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불연속 불연속 제품 (2357)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	현재의	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
AO4807L	-	RFQ	3987	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO480		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 p 채널 (채널)					30V	6A		35mohm @ 6a, 10V	2.4V @ 250µA	16NC @ 10V		760pf @ 15V	논리 논리 게이트
AoT8N65	0.6647	RFQ	1157	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT8		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				650 v	8A (TC)	10V	1.15ohm @ 4a, 10V	4.5V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 30V	1400 pf @ 25 v	-	208W (TC)
AO4441L_001	-	RFQ	6126	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널				60 v	4A (TA)	4.5V, 10V	100mohm @ 4a, 10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	1120 pf @ 30 v	-	3.1W (TA)
AOD2C60	-	RFQ	5320	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD2		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				600 v	2A (TC)	10V	3.3ohm @ 500ma, 10V	5V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 30V	304 pf @ 100 v	-	52W (TC)
AO8830	-	RFQ	9936	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		AO883		MOSFET (금속 (()	1.5W	8-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수					20V	-		27mohm @ 6a, 10V	1V @ 1mA	5.2NC @ 4.5V		290pf @ 10V	논리 논리 게이트
AOB262L	-	RFQ	5527	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB262		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널				60 v	20A (TA), 140A (TC)	6V, 10V	2.8mohm @ 20a, 10V	3.2V @ 250µA	115 NC @ 10 v	± 20V	9800 pf @ 30 v	-	2.1W (TA), 333W (TC)
AOTF8N80	1.0064	RFQ	4713	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF8		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1441-5	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				800 v	7.4A (TC)	10V	1.63ohm @ 4a, 10V	4.5V @ 250µA	32 NC @ 10 v	± 30V	1650 pf @ 25 v	-	50W (TC)
AO4411L	-	RFQ	1655	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널				30 v	8A (TA)	4.5V, 10V	32mohm @ 8a, 10V	2.4V @ 250µA	16 nc @ 10 v	± 20V	760 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOY4158p	-	RFQ	2243	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	대부분	쓸모없는					AOY4158					-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1
AO4444	-	RFQ	8501	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO44		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				80 v	11A (TA)	7V, 10V	12mohm @ 11a, 10V	3.8V @ 250µA	46 NC @ 10 v	± 25V	2865 pf @ 40 v	-	3.1W (TA)
AO7403	-	RFQ	2736	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323		AO740		MOSFET (금속 (()		SC-70-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널				20 v	700MA (TA)	1.8V, 4.5V	470mohm @ 700ma, 4.5v	900MV @ 250µA	1.44 NC @ 4.5 v	± 8V	114 pf @ 10 v	-	350MW (TA)
AOZ5317UQI	2.6300	RFQ	2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	31-powervfqfn 모듈	MOSFET	AOZ5317					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1 단계			60 a	-
AOC2414	-	RFQ	1095	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 없음		AOC24		MOSFET (금속 (()		4- 알파드프 (alphadfn) (1.57x1.57)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널				8 v	4.5A (TA)	1.2V, 2.5V	19mohm @ 1.5a, 2.5v	800MV @ 250µA	32 NC @ 4.5 v	± 5V	2042 pf @ 4 v	-	550MW (TA)
AO6602G	0.1804	RFQ	7479	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		AO660		MOSFET (금속 (()	1.15W (TA)	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AO6602GTR	귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널					30V	3.5A (TA), 2.7A (TA)		50mohm @ 3.5a, 10V	2.5V @ 250µA	4.05NC @ 10V		210pf @ 15V	기준
AOI2610E	0.3304	RFQ	4306	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK		AOI261				TO-251A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-3750	귀 99	8541.29.0095	70
AoT8N50L	-	RFQ	2123	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT8		MOSFET (금속 (()		TO-220	-			영향을받지 영향을받지	785-AoT8N50L			1		n 채널				500 v	9A (TC)	10V	850mohm @ 4a, 10V	4.5V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 30V	1042 pf @ 25 v	-	192W (TC)
AON5802ALS	-	RFQ	6139	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	6-Wfdfn d 패드 패드		AON5802		-		6-DFN-EP (2x5)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000														-
