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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) |
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![]() | Aon6370p | - | ![]() | 4947 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | Aon63 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF160A60L | 3.2400 | ![]() | 615 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF160 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOTF160A60L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 24A (TJ) | 10V | 160mohm @ 12a, 10V | 3.6V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 2340 pf @ 100 v | - | 34.7W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | AOT2916L | - | ![]() | 3193 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT2916 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 5A (TA), 23A (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 10a, 10V | 2.7V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 870 pf @ 50 v | - | 2.1W (TA), 41.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
AON6586 | - | ![]() | 3582 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON658 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1150 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 41W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOW296 | - | ![]() | 5001 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | AOW29 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 70A (TC) | 6V, 10V | 9.7mohm @ 20a, 10V | 3.4V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 2785 pf @ 50 v | - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
AOL1240 | 0.6674 | ![]() | 3543 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-powersmd, 평평한 리드 | AOL12 | MOSFET (금속 (() | 초음파 8 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 19A (TA), 69A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 2.3V @ 250µA | 50.5 nc @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 20 v | - | 2.1W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIP3P15A060Q4N | 9.7295 | ![]() | 3986 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | 26-powerdip ip (1.146 ", 29.10mm) | IGBT | AIP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-AIP3P15A060Q4N | 귀 99 | 8542.39.0001 | 60 | 3 상 인버터 | 10 a | 600 v | 2000VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOD423 | 0.3502 | ![]() | 6490 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD42 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 15A (TA), 70A (TC) | 10V, 20V | 6.2MOHM @ 20A, 20V | 3.5V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 25V | 2760 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AONR21117 | 0.9600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | AONR211 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 20 v | 26.5A (TA), 34A (TC) | 2.5V, 4.5V | 4.8mohm @ 20a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 88 NC @ 4.5 v | ± 8V | 6560 pf @ 10 v | - | 5W (TA), 43W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOK40B120N1 | 5.5556 | ![]() | 7134 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | AOK40 | 기준 | 600 w | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOK40B120N1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 40A, 7.5OHM, 15V | 300 ns | - | 1200 v | 80 a | 160 a | 2.5V @ 15V, 40A | 3.4mj (on), 1.4mj (OFF) | 100 NC | 57ns/146ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | AOD409_001 | - | ![]() | 7144 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD40 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 26A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 20a, 10V | 2.4V @ 250µA | 54 NC @ 10 v | ± 20V | 3600 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOT10N60 | 1.6000 | ![]() | 907 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT10 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1191-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 750mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
AON6404A_001 | - | ![]() | 4913 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON640 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 25A (TA), 85A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3MOHM @ 20A, 10V | 2V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 5210 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
AON6410 | - | ![]() | 6694 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON641 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 10A (TA), 24A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 28 nc @ 10 v | ± 12V | 1452 pf @ 15 v | - | 2W (TA), 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AONS66908 | 0.7008 | ![]() | 2277 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AONS669 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-aons66908tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 30A (TA), 158A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2MOHM @ 20A, 10V | 2.6V @ 250µA | 97 NC @ 10 v | ± 20V | 5117 pf @ 50 v | - | 7.3W (TA), 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF15B60D | 1.3833 | ![]() | 8635 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF15 | 기준 | 50 W. | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 15a, 20ohm, 15V | 196 ns | - | 600 v | 30 a | 60 a | 1.8V @ 15V, 15a | 420µJ (on), 110µJ (OFF) | 25.4 NC | 21ns/73ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AON7556 | - | ![]() | 6005 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 알파모 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | Aon75 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 12A (TA), 12A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 12a, 10V | 2.2V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 15 v | - | 4.1W (TA), 12.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO4419L | - | ![]() | 1090 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 30 v | 9.7A (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 9.7a, 10V | 2.7V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO4437 | - | ![]() | 6466 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 11A (TA) | 1.8V, 4.5V | 16mohm @ 11a, 4.5v | 1V @ 250µA | 47 NC @ 4.5 v | ± 8V | 4750 pf @ 6 v | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOI508 | - | ![]() | 5889 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | AOI50 | MOSFET (금속 (() | TO-251A | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1457-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,500 | n 채널 | 30 v | 22A (TA), 70A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 2010 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOZ5616QI | 1.9700 | ![]() | 8371 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 31-powervfqfn 모듈 | MOSFET | AOZ5616 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1 단계 | 55 a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AON5820 | 0.2750 | ![]() | 5205 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-Wfdfn d 패드 패드 | AON582 | MOSFET (금속 (() | 1.7W | 6-DFN-EP (2x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 10A | 9.5mohm @ 10a, 4.5v | 1V @ 250µA | 15NC @ 4.5V | 1510pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO3456 | - | ![]() | 8172 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-SMD, SOT-23-3 변형 | AO34 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 3.6A (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
AON6578 | 0.4175 | ![]() | 7650 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON657 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 28A (TA), 70A (TC) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 20a, 10V | 2.4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1340 pf @ 15 v | - | 5.6W (TA), 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | aod3n50m | - | ![]() | 5920 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | AOD3 | MOSFET (금속 (() | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOGF20D65L1L | 0.9824 | ![]() | 1355 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | AOGF20 | 기준 | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-aogf20D65L1L | 귀 99 | 8541.10.0080 | 480 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 650 v | 2 V @ 20 a | 104 ns | 10 µa @ 650 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 40a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
AONS66402 | 0.7174 | ![]() | 5671 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AONS664 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q12456119B | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 49A (TA), 85A (TC) | 4.5V, 10V | 1.6MOHM @ 20A, 10V | 2.3V @ 250µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 5570 pf @ 20 v | - | 6.2W (TA), 119W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF15S60L | 2.7900 | ![]() | 403 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF15 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 7.5a, 10V | 3.8V @ 250µA | 15.6 NC @ 10 v | ± 30V | 717 pf @ 100 v | - | 27.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AON7400B | 0.4400 | ![]() | 9380 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | AON740 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 18A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 18a, 10V | 2.5V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1440 pf @ 15 v | - | 4.1W (TA), 24W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOSX21319C | 0.1579 | ![]() | 4430 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | AOSX213 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOSX21319CTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2.6A (TA) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 2.6a, 10V | 2.2V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 320 pf @ 15 v | - | 1.1W (TA) |
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