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불연속 불연속 제품 (2357)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
AO8818	-	RFQ	1238	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	AO881		MOSFET (금속 (()	1.5W	8-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수			30V	-		18mohm @ 7a, 10V	1.5V @ 250µA	14NC @ 4.5V		1060pf @ 15V	논리 논리 게이트
AOT460_001	-	RFQ	9931	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT46		MOSFET (금속 (()		TO-220	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		60 v	85A (TC)	10V	7.5mohm @ 30a, 10V	4V @ 250µA	88 NC @ 10 v	± 20V	4560 pf @ 30 v	-	268W (TC)
AOTF7T60L	-	RFQ	3071	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF7		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		600 v	7A (TC)	10V	1.1ohm @ 3.5a, 10V	5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 30V	962 pf @ 100 v	-	29W (TC)
AOTF10N90	-	RFQ	8784	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF10		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		900 v	10A (TC)	10V	980mohm @ 5a, 10V	4.5V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 30V	3160 pf @ 25 v	-	50W (TC)
AOT600A70L	0.8511	RFQ	9444	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT600		MOSFET (금속 (()		TO-220	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AoT600A70L	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		700 v	8.5A (TC)	10V	600mohm @ 2.5a, 10V	3.5V @ 250µA	15.5 nc @ 10 v	± 20V	870 pf @ 100 v	-	104W (TC)
AON7242	-	RFQ	9359	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	Aon72		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3.3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		40 v	30A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	3.9mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	32 NC @ 10 v	± 20V	2365 pf @ 20 v	-	6.2W (TA), 83W (TC)
AOWF20S60	1.7111	RFQ	5088	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	AOWF20		MOSFET (금속 (()		TO-262F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		600 v	20A (TC)	10V	199MOHM @ 10A, 10V	4.1V @ 250µA	19.8 nc @ 10 v	± 30V	1038 pf @ 100 v	-	28W (TC)
AOK50B65H1	3.1611	RFQ	5392	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	AOK50	기준		375 w	TO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	240			400V, 50A, 6ohm, 15V											261 ns	-	650 v	100 a	150 a	2.4V @ 15V, 50A	1.92mj (on), 850µJ (OFF)	76 NC	37ns/141ns
aony36352	1.2500	RFQ	12	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	aony363		MOSFET (금속 (()	3.1W (TA), 21W (TC), 3.1W (TA), 45W (TC)	8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널) 비대칭			30V	18.5A (TA), 49A (TC), 30A (TA), 85A (TC)		5.3MOHM @ 20A, 10V, 2MOHM @ 20A, 10V	2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA	20NC @ 10V, 52NC @ 10V		820pf @ 15v, 2555pf @ 15v	-
AOI468	0.6880	RFQ	8021	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인	-50 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK	AOI46		MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,500		n 채널		300 v	11.5A (TC)	10V	420mohm @ 6a, 10V	4.5V @ 250µA	16 nc @ 10 v	± 30V	790 pf @ 25 v	-	150W (TC)
AO4484	0.6300	RFQ	280	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		40 v	10A (TA)	4.5V, 10V	10MOHM @ 10A, 10V	3V @ 250µA	37 NC @ 10 v	± 20V	1950 pf @ 20 v	-	1.7W (TA)
AOTF2918L	-	RFQ	6616	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF2918		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1383-5	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널		100 v	13A (TA), 58A (TC)	10V	7mohm @ 20a, 10V	3.9V @ 250µA	53 NC @ 10 v	± 20V	3430 pf @ 50 v	-	2.1W (TA), 41W (TC)
AON6284	1.5800	RFQ	5	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	Aon62		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		80 v	24A (TA), 78A (TC)	6V, 10V	7.1MOHM @ 20A, 10V	3.3V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	2162 pf @ 40 v	-	7.4W (TA), 78W (TC)
AO3406L	-	RFQ	9635	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	3.6A (TA)	4.5V, 10V	50mohm @ 3.6a, 10V	2.5V @ 250µA	5 nc @ 10 v	± 20V	210 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AON6546	-	RFQ	2292	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON654		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	22A (TA), 55A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1210 pf @ 15 v	-	5.5W (TA), 35.5W (TC)
AOD5B65N1	0.4035	RFQ	5739	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD5	기준		52 W.	TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			400V, 5A, 60ohm, 15V											170 ns	-	650 v	10 a	15 a	2.5V @ 15V, 5A	81µJ (on), 49µJ (OFF)	9.2 NC	8ns/73ns
AON6452	0.6350	RFQ	8431	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON645		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		100 v	6.5A (TA), 26A (TC)	7V, 10V	25mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 25V	2200 pf @ 50 v	-	2W (TA), 35W (TC)
AON6748_101	-	RFQ	7715	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				Aon67					-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000
AON6504_002	-	RFQ	9889	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON650		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드			영향을받지 영향을받지	785-Aon6504_002tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	51A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	2.1MOHM @ 20A, 10V	2.1V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	2719 pf @ 15 v	-	7.3W (TA), 83W (TC)
AOTF66616L	2.8300	RFQ	4	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF66616		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1824	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		60 v	38A (TA), 72.5A (TC)	6V, 10V	3.3mohm @ 20a, 10V	3.4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	2870 pf @ 30 v	-	8.3W (TA), 30W (TC)
AON7280	1.7200	RFQ	10	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	Aon72		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3.3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		80 v	20A (TA), 50A (TC)	6V, 10V	8.5mohm @ 20a, 10V	3.4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	1871 pf @ 40 v	-	6.3W (TA), 83W (TC)
AONS66408	0.4095	RFQ	3862	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AONS664		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aons66408tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		40 v	33A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 20V	2808 pf @ 20 v	-	6.2W (TA), 48W (TC)
AON6596	-	RFQ	9723	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON659		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	20A (TA), 35A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1150 pf @ 15 v	-	5W (TA), 41W (TC)
AON4803	-	RFQ	9666	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	AON480		MOSFET (금속 (()	1.7W	8-DFN (3x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)			20V	3.4a		90mohm @ 3.4a, 4.5v	1V @ 250µA	8NC @ 4.5V		745pf @ 10V	논리 논리 게이트
AOSP21311C	0.2390	RFQ	4382	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AOSP213		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aosp21311ctr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		30 v	6A (TA)	4.5V, 10V	42mohm @ 6a, 10V	2.2V @ 250µA	23 nc @ 10 v	± 20V	720 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
AO4498EL	-	RFQ	4785	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	18A (TA)	4.5V, 10V	5.8mohm @ 18a, 10V	2.3V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 20V	2760 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AON6413	-	RFQ	5777	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON641		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		30 v	22A (TA), 32A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 16a, 10V	2.7V @ 250µA	58 NC @ 10 v	± 25V	2142 pf @ 15 v	-	6.2W (TA), 48W (TC)
AOI4TL60	-	RFQ	7336	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는				AOI4					-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	70					-
AO4482L	-	RFQ	6086	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		100 v	6A (TA)	4.5V, 10V	37mohm @ 6a, 10V	2.7V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	2000 pf @ 50 v	-	3.1W (TA)
AON5820_101	-	RFQ	7165	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-Wfdfn d 패드 패드	AON582		MOSFET (금속 (()	1.7W	6-DFN-EP (2x5)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수			20V	10A		9.5mohm @ 10a, 4.5v	1V @ 250µA	15NC @ 4.5V		1510pf @ 10V	논리 논리 게이트

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²