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불연속 불연속 제품 (2357)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재의 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AOT10N60_001 | - |  | 1222 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT10 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 750mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||||||
 | AO7411 | 0.1530 | | 9425 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | AO741 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 120mohm @ 1.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 6.24 NC @ 4.5 v | ± 8V | 524 pf @ 10 v | - | 630MW (TA) | |||||||
 | AOZ52371QI | 3.3900 | | 5 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | AOZ52371 | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
 | aou2n60a | - | | 5814 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | aou2 | MOSFET (금속 (() | TO-251-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.7ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 30V | 295 pf @ 25 v | - | 57W (TC) | ||||||||
 | AO4450 | 0.1020 | | 9249 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 7A (TA) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 7a, 10V | 3V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 516 pf @ 20 v | - | 3.1W (TA) | |||||||
 | AOZ5507QI | 1.8600 | | 10 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 22-powervfqfn 모듈 | MOSFET | AOZ5507 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 1 단계 | 30 a | - | |||||||||||||||||
| AIP5D04E050A1 | 4.7705 | | 6762 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | AIP5 | - | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-AIP5D04E050A1 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 90 | |||||||||||||||||||||||
| AO4568 | - | | 5012 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO45 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TA) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 12a, 10V | 2.2V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||
| AO4478L | - | | 4597 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | AO44 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
| AO4420A | - | | 9320 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 13.7A (TA) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 13.7a, 10V | 2V @ 250µA | 36 NC @ 4.5 v | ± 12V | 4050 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||
| AOC3860 | - | | 9237 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-xdfn | AOC386 | MOSFET (금속 (() | 2.5W | 6-DFN (3.05x1.77) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | - | - | - | 900MV @ 250µA | 44NC @ 4.5V | - | - | |||||||||
 | AOTL66401 | 6.6400 | | 1 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | AOTL664 | MOSFET (금속 (() | 톨라 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 82A (TA), 400A (TC) | 4.5V, 10V | 0.7mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 250µA | 340 nc @ 10 v | ± 20V | 19180 pf @ 20 v | - | 8.3W (TA), 300W (TC) | |||||||
| AO4407BL | - | | 5607 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | AO44 | MOSFET (금속 (() | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 30 v | 12A (TA) | 10V | 13mohm @ 12a, 20V | 2.8V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 25V | 2600 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||||
 | AON4705L | - | | 6387 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | AON470 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (3x2) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 65mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 8V | 745 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.7W (TA) | ||||||||
 | AON6424 | - | | 9510 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON642 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 11A (TA), 41A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 20a, 10V | 1.7V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 12V | 1900 pf @ 15 v | - | 2W (TA), 25W (TC) | ||||||||
 | AoTF9N50 | 0.6347 | | 1450 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF9 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 9A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 28 nc @ 10 v | ± 30V | 1042 pf @ 25 v | - | 38.5W (TC) | |||||||
 | AOWF12N65 | 0.9394 | | 3663 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | AOWF12 | MOSFET (금속 (() | TO-262F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 12A (TC) | 10V | 720mohm @ 6a, 10V | 4.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 30V | 2150 pf @ 25 v | - | 28W (TC) | |||||||
 | AO6601 | 0.1546 | | 3249 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | AO660 | MOSFET (금속 (() | 1.15W | 6TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 보완 p 채널 및 | 30V | 3.4a, 2.3a | 60mohm @ 3.4a, 10V | 1.5V @ 250µA | 12NC @ 10V | 285pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||
 | AOD208 | - | | 3936 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD20 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 18A (TA), 54A (TC) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2210 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 62W (TC) | ||||||||
 | AOY423 | 0.3715 | | 2382 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | AOY42 | MOSFET (금속 (() | TO-251B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,500 | p 채널 | 30 v | 15A (TA), 70A (TC) | 10V, 20V | 6.7mohm @ 20a, 20V | 3.5V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 25V | 2760 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 90W (TC) | |||||||
| AON4421 | 0.2360 | | 5493 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | Aon44 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (3x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 8A (TA) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 8a, 10V | 1.8V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 1120 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||
 | AOB418L | - | | 4373 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB41 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 9.5A (TA), 105A (TC) | 4.5V, 10V | 9.7mohm @ 20a, 10V | 3.9V @ 250µA | 83 NC @ 10 v | ± 12V | 5200 pf @ 50 v | - | 2.1W (TA), 333W (TC) | ||||||||
 | AO3422L | - | | 7011 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-SMD, SOT-23-3 변형 | AO34 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 2.1A (TA) | 2.5V, 4.5V | 160mohm @ 2.1a, 4.5v | 2V @ 250µA | 3.3 NC @ 4.5 v | ± 12V | 300 pf @ 25 v | - | 1.25W (TA) | ||||||||
| AONS36316 | 0.6800 | | 9501 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AONS363 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 28A (TA), 32A (TC) | 4.5V, 10V | 4.1MOHM @ 20A, 10V | 1.9V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 12V | 2005 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 26W (TC) | |||||||
| AOTF12N60FD | - | | 2998 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF12 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 650mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 2010 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||
| AOD4132 | 1.1200 | | 56 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD41 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 85A (TC) | 4.5V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 76 NC @ 10 v | ± 20V | 4400 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 100W (TC) | |||||||
| AON6522_002 | - | | 7549 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON652 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 25 v | 71A (TA), 200a (TC) | 4.5V, 10V | 0.95mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 145 NC @ 10 v | ± 20V | 7036 pf @ 15 v | - | 7.3W (TA), 83W (TC) | ||||||||
| AOB1606L | - | | 3407 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB16 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 12A (TA), 178a (TC) | 10V | 6MOHM @ 20A, 10V | 3.7V @ 250µA | 102 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 2.1W (TA), 417W (TC) | ||||||||
| AON6202 | - | | 9677 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | Aon62 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 21A (TA), 24A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 2200 pf @ 15 v | - | 4.2W (TA), 35W (TC) | ||||||||
| AOWF9N70 | 0.8556 | | 6881 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | AOWF9 | MOSFET (금속 (() | TO-262F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 700 v | 9A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 1630 pf @ 25 v | - | 28W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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