)
AOL1454	0.4322	RFQ	7829	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	3-powersmd, 평평한 리드	AOL14	MOSFET (금속 (()		초음파 8 ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	12A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	9MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1920 pf @ 20 v	-	2.1W (TA), 60W (TC)
AOTF8T50P	-	RFQ	8162	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF8	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	8A (TC)	10V	810mohm @ 4a, 10V	5V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 30V	905 pf @ 100 v	-	38W (TC)
AoT16N50	1.0079	RFQ	9369	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT16	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	16A (TC)	10V	370mohm @ 8a, 10V	4.5V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 30V	2297 pf @ 25 v	-	278W (TC)
AON4803	-	RFQ	9666	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	AON480	MOSFET (금속 (()	1.7W	8-DFN (3x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	3.4a		90mohm @ 3.4a, 4.5v	1V @ 250µA	8NC @ 4.5V		745pf @ 10V	논리 논리 게이트
AONR62921	0.6733	RFQ	4871	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				AONR629				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000
AO7408	0.0977	RFQ	1915	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	AO740	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	2A (TA)	1.8V, 4.5V	62mohm @ 2a, 4.5v	1V @ 250µA	4 NC @ 4.5 v	± 8V	320 pf @ 10 v	-	350MW (TA)
AON6996	0.4645	RFQ	8846	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON699	MOSFET (금속 (()	3.1W	8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널) 비대칭		30V	50a, 60a		5.2MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	13NC @ 10V		820pf @ 15V	-
AOTF6N90	0.7844	RFQ	9382	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF6	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	900 v	6A (TC)	10V	2.2ohm @ 3a, 10V	4.5V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 30V	1450 pf @ 25 v	-	50W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²