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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
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![]() | ixyy8n90c3-trl | 1.8159 | ![]() | 5194 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™, xpt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IXYY8N90 | 기준 | 125 w | TO-252AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-ixyy8n90c3-trltr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 450V, 8A, 30ohm, 15V | 20 ns | Pt | 900 v | 20 a | 48 a | 3V @ 15V, 8A | 460µJ (ON), 180µJ (OFF) | 13.3 NC | 16ns/40ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYH120N65B3 | 20.6163 | ![]() | 4631 | 0.00000000 | ixys | XPT ™, GenX3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXYH120 | 기준 | 1360 w | TO-247 (IXYH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXYH120N65B3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 50A, 2ohm, 15V | 28 ns | Pt | 650 v | 340 a | 760 a | 1.9V @ 15V, 100A | 1.34mj (on), 1.5mj (OFF) | 250 NC | 30ns/168ns | ||||||||||||||||||||||||||||
ixta42n25p-trl | 3.2181 | ![]() | 6689 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA42 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTA42N25P-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 42A (TC) | 10V | 84mohm @ 21a, 10V | 5.5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 2300 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M2325HA450 | - | ![]() | 2280 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | 섀시 섀시 | DO-200AD | M2325 | 기준 | W121 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 238-M2325HA450 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 4500 v | 2.6 V @ 2500 a | 5.4 µs | 150 ma @ 4500 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 2325A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFN74N100X | 91.6000 | ![]() | 9959 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra x | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN74 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -1402-IXFN74N100X | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 1000 v | 74A (TC) | 10V | 66mohm @ 37a, 10V | 5.5V @ 8mA | 425 NC @ 10 v | ± 30V | 17000 pf @ 25 v | - | 1170W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MIEB100W1200TEH | - | ![]() | 5416 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | E3 | MIEB100 | 630 w | 기준 | E3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5 | 3 단계 인버터 | - | 1200 v | 183 a | 2.2V @ 15V, 100A | 300 µA | 예 | 7.43 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mixa100W1200TEH | 153.4920 | ![]() | 5477 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | E3 | Mixa100 | 500 W. | 기준 | E3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5 | 3 단계 인버터 | Pt | 1200 v | 155 a | 2.1V @ 15V, 100A | 300 µA | 예 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mixa150W1200TEH | 180.8320 | ![]() | 5245 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | E3 | Mixa150 | 695 w | 기준 | E3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5 | 3 단계 인버터 | Pt | 1200 v | 220 a | 2.1V @ 15V, 150A | 500 µA | 예 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mixa60WB1200TEH | 112.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | E3 | Mixa60 | 290 W. | 3 정류기 정류기 브리지 | E3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5 | 브레이크가있는 3 인버터 단계 | Pt | 1200 v | 85 a | 2.1V @ 15V, 55A | 500 µA | 예 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vub120-16nox | 87.3800 | ![]() | 9488 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 기준 기준 | vub120 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6 | 2.75 V @ 30 a | 100 µa @ 1600 v | 180 a | 3 단계 (제동) | 1.6kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vub120-16noxt | 90.1800 | ![]() | 7992 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 기준 기준 | vub120 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6 | 2.75 V @ 30 a | 100 µa @ 1600 v | 180 a | 3 단계 (제동) | 1.6kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
vub145-16noxt | 103.2300 | ![]() | 2382 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | E2 | vub145 | 기준 | E2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6 | 1.68 V @ 150 a | 100 µa @ 1600 v | 150 a | 3 단계 (제동) | 1.6kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VUO120-12NO2T | - | ![]() | 1280 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | v2-pak | vuo120 | 기준 | v2-pak | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6 | 1.59 V @ 150 a | 100 µa @ 1200 v | 180 a | 3 단계 | 1.2kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
DLA100B1200LB-TRR | 19.4498 | ![]() | 7231 | 0.00000000 | ixys | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 9-SMD 모듈 | DLA100 | 기준 | Isoplus-SMPD ™ .B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 200 | 10 µa @ 1200 v | 132 a | 단일 단일 | 1.2kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXA60IF1200NA | 32.1800 | ![]() | 5186 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시, 마운트 스터드 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXA60IF1200 | 290 W. | 기준 | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | Pt | 1200 v | 88 a | 2.1V @ 15V, 50A | 100 µa | 아니요 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ixfp8n50p3 | - | ![]() | 1593 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Polar3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXFP8N50 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 