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불연속 불연속 제품 (2357)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
AOK60B65M3	4.0514	RFQ	5830	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		AOK60	기준		500 W.	TO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1757	귀 99	8541.29.0095	240			400V, 60A, 5ohm, 15V														346 ns	-	650 v	120 a	180 a	2.45V @ 15V, 60A	2.6mj (on), 1.3mj (OFF)	106 NC	44ns/166ns
AO9926BL_101	-	RFQ	6790	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO9926		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)						20V	7.6a		23mohm @ 7.6a, 10V	1.1V @ 250µA	12.5NC @ 10V		630pf @ 15V	-
AO4442	-	RFQ	1207	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					75 v	3.1A (TA)	4.5V, 10V	130mohm @ 3.1a, 10V	3V @ 250µA	6.5 NC @ 10 v	± 25V	350 pf @ 37.5 v	-	3.1W (TA)
AONS21321	0.5300	RFQ	47	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AONS213		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널					30 v	14A (TA), 24A (TC)	4.5V, 10V	16.5mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 25V	1180 pf @ 15 v	-	5W (TA), 24.5W (TC)
AOTF7N60FD	0.7481	RFQ	8271	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF7		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널					600 v	7A (TC)	10V	1.45ohm @ 3.5a, 10V	4.2V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 30V	995 pf @ 25 v	-	39W (TC)
AOD446	-	RFQ	6716	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD44		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널					75 v	10A (TC)	4.5V, 20V	130mohm @ 5a, 20V	3V @ 250µA	6.5 NC @ 10 v	± 25V	350 pf @ 30 v	-	2.1W (TA), 20W (TC)
AON2240	0.2051	RFQ	5556	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드		Aon22		MOSFET (금속 (()		6-DFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					40 v	8A (TA)	4.5V, 10V	21mohm @ 8a, 10V	2.4V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	415 pf @ 20 v	-	2.8W (TA)
AOK40B65M3	4.2100	RFQ	72	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		AOK40	기준		300 w	TO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1755	귀 99	8541.29.0095	30			400V, 40A, 7.5ohm, 15V														365 ns	-	650 v	80 a	120 a	2.45V @ 15V, 40A	1.3mj (on), 500µJ (OFF)	59 NC	40ns/125ns
AONR32320C	0.4400	RFQ	13	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		AONR32320		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널					30 v	9.5A (TA), 12A (TC)	4.5V, 10V	21mohm @ 9.5a, 10V	2.3V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	650 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 11W (TC)
AOC4810	-	RFQ	6722	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-xflga ga 패드		AOC481		MOSFET (금속 (()	900MW	8- 알파드프 (alphadfn) (3.2x2)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수						-	-		-	-	20NC @ 10V		1130pf @ 15V	논리 논리 게이트
AON6450L	-	RFQ	1336	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON645				8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000								52A (TC)
AON7934_101	-	RFQ	9144	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-wdfn n 패드		AON793		MOSFET (금속 (()	2.5W (TA), 23W (TC), 2.5W (TA), 25W (TC)	8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)						30V	13A (TA), 16A (TC), 15A (TA), 18A (TC)		10.2mohm @ 13a, 10v, 7.7mohm @ 15a, 10v	2.2V @ 250µA	11nc @ 10v, 17.5nc @ 10v		485pf @ 15v, 807pf @ 15v	-
AO4435	0.2449	RFQ	5113	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AO4435TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널					30 v	10.5A (TA)	5V, 20V	14mohm @ 11a, 20V	3V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 25V	1400 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOWF15S65	1.4876	RFQ	6975	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		AOWF15		MOSFET (금속 (()		TO-262F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널					650 v	15A (TC)	10V	290mohm @ 7.5a, 10V	4V @ 250µA	17.2 NC @ 10 v	± 30V	841 pf @ 100 v	-	28W (TC)
AIM702S60C1	2.4528	RFQ	1240	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	32-Soic (0.295 ", 7.50mm 너비), 19 개의 리드	MOSFET	AIM702					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AIM702S60C1TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	3 상 인버터			1.5 a	600 v	1500VRMS
AOT502	-	RFQ	2713	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT5		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널					33 v	9A (TA), 60A (TC)	10V	11.5mohm @ 30a, 10V	2.7V @ 250µA	28 nc @ 10 v	-	1450 pf @ 15 v	-	1.9W (TA), 79W (TC)
AON6596	-	RFQ	9723	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON659		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					30 v	20A (TA), 35A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1150 pf @ 15 v	-	5W (TA), 41W (TC)
AOD3C50	-	RFQ	9213	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD3		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널					500 v	3A (TC)	10V	1.4ohm @ 2.2a, 10V	5V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 30V	662 pf @ 100 v	-	83W (TC)
AOB266L	1.4469	RFQ	800	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB266		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널					60 v	18A (TA), 140A (TC)	6V, 10V	3.2MOHM @ 20A, 10V	3.2V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	6800 pf @ 30 v	-	2.1W (TA), 268W (TC)
AON6504_002	-	RFQ	9889	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AON650		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드			영향을받지 영향을받지	785-Aon6504_002tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					30 v	51A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	2.1MOHM @ 20A, 10V	2.1V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	2719 pf @ 15 v	-	7.3W (TA), 83W (TC)
AOSP21311C	0.2390	RFQ	4382	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AOSP213		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aosp21311ctr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널					30 v	6A (TA)	4.5V, 10V	42mohm @ 6a, 10V	2.2V @ 250µA	23 nc @ 10 v	± 20V	720 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
AO4840L_102	-	RFQ	8492	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO484		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)						40V	6A (TA)		31mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	8.3NC @ 10V		404pf @ 20V	-
AON6971	-	RFQ	4752	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SRFET ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn		AON697		MOSFET (금속 (()	5W, 4.1W	8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 교량)						30V	23a, 40a		5.7mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	23NC @ 10V		1010pf @ 15V	논리 논리 게이트
AoT270al	-	RFQ	2096	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT270		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널					75 v	21.5A (TA), 140A (TC)	6V, 10V	2.6MOHM @ 20A, 10V	3.3V @ 250µA	206 NC @ 10 v	± 20V	10830 pf @ 37.5 v	-	2.1W (TA), 500W (TC)
AOTL66918	3.6622	RFQ	1873	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-Powersfn		AOTL669		MOSFET (금속 (()		희생	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AOTL66918TR	귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널					100 v	30A (TA), 214A (TC)	8V, 10V	4.3MOHM @ 20A, 10V	3.7V @ 250µA	105 NC @ 10 v	± 20V	6500 pf @ 50 v	-	10W (TA), 500W (TC)
AOZ5316NQI	2.2700	RFQ	2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	31-powervfqfn 모듈	MOSFET	AOZ5316					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1 단계			55 a		-
AO4482L	-	RFQ	6086	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					100 v	6A (TA)	4.5V, 10V	37mohm @ 6a, 10V	2.7V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	2000 pf @ 50 v	-	3.1W (TA)
AON7280	1.7200	RFQ	10	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn		Aon72		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3.3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					80 v	20A (TA), 50A (TC)	6V, 10V	8.5mohm @ 20a, 10V	3.4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	1871 pf @ 40 v	-	6.3W (TA), 83W (TC)
AO4466L	-	RFQ	7788	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					30 v	9.4A (TA)	4.5V, 10V	23mohm @ 9.4a, 10V	3V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	820 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AONS66408	0.4095	RFQ	3862	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		AONS664		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aons66408tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					40 v	33A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 20V	2808 pf @ 20 v	-	6.2W (TA), 48W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²