SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 현재- 정류 평균 (IO) scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머
VUO36-16NO8 IXYS vuo36-16no8 16.0400
RFQ
ECAD 9813 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 5 평방, fo-b vuo36 기준 본선 본선 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vuo3616no8 귀 99 8541.10.0080 50 1.04 V @ 15 a 40 µa @ 1600 v 27 a 3 단계 1.6kV
VUO50-12NO3 IXYS VUO50-12NO3 -
RFQ
ECAD 2347 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 fo-fb vuo50 기준 fo-fb 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1.9 v @ 150 a 300 µa @ 1200 v 58 a 3 단계 1.2kV
VUO50-16NO3 IXYS vuo50-16no3 -
RFQ
ECAD 8299 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 fo-fb vuo50 기준 fo-fb 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1.9 v @ 150 a 300 µa @ 1600 v 58 a 3 단계 1.6kV
VUO50-18NO3 IXYS VUO50-18NO3 -
RFQ
ECAD 1235 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 fo-fb vuo50 기준 fo-fb 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1.9 v @ 150 a 300 µa @ 1800 v 58 a 3 단계 1.8 kV
VUO52-20NO1 IXYS VUO52-20NO1 44.1900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 V1-A vuo52 기준 V1-A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 24 1.13 V @ 20 a 40 µa @ 2000 v 54 a 3 단계 2kv
VUO55-14NO7 IXYS VUO55-14NO7 -
RFQ
ECAD 2171 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 PWS-B vuo55 기준 PWS-B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1.03 V @ 20 a 100 µa @ 1400 v 58 a 3 단계 1.4kV
VUO60-12NO3 IXYS vuo60-12no3 -
RFQ
ECAD 4071 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 fo-fb vuo60 기준 fo-fb 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1.9 v @ 150 a 300 µa @ 1200 v 72 a 3 단계 1.2kV
VUO60-14NO3 IXYS vuo60-14no3 -
RFQ
ECAD 9387 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 fo-fb vuo60 기준 fo-fb 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1.9 v @ 150 a 300 µa @ 1400 v 72 a 3 단계 1.4kV
VUO62-08NO7 IXYS vuo62-08no7 35.5700
RFQ
ECAD 9704 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 PWS-D vuo62 기준 PWS-D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 460443 귀 99 8541.10.0080 1 1.8 V @ 150 a 300 µa @ 800 v 63 a 3 단계 800 v
VUO62-12NO7 IXYS vuo62-12no7 38.4300
RFQ
ECAD 5490 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 PWS-D vuo62 기준 PWS-D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1.8 V @ 150 a 300 µa @ 1200 v 63 a 3 단계 1.2kV
VUO62-18NO7 IXYS vuo62-18no7 37.9970
RFQ
ECAD 8958 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 PWS-D vuo62 기준 PWS-D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1.8 V @ 150 a 300 µa @ 1800 v 63 a 3 단계 1.8 kV
IXFK44N55Q IXYS IXFK44N55Q -
RFQ
ECAD 3862 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q 클래스 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK44 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 550 v 44A (TC) 10V 120mohm @ 22a, 10V 4.5V @ 4mA 190 NC @ 10 v ± 20V 6400 pf @ 25 v - 500W (TC)
IXFL80N50Q2 IXYS IXFL80N50Q2 -
RFQ
ECAD 4154 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q2 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFL80 MOSFET (금속 (() ISOPLUS264 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 55A (TC) 10V 66MOHM @ 40A, 10V 5V @ 8MA 260 NC @ 10 v ± 30V 10500 pf @ 25 v - 625W (TC)
IXFT23N80Q IXYS IXFT23N80Q -
RFQ
ECAD 7665 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q 클래스 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT23 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 23A (TC) 10V 420mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 3MA 130 NC @ 10 v ± 30V 4900 pf @ 25 v - 500W (TC)
MCD72-08IO1B IXYS MCD72-08IO1B -
RFQ
ECAD 2597 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 TO-240AA MCD72 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 36 200 MA 800 v 180 a 2.5 v 1700a, 1800a 150 MA 115 a 1 scr, 1 다이오드
IXGC16N60C2 IXYS IXGC16N60C2 -