800mohm @ 4a, 10V | 5V @ 1.5MA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 705 pf @ 25 v | - | 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXXN200N60B3 | 38.5500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | ixys | XPT ™, GenX3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXXN200 | 940 w | 기준 | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | Pt | 600 v | 280 a | 1.7V @ 15V, 100A | 50 µA | 아니요 | 9.97 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGH56N60A3 | - | ![]() | 9031 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXGH56 | 기준 | 330 w | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V, 44A, 5ohm, 15V | Pt | 600 v | 150 a | 370 a | 1.35V @ 15V, 44A | 1mj (on), 3.75mj (OFF) | 140 NC | 26NS/310NS | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYN100N120C3H1 | 56.5600 | ![]() | 8497 | 0.00000000 | ixys | XPT ™, GenX3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | ixyn100 | 690 W. | 기준 | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | - | 1200 v | 134 a | 3.5V @ 15V, 100A | 50 µA | 아니요 | 6 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYR100N120C3 | 29.2200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™, xpt ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXYR100 | 기준 | 484 w | ISOPLUS247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 100A, 1ohm, 15V | - | 1200 v | 104 a | 480 a | 3.5V @ 15V, 100A | 6.5mj (on), 2.9mj (OFF) | 270 NC | 32ns/123ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ixyp15n65c3d1m | 3.0721 | ![]() | 2606 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™, xpt ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXYP15 | 기준 | 48 W. | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 15a, 20ohm, 15V | 30 ns | Pt | 650 v | 16 a | 80 a | 2.5V @ 15V, 15a | 270µJ (on), 230µJ (OFF) | 19 NC | 15ns/68ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ixyp20n65c3d1m | 2.6811 | ![]() | 3237 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™, xpt ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXYP20 | 기준 | 50 W. | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 20A, 20ohm, 15V | 30 ns | Pt | 650 v | 18 a | 105 a | 2.5V @ 15V, 20A | 430µJ (on), 350µJ (OFF) | 30 NC | 19ns/80ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ixfp6n120p | 10.2300 | ![]() | 46 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXFP6N120 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -ixfp6n120p | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1200 v | 6A (TC) | 10V | 2.4ohm @ 500ma, 10V | 5V @ 1MA | 92 NC @ 10 v | ± 30V | 2830 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGL75N250 | 128.1752 | ![]() | 8322 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | isoplusi5-pak ™ | IXGL75 | 기준 | 430 w | isoplusi5-pak ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | - | - | 2500 v | 110 a | 580 a | 2.9V @ 15V, 75A | - | 410 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXXH40N65B4 | 4.7479 | ![]() | 3954 | 0.00000000 | ixys | Genx4 ™, XPT ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXXH40 | 기준 | 455 W. | TO-247AD (IXXH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 5ohm, 15V | Pt | 650 v | 120 a | 240 a | 1.8V @ 15V, 40A | 1.4mj (on), 560µJ (OFF) | 77 NC | 28ns/144ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYH30N65C3 | 3.6306 | ![]() | 9286 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™, xpt ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXYH30 | 기준 | 270 W. | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 30A, 10ohm, 15V | Pt | 650 v | 60 a | 118 a | 2.7V @ 15V, 30A | 1mj (on), 270µj (OFF) | 44 NC | 21ns/75ns | |||||||||||||||||||||||||||||
IXGA30N60C3 | - | ![]() | 7414 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXGA30 | 기준 | 220 w | TO-263 (D2PAK) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 238-IXGA30N60C3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 300V, 20A, 5ohm, 15V | 26 ns | Pt | 600 v | 60 a | 150 a | 3V @ 15V, 20A | 270µJ (on), 90µJ (OFF) | 38 NC | 16ns/42ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH78N60X3 | 14.0400 | ![]() | 56 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra X3 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH78 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXFH78N60X3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 78a | 10V | 38mohm @ 39a, 10V | 5V @ 4MA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 4700 pf @ 25 v | - | 780W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYP60N65A5 | 7.0100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | ixys | XPT ™, GenX5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXYP60 | 기준 | 395 w | TO-220 (IXYP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXYP60N65A5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 36a, 5ohm, 15V | Pt | 650 v | 134 a | 260 a | 1.35V @ 15V, 36A | 600µJ (on), 1.45mj (OFF) | 128 NC | 28ns/230ns | ||||||||||||||||||||||||||||
IXYA12N250CHV | 58.4224 | ![]() | 1003 | 0.00000000 | ixys | XPT ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 310 w | TO-263HV | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXYA12N250CHV | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 1250V, 12A, 10ohm, 15V | 16 ns | - | 2500 v | 28 a | 80 a | 4.5V @ 15V, 12a | 3.56mj (on), 1.7mj (OFF) | 56 NC | 12ns/167ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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