전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AO7415 | 0.1579 | ![]() | 7045 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | AO741 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2A (TA) | 2.5V, 10V | 100mohm @ 2a, 10V | 1.4V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 12V | 620 pf @ 10 v | - | 630MW (TA) | ||||
AON6260 | 1.2247 | ![]() | 2464 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | Aon62 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 41A (TA), 85A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 115 NC @ 10 v | ± 20V | 5578 pf @ 30 v | - | 7.3W (TA), 104W (TC) | |||||
![]() | AO4403 | 0.2390 | ![]() | 7538 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 6A (TA) | 2.5V, 10V | 46MOHM @ 6.1A, 10V | 1.3V @ 250µA | 11.3 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1128 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | ||||
![]() | AOD66920 | 1.3400 | ![]() | 148 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD66 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 19.5A (TA), 70A (TC) | 4.5V, 10V | 8.2MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 50 v | - | 6.2W (TA), 89W (TC) | ||||
AON6440 | - | ![]() | 9612 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON644 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 20A (TA), 85A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 97 NC @ 10 v | ± 20V | 6000 pf @ 20 v | - | 2.3W (TA), 83W (TC) | |||||
![]() | AO3401AL_DELTA | - | ![]() | 1199 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | AO34 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 4.3A (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | aony36354 | 1.0700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | aony363 | MOSFET (금속 (() | 3.1W (TA), 21W (TC), 3.1W (TA), 31.5W (TC) | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 30V | 18.5A (TA), 49A (TC), 27A (TA), 85A (TC) | 5.3MOHM @ 20A, 10V, 2.6MOHM @ 20A, 10V | 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA | 20NC @ 10V, 40NC @ 10V | 820pf @ 15v, 1890pf @ 15v | - | ||||||
![]() | AOI482 | - | ![]() | 4626 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | AOI48 | MOSFET (금속 (() | TO-251A | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,500 | n 채널 | 100 v | 5A (TA), 32A (TC) | 4.5V, 10V | 37mohm @ 10a, 10V | 2.7V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 2000 pf @ 50 v | - | 2.5W (TA), 100W (TC) | |||||
![]() | AoT262L | 1.4981 | ![]() | 1448 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT262 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1413-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 20A (TA), 140A (TC) | 6V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 3.2V @ 250µA | 115 NC @ 10 v | ± 20V | 9800 pf @ 30 v | - | 2.1W (TA), 333W (TC) | |||
![]() | AOU2N60_001 | - | ![]() | 1825 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | aou2 | MOSFET (금속 (() | TO-251-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 25 v | - | 56.8W (TC) | |||||
![]() | AOD254_001 | - | ![]() | 8352 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD25 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 150 v | 4.5A (TA), 28A (TC) | 4.5V, 10V | 46MOHM @ 20A, 10V | 2.7V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 2150 pf @ 75 v | - | 2.5W (TA), 115W (TC) | |||||
![]() | AO4447A_DELTA | - | ![]() | 5087 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AO4447A_DELTATT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 18.5A (TA) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 18.5a, 10V | 2.2V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 5020 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | |||
![]() | AOTF66811L | 1.4786 | ![]() | 9780 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt2 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF66811 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-AoTF66811LTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 39A (TA), 80A (TC) | 8V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 3.8V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 5750 pf @ 40 v | - | 8.3W (TA), 34W (TC) | ||||
![]() | AOT12N60 | - | ![]() | 5567 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT12 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1192-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4.5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 2100 pf @ 25 v | - | 278W (TC) | |||
![]() | AO4452 | - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 8A (TA) | 7V, 10V | 25mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 25V | 2200 pf @ 50 v | - | 3.1W (TA) | |||||
AON6514 | - | ![]() | 1569 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON651 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 23A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 5MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 22.5 nc @ 10 v | ± 20V | 951 pf @ 15 v | - | 4.1W (TA), 25W (TC) | ||||||
AON6276 | 1.2346 | ![]() | 7857 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | Aon62 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 100A (TC) | 6V, 10V | 2.6MOHM @ 20A, 10V | 3.2V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 4940 pf @ 40 v | - | 215W (TC) | |||||
![]() | AONX36320 | 1.0012 | ![]() | 9566 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | AONX363 | MOSFET (금속 (() | 4.1W (TA), 24W (TC), 5W (TA), 75W (TC) | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-aonx36320tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 30V | 22A (TA), 22A (TC), 60A (TA), 85A (TC) | 4.25mohm @ 20a, 10v, 820µohm @ 30a, 10v | 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA | 25NC @ 10V, 150NC @ 10V | 1070pf @ 15V, 5550pf @ 15V | 기준 | ||||||
AOW2500 | 2.2403 | ![]() | 8319 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | AOW25 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 150 v | 11.5A (TA), 152A (TC) | 6V, 10V | 6.2MOHM @ 20A, 10V | 3.5V @ 250µA | 136 NC @ 10 v | ± 20V | 6460 pf @ 75 v | - | 2.1W (TA), 375W (TC) | |||||
![]() | AO4801AL | - | ![]() | 6020 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO480 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 5a | 48mohm @ 5a, 10V | 1.3V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | 780pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | AOTF280A60L | 1.0505 | ![]() | 7890 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF280 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOTF280A60L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 14A (TJ) | 10V | 280mohm @ 7a, 10V | 3.6V @ 250µA | 23.5 nc @ 10 v | ± 20V | 1350 pf @ 100 v | - | 30W (TC) | |||
![]() | AO4476AL_102 | - | ![]() | 6619 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 7.7mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 1380 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | |||||
![]() | AOB280A60L | 1.2807 | ![]() | 6107 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS5 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB280 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 14A (TC) | 10V | 280mohm @ 7a, 10V | 3.6V @ 250µA | 23.5 nc @ 10 v | ± 20V | 1350 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | ||||
![]() | AO4306 | - | ![]() | 1418 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO43 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | AONS66620 | 1.0100 | ![]() | 1098 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | Aons666 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 17.5A (TA), 24A (TC) | 8V, 10V | 9MOHM @ 20A, 10V | 3.6V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1070 pf @ 30 v | - | 5W (TA), 36.5W (TC) | |||||
![]() | AOD8N25 | 0.4160 | ![]() | 7088 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD8 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 250 v | 8A (TC) | 10V | 560mohm @ 1.5a, 10V | 4.3V @ 250µA | 7.2 NC @ 10 v | ± 30V | 306 pf @ 25 v | - | 78W (TC) | ||||
![]() | AON3414 | 0.4400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | AON341 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 10.5A (TA) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 9a, 10V | 2.4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 690 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | ||||
![]() | AOB4S60L | 0.8858 | ![]() | 9493 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB4S60 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 4A (TC) | 10V | 900mohm @ 2a, 10V | 4.1V @ 250µA | 6 nc @ 10 v | ± 30V | 263 pf @ 100 v | - | 83W (TC) | ||||
![]() | AOB2906 | - | ![]() | 9437 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB290 | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 800 | 122A (TC) | |||||||||||||||||
AOW25S65 | 2.1506 | ![]() | 2440 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | AOW25 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 25A (TC) | 10V | 190mohm @ 12.5a, 10V | 4V @ 250µA | 26.4 NC @ 10 v | ± 30V | 1278 pf @ 100 v | - | 357W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고