AOK500V120X2	4.2302	RFQ	4930	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		AOK500		sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터)		TO-247	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AOK500V120X2	귀 99	8541.29.0095	240		n 채널				1200 v	6.3A (TC)	15V	675mohm @ 1.2a, 15v	3.5v @ 1.2ma	12 nc @ 15 v	+15V, -5V	206 pf @ 800 v	-	44W (TC)
AOT472	-	RFQ	9029	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT47		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				75 v	10A (TA), 140A (TC)	10V	8.9mohm @ 30a, 10V	3.9V @ 250µA	115 NC @ 10 v	± 20V	4500 pf @ 30 v	-	1.9W (TA), 417W (TC)
AOD424G	0.2270	RFQ	6638	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		AOD42		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AOD424GTR	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널				20 v	30A (TA), 46A (TC)	2.5V, 4.5V	4.9mohm @ 20a, 4.5v	1.25V @ 250µA	45 NC @ 4.5 v	± 12V	3300 pf @ 10 v	-	6.2W (TA), 50W (TC)
AOTF12T60	-	RFQ	5030	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		AOTF12		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				600 v	12A (TC)	10V	520mohm @ 6a, 10V	5V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 30V	1954 pf @ 100 v	-	50W (TC)
AOWF12N60	0.8770	RFQ	8847	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		AOWF12		MOSFET (금속 (()		TO-262F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				600 v	12A (TC)	10V	550mohm @ 6a, 10V	4.5V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 30V	2100 pf @ 25 v	-	28W (TC)
AOT1608L	0.7826	RFQ	9567	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		AOT1608		MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1412-5	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널				60 v	11A (TA), 140A (TC)	10V	7.6MOHM @ 20A, 10V	3.7V @ 250µA	84 NC @ 10 v	± 20V	3690 pf @ 25 v	-	2.1W (TA), 333W (TC)
AO4354	0.7600	RFQ	167	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO43		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	23A (TA)	4.5V, 10V	3.7mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	49 NC @ 10 v	± 20V	2010 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AON7548	-	RFQ	6846	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	알파모	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		Aon75		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널				30 v	24A (TC)	4.5V, 10V	8.8mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1086 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 23W (TC)
AON3613	-	RFQ	3782	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드		AON361		MOSFET (금속 (()	2.1W	8-DFN (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 공통 p 채널, 공통 배수					30V	4.5A		52mohm @ 4.5a, 10V	1.5V @ 250µA	10nc @ 10v		245pf @ 15V	논리 논리 게이트
AONS32106	0.2379	RFQ	2124	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드		Aons321		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aons32106tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				20 v	20A (TA), 20A (TC)	2.5V, 4.5V	5.3mohm @ 20a, 4.5v	1.25V @ 250µA	45 NC @ 4.5 v	± 12V	3300 pf @ 10 v	-	5W (TA), 36W (TC)
AOK60B65M3	4.0514	RFQ	5830	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	IGBT ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		AOK60	기준		500 W.	TO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1757	귀 99	8541.29.0095	240			400V, 60A, 5ohm, 15V													346 ns	-	650 v	120 a	180 a	2.45V @ 15V, 60A	2.6mj (on), 1.3mj (OFF)	106 NC	44ns/166ns
AOB256L	0.8738	RFQ	2346	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		AOB256		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널				150 v	3A (TA), 19A (TC)	4.5V, 10V	85mohm @ 10a, 10V	2.8V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1165 pf @ 75 v	-	2.1W (TA), 83W (TC)
AO4614BL_201	-	RFQ	6316	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		AO4614		MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널					40V	6A (TA), 5A (TA)		30mohm @ 6a, 10v, 45mohm @ 5a, 10v	3V @ 250µA	10.8nc @ 10v, 22nc @ 10v		650pf @ 20V, 1175pf @ 20V	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (2357)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²