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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	현재의	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
AOD472A	-	RFQ	2289	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD47		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				25 v	18A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 30a, 10V	2.5V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	2200 pf @ 12.5 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AO4447A_104	-	RFQ	1473	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO4447A_104TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				30 v	18.5A (TA)	4.5V, 10V	5.8mohm @ 18.5a, 10V	2.2V @ 250µA	130 NC @ 10 v	± 20V	5020 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AO4498L	-	RFQ	1723	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	18A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 18a, 10V	2.5V @ 250µA	44.5 nc @ 10 v	± 20V	2300 pf @ 15 v	-	3.1W (TC)
AON6970_002	-	RFQ	9625	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	8-powerwdfn		AON697				8-DFN (5x6)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000							-
AOZ5517QI	2.5700	RFQ	6636	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	31-powervfqfn 모듈	MOSFET	AOZ5517					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1 단계			60 a	-
AOT15B60D	1.4125	RFQ	1748	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT15	기준		167 w	TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1590-5	귀 99	8541.29.0095	50			400V, 15a, 20ohm, 15V													196 ns	-	600 v	30 a	60 a	1.8V @ 15V, 15a	420µJ (on), 110µJ (OFF)	25.4 NC	21ns/73ns
AOTF10B60D	1.0267	RFQ	7745	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF10	기준		42 W.	TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			400V, 10A, 30ohm, 15V													105 ns	-	600 v	20 a	40 a	1.8V @ 15V, 10A	260µJ (on), 70µJ (OFF)	17.4 NC	10ns/72ns
AON6518	-	RFQ	6172	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON651		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	48A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	1.75mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 20V	3700 pf @ 15 v	-	6.2W (TA), 56W (TC)
AOT460	-	RFQ	5752	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT46		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				60 v	85A (TC)	10V	7.5mohm @ 30a, 10V	4V @ 250µA	88 NC @ 10 v	± 20V	4560 pf @ 30 v	-	268W (TC)
AOTF22N50	1.4818	RFQ	3471	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF22		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				500 v	22A (TC)	10V	260mohm @ 11a, 10V	4.5V @ 250µA	83 NC @ 10 v	± 30V	3710 pf @ 25 v	-	50W (TC)
AOW12N50	0.8115	RFQ	2566	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		AOW12		MOSFET (금속 (()		TO-262	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				500 v	12A (TC)	10V	520mohm @ 6a, 10V	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 v	± 30V	1633 pf @ 25 v	-	250W (TC)
AOI516	-	RFQ	5221	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK		AOI51		MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,500		n 채널				30 v	18A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1229 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
AOTF240L	2.4100	RFQ	5143	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF240		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1384-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널				40 v	20A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	2.9mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	72 NC @ 10 v	± 20V	3510 pf @ 20 v	-	1.9W (TA), 41W (TC)
AOK20B120E1	2.8140	RFQ	9352	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		AOK20	기준		333 w	TO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1750	귀 99	8541.29.0095	240			600V, 20A, 15ohm, 15V														-	1200 v	40 a	80 a	2.1V @ 15V, 20A	830µJ (OFF)	60.5 NC	-/134ns
AO4266	-	RFQ	6177	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO42		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				60 v	10A (TA)	4.5V, 10V	15mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1340 pf @ 30 v	-	3.1W (TA)
AON6594	0.2213	RFQ	7768	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON659		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	22A (TA), 35A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1037 pf @ 15 v	-	5W (TA), 39W (TC)
AO4466_102	-	RFQ	2916	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				30 v	10A (TA)	4.5V, 10V	23mohm @ 10a, 10V	2.6V @ 250µA	8.6 NC @ 10 v	± 20V	448 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AON4407_003	-	RFQ	4096	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드		Aon44		MOSFET (금속 (()		8-DFN (3x2)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널				12 v	9A (TA)	1.5V, 4.5V	20mohm @ 9a, 4.5v	850MV @ 250µA	23 NC @ 4.5 v	± 8V	2100 pf @ 6 v	-	2.5W (TA)
AON7932_101	-	RFQ	1515	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-wdfn n 패드		AON793		MOSFET (금속 (()	1.4W	8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널 교량)					30V	6.6a, 8.1a		20mohm @ 6.6a, 10V	2.4V @ 250µA	6.5NC @ 10V		460pf @ 15V	논리 논리 게이트
AOD661	0.3319	RFQ	3178	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD		AOD66		MOSFET (금속 (()	15.6W, 31W	TO-252-4L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)					30V	12A (TC)		16.5mohm @ 12a, 10v, 22.5mohm @ 9.7a, 10v	2.5V @ 250µA	10nc @ 4.5v, 15nc @ 4.5v		760pf @ 15V	-
AON6162	1.3438	RFQ	7962	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aon61		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				60 v	100A (TC)	6V, 10V	2.1MOHM @ 20A, 10V	3.2V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V	4850 pf @ 30 v	-	215W (TC)
AOTF10B60D2	0.7747	RFQ	1022	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF10	기준		31.2 w	TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			400V, 5A, 60ohm, 15V													98 ns	-	600 v	23 a	20 a	1.8V @ 15V, 5A	140µJ (on), 40µJ (OFF)	9.4 NC	12ns/83ns
AON7401L	-	RFQ	9255	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AON740		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		p 채널				30 v	9A (TA), 20A (TC)	6V, 10V	14mohm @ 9a, 20V	3V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 25V	2600 pf @ 15 v	-	1.6W (TA), 27W (TC)
AOT8N50	1.2500	RFQ	3	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT8		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1171-5	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널				500 v	8A (TC)	10V	850mohm @ 4a, 10V	4.5V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 30V	1042 pf @ 25 v	-	192W (TC)
AONS66400	-	RFQ	3484	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-				AONS664		-			-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aons66400tr	쓸모없는		3,000		-					-	-	-	-		-		-	-
AON7522E	0.5700	RFQ	92	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		Aon75		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				30 v	21A (TA), 34A (TC)	4.5V, 10V	4MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 20V	1540 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 31W (TC)
AONS62920	0.7703	RFQ	5529	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aons629		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aons62920tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				100 v	22A (TA), 48A (TC)	4.5V, 10V	6.3MOHM @ 20A, 10V	2.3V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 20V	4525 pf @ 50 v	-	6.2W (TA), 113.5W (TC)
AOD7S65	1.5500	RFQ	8312	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD7		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				650 v	7A (TC)	10V	650mohm @ 3.5a, 10V	4V @ 250µA	9.2 NC @ 10 v	± 30V	434 pf @ 100 v	-	89W (TC)
AOD536	0.2756	RFQ	3033	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD53		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				30 v	20.5A (TA), 46A (TC)		8.5mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	22 nc @ 10 v		1140 pf @ 15 v	-
AO4482L_102	-	RFQ	4951	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널				100 v	6A (TA)	4.5V, 10V	37mohm @ 6a, 10V	2.7V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	2000 pf @ 50 v	-	3.1W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²