RFQ
ECAD 9842 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 ISOPLUS220 ™ IXGC16 기준 63 W. ISOPLUS220 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 12a, 22ohm, 15V Pt 600 v 20 a 100 a 3V @ 15V, 12a 60µJ (OFF) 32 NC 25ns/60ns
IXGH120N30C3 IXYS IXGH120N30C3 -
RFQ
ECAD 1410 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH120 기준 540 W. TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 200V, 60A, 2OHM, 15V Pt 300 v 75 a 600 a 2.1V @ 15V, 120A 230µJ (on), 730µJ (OFF) 230 NC 28ns/109ns
IXGH24N120IH IXYS ixgh24n120ih -
RFQ
ECAD 1538 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH24 기준 TO-247AD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - - 1200 v - - -
IXGH30N60B2 IXYS IXGH30N60B2 -
RFQ
ECAD 5227 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH30 기준 190 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 24A, 5ohm, 15V Pt 600 v 70 a 150 a 1.8V @ 15V, 24A 320µJ (OFF) 66 NC 13ns/110ns
IXGH36N60A3D4 IXYS IXGH36N60A3D4 -
RFQ
ECAD 1300 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH36 기준 220 w TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 5ohm, 15V 3 ns Pt 600 v 200a 1.4V @ 15V, 30A 740µJ (on), 3MJ (OFF) 80 NC 18NS/330NS
IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1 10.1700
RFQ
ECAD 6633 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH48 기준 300 w TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 30A, 5ohm, 15V 100 ns Pt 600 v 280 a 1.8V @ 15V, 32A 840µJ (on), 660µJ (OFF) 115 NC 22ns/130ns
IXGK60N60 IXYS IXGK60N60 -
RFQ
ECAD 1327 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXGK60 기준 300 w TO-264 (IXGK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 480V, 60A, 2.7OHM, 15V Pt 600 v 75 a 200a 1.7V @ 15V, 60A 8mj (OFF) 130 NC 50ns/300ns
IXGN80N60A2D1 IXYS IXGN80N60A2D1 -
RFQ
ECAD 6392 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXGN80 625 w 기준 SOT-227B 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 600 v 160 a 1.35V @ 15V, 80A 650 µA 아니요
IXGP16N60B2D1 IXYS IXGP16N60B2D1 -
RFQ
ECAD 7051 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXGP16 기준 150 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 12a, 22ohm, 15V 30 ns Pt 600 v 40 a 100 a 1.95V @ 15V, 12A 160µJ (on), 120µJ (OFF) 24 NC 18ns/73ns
IXGP28N120B IXYS IXGP28N120B -
RFQ
ECAD 1883 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXGP28 기준 250 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 960v, 28a, 5ohm, 15v - 1200 v 50 a 150 a 3.5V @ 15V, 28A 2MJ (OFF) 92 NC 30ns/180ns
IXGR120N60C2 IXYS IXGR120N60C2 -
RFQ
ECAD 9004 0.00000000 ixys Hiperfast ™, Lightspeed 2 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGR120 기준 300 w ISOPLUS247 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 80a, 1ohm, 15V Pt 600 v 75 a 500 a 2.7V @ 15V, 100A 1.7mj (on), 1mj (Off) 370 NC 40ns/120ns
IXGR40N120A2D1 IXYS IXGR40N120A2D1 -
RFQ
ECAD 1024 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGR40 기준 ISOPLUS247 ™ - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - - 1200 v - - -
IXGR50N60C2 IXYS IXGR50N60C2 -
RFQ
ECAD 2044 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGR50 기준 200 w ISOPLUS247 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 40A, 2ohm, 15V Pt 600 v 75 a 300 a 2.7V @ 15V, 40A 380µJ (OFF) 138 NC 18NS/115NS
IXGB200N60B3 IXYS IXGB200N60B3 -
RFQ
ECAD 5180 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXGB200 기준 1250 w Plus264 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 300V, 100A, 1ohm, 15V Pt 600 v 75 a 600 a 1.5V @ 15V, 100A 1.6mj (on), 2.9mj (OFF) 750 NC 44ns/310ns
IXBH12N300 IXYS IXBH12N300 34.3000
RFQ
ECAD 279 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXBH12 기준 160 W. TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 623293 귀 99 8541.29.0095 30 - 1.4 µs - 3000 v 30 a 100 a 3.2V @ 15V, 12a - 62 NC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고