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불연속 불연속 제품 (2357)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
AON6220	-	RFQ	7813	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon62		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널					100 v	48A (TC)	4.5V, 10V	6.2MOHM @ 20A, 10V	2.3V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 20V	4525 pf @ 50 v	-	113.5W (TC)
AON7752_101	-	RFQ	1050	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		Aon77		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널					30 v	15A (TA), 16A (TC)	4.5V, 10V	8.2mohm @ 16a, 10V	2.5V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 20V	605 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 20W (TC)
AOI4S60	0.5821	RFQ	3383	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK		AOI4		MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,500		n 채널					600 v	4A (TC)	10V	900mohm @ 2a, 10V	4.1V @ 250µA	6 nc @ 10 v	± 30V	263 pf @ 100 v	-	56.8W (TC)
AOD442G	0.7600	RFQ	222	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD44		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널					60 v	13A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 20a, 10V	2.7V @ 250µA	68 NC @ 10 v	± 20V	1920 pf @ 30 v	-	6.2W (TA), 60W (TC)
AONS36306	0.5600	RFQ	7	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AONS363		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					30 v	28A (TA), 63A (TC)		5.2MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1000 pf @ 15 v	-	6.2W (TA), 31W (TC)
AONS66817	0.7231	RFQ	9788	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt2 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aons668		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aons66817tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					80 v	28A (TA), 120A (TC)	8V, 10V	4.1MOHM @ 20A, 10V	3.8V @ 250µA	54 NC @ 10 v	± 20V	2860 pf @ 40 v	-	6.2W (TA), 113W (TC)
AOCA32317	0.3699	RFQ	2285	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-smd,, 없음		AOCA323		MOSFET (금속 (()	3.1W (TA)	10- 알파드프 (alphadfn) (3.37x1.47)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aoca32317tr	귀 99	8541.29.0095	5,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수						30V	17A (TA)		7.3mohm @ 5a, 10V	2V @ 250µA	70NC @ 10V		-	기준
AON6454A_001	-	RFQ	2671	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON645				8-DFN (5x6)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000								-
AIM5D10B060M1S	6.2244	RFQ	9996	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	23-powerdip ip (0.748 ", 19.00mm)	IGBT	AIM5D10					-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AIM5D10B060M1S	귀 99	8542.39.0001	90	3 상 인버터			10 a	600 v	2000VRMS
AOT440	-	RFQ	1742	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT44		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널					40 v	15.5A (TA), 105A (TC)	4.5V, 10V	4.7mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	90 NC @ 10 v	± 20V	5600 pf @ 20 v	-	2.1W (TA), 150W (TC)
AOSP66406	0.2267	RFQ	6295	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AOSP664		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aosp66406tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					40 v	17A (TA)	4.5V, 10V	6.6mohm @ 17a, 10V	2.5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1480 pf @ 20 v	-	3.1W (TA)
AOB66620L	0.8807	RFQ	5113	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB66620		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AOB66620LTR	귀 99	8541.29.0095	800		n 채널					60 v	23A (TA), 57A (TC)	8V, 10V	8.5mohm @ 20a, 10V	3.6V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	1070 pf @ 30 v	-	8.3W (TA), 50W (TC)
AOT11N70	0.9211	RFQ	1065	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT11		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널					700 v	11A (TC)	10V	870mohm @ 5.5a, 10V	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 30V	2150 pf @ 25 v	-	271W (TC)
AOT10B65M2	2.0500	RFQ	837	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT10	기준		150 W.	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1762	귀 99	8541.29.0095	1,000			400V, 10A, 30ohm, 15V														262 ns	-	650 v	20 a	30 a	2V @ 15V, 10A	180µJ (on), 130µJ (OFF)	24 NC	12ns/91ns
AOW2502	-	RFQ	2004	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		AOW25		MOSFET (금속 (()		TO-262	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1728-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널					150 v	16A (TA), 106A (TC)	10V	10.7mohm @ 20a, 10V	5.1V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	3010 pf @ 75 v	-	6.2W (TA), 277W (TC)
AOB2608L	-	RFQ	3931	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB260		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널					60 v	11A (TA), 72A (TC)	10V	7.6MOHM @ 20A, 10V	3.6V @ 250µA	55 NC @ 10 v	± 20V	2995 pf @ 30 v	-	2.1W (TA), 100W (TC)
AOB254L	1.1025	RFQ	6768	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB254		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널					150 v	4.2A (TA), 32A (TC)	4.5V, 10V	46MOHM @ 20A, 10V	2.7V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	2150 pf @ 75 v	-	2.1W (TA), 125W (TC)
AON6512	1.1000	RFQ	104	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON651		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					30 v	54A (TA), 150A (TC)	4.5V, 10V	1.7mohm @ 20a, 10V	2V @ 250µA	64 NC @ 10 v	± 20V	3430 pf @ 15 v	-	7.4W (TA), 83W (TC)
AON6312	0.4601	RFQ	6760	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon63		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					30 v	85A (TC)	4.5V, 10V	1.85mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	65 nc @ 10 v	± 20V	3100 pf @ 15 v	-	50W (TC)
AOC2806	0.6100	RFQ	391	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-xdfn		AOC280		MOSFET (금속 (()	700MW	4-DFN (1.7x1.7)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수						-	-		-	-	12.5NC @ 4.5V		-	-
AON7406L	-	RFQ	4400	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-	-		AON740		-		-	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		-						-	-	-	-		-		-	-
AO4630	0.5200	RFQ	8	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO463		-	2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 보완 p 채널 및						30V	5a, 7a		28mohm @ 7a, 10V	1.45V @ 250µA	20NC @ 10V		670pf @ 15V	-
AO4914L	-	RFQ	3902	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO491		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)						30V	8a		20.5mohm @ 8a, 10V	2.4V @ 250µA	18NC @ 10V		865pf @ 15V	-
AON2403	0.6000	RFQ	3	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드		AON24		MOSFET (금속 (()		6-DFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널					12 v	8A (TA)	1.5V, 4.5V	21mohm @ 8a, 4.5v	900MV @ 250µA	18 nc @ 4.5 v	± 8V	1370 pf @ 6 v	-	2.8W (TA)
AO6810	-	RFQ	4473	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AO681		MOSFET (금속 (()	1.15W	6TSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)						30V	3.5a		50mohm @ 3.5a, 10V	2.5V @ 250µA	5NC @ 10V		210pf @ 15V	논리 논리 게이트
AON7400	-	RFQ	2365	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AON740		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					30 v	10A (TA), 26A (TC)	4.5V, 10V	12.5mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 12V	1452 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 35W (TC)
AOZ5038QI-05	1.2345	RFQ	3005	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	31-powervfqfn 모듈	MOSFET	AOZ5038					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1 단계			50 a		-
AOZ5276QI	5.9000	RFQ	40	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	39-powervfqfn	MOSFET	AOZ5276					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	3 단계			90 a	30 v	-
AOZ5508QI_2	1.9700	RFQ	5	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	22-powervfqfn 모듈	MOSFET	AOZ5508					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	1 단계			35 a		-
AO6601_001	-	RFQ	8473	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AO660		MOSFET (금속 (()	1.15W	6TSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	n 보완 p 채널 및						30V	3.4a, 2.3a		60mohm @ 3.4a, 10V	1.5V @ 250µA	12NC @ 10V		285pf @ 15V	논리 논리 게이트

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²