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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | Current -Off State (Max) | scr 유형 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | scrs, 수 다이오드 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
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![]() | ixfn300n10p | 48.2300 | ![]() | 6259 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN300 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 100 v | 295A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 50a, 10V | 5V @ 8MA | 279 NC @ 10 v | ± 20V | 23000 pf @ 25 v | - | 1070W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGP8N100 | - | ![]() | 1653 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXGP8 | 기준 | 54 w | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 800V, 8A, 120ohm, 15V | Pt | 1000 v | 16 a | 32 a | 2.7V @ 15V, 8A | 2.3mj (OFF) | 26.5 NC | 15ns/600ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFQ140N20X3 | 12.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra X3 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXFQ140 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | 140A (TC) | 10V | 9.6MOHM @ 70A, 10V | 4.5V @ 4mA | 127 NC @ 10 v | ± 20V | 7660 pf @ 25 v | - | 520W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTH20N65X | 10.4900 | ![]() | 300 | 0.00000000 | ixys | x. x | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTH20 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 20A (TC) | 10V | 210mohm @ 10a, 10V | 5.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 1390 pf @ 25 v | - | 320W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HTZ110A16K | - | ![]() | 7726 | 0.00000000 | ixys | HTZ110A | 상자 | 활동적인 | 섀시 섀시 | 기준 기준 | HTZ110 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 16000 v | 3.5a | 18.3 V @ 12 a | 500 µA @ 16800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYH55N120A4 | 13.0000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXYH55 | 기준 | 650 w | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXYH55N120A4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 40A, 5ohm, 15V | 35 ns | Pt | 1200 v | 175 a | 350 a | 1.8V @ 15V, 55A | 2.3mj (on), 5.3mj (OFF) | 110 NC | 23ns/300ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSP25-16AT-TUB | 6.7833 | ![]() | 5894 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | DSP25 | 기준 | TO-268AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 1600 v | 28a | 1.6 V @ 55 a | 2 ma @ 1600 v | -40 ° C ~ 180 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCMA400pd1600p-pc | 162.2954 | ![]() | 6934 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | - | - | - | MCMA400 | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-MCMA400PD1600p-PC | 귀 99 | 8541.30.0080 | 24 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS75-08B | - | ![]() | 2488 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | DS75 | 기준 | Do-203ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 짐 | 800 v | 1.17 v @ 150 a | 6 ma @ 800 v | -40 ° C ~ 180 ° C | 110A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXBT12N300HV | 37.6500 | ![]() | 4241 | 0.00000000 | ixys | Bimosfet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXBT12 | 기준 | 160 W. | TO-268HV (IXBT) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 1250V, 12A, 10ohm, 15V | 1.4 µs | - | 3000 v | 30 a | 100 a | 3.2V @ 15V, 12a | - | 62 NC | 64ns/180ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDA600-20N1 | - | ![]() | 9014 | 0.00000000 | ixys | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MDA600 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1 양극 양극 공통 | 2000 v | 883a | 880 mV @ 500 a | 18 µs | 50 ma @ 2000 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VBO55-18NO7 | - | ![]() | 5768 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | fo-ta | vbo55 | 기준 | fo-ta | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.6 V @ 150 a | 500 µa @ 1800 v | 55 a | 단일 단일 | 1.8 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCD72-14IO8B | 37.9200 | ![]() | 31 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | TO-240AA | MCD72 | 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -MCD72-14IO8B | 귀 99 | 8541.30.0080 | 36 | 200 MA | 1.4kV | 180 a | 2.5 v | 1700a, 1800a | 150 MA | 115 a | 1 scr, 1 다이오드 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vuo62-16no7 | 38.3000 | ![]() | 5145 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | PWS-D | vuo62 | 기준 | PWS-D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vuo6216no7 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.8 V @ 150 a | 300 µa @ 1600 v | 63 a | 3 단계 | 1.6kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS19-12HO1C | - | ![]() | 7393 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 구멍을 구멍을 | ISOPLUS220 ™ | CS19 | ISOPLUS220 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 50 MA | 1.2kV | 35 a | 1.5 v | 100A, 105A | 25 MA | 1.65 v | 13 a | 1 MA | 표준 표준 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DPF240X200NA | 40.1530 | ![]() | 9450 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | DPF240 | 기준 | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 짐 | 2 독립 | 200 v | 120a | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VBE100-06NO7 | 31.4264 | ![]() | 6427 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Eco-PAC2 | vbe100 | 기준 | Eco-PAC2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 2.04 V @ 60 a | 100 µa @ 4800 v | 100 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VUO155-16NO1 | - | ![]() | 8936 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | v2-pak | vuo155 | 기준 | v2-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6 | 1.59 V @ 150 a | 300 µa @ 1600 v | 157 a | 3 단계 | 1.6kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDK950-12N1W | - | ![]() | 2528 | 0.00000000 | ixys | - | 쟁반 | 활동적인 | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MDK950 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1 음극 음극 공통 | 1200 v | 950a | 880 mV @ 500 a | 18 µs | 50 ma @ 1200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ixfk40n90p | 29.8700 | ![]() | 240 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK40 | MOSFET (금속 (() | TO-264AA (IXFK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 900 v | 40A (TC) | 10V | 230mohm @ 20a, 10V | 6.5V @ 1mA | 230 nc @ 10 v | ± 30V | 14000 pf @ 25 v | - | 960W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ixfp8n85x | 3.3500 | ![]() | 300 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra x | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXFP8N85 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB (IXFP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -1402-IXFP8N85X | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 850 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4a, 10V | 5.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 654 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTQ36N20T | - | ![]() | 8891 | 0.00000000 | ixys | 도랑 | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ36 | MOSFET (금속 (() | to-3p | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MII200-12A4 | - | ![]() | 5280 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Y3-DCB | MII200 | 1130 w | 기준 | Y3-DCB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2 | 반 반 | NPT | 1200 v | 270 a | 2.7V @ 15V, 150A | 10 MA | 아니요 | 11 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mubw50-12e8 | - | ![]() | 6024 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | E3 | 무드 | 350 w | 3 정류기 정류기 브리지 | E3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5 | 브레이크가있는 3 인버터 단계 | - | 1200 v | 90 a | 2.4V @ 15V, 50A | 800 µA | 예 | 3.8 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGN100N170 | 61.0300 | ![]() | 1983 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXGN100 | 735 w | 기준 | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | NPT | 1700 v | 160 a | 3V @ 15V, 100A | 50 µA | 아니요 | 9.22 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MKI50-12E7 | - | ![]() | 9446 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | E2 | MKI | 350 w | 기준 | E2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | 전체 전체 인버터 | NPT | 1200 v | 90 a | 2.4V @ 15V, 50A | 800 µA | 아니요 | 3.8 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXSH30N60CD1 | - | ![]() | 4165 | 0.00000000 | ixys | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXSH30 | 기준 | 200 w | TO-247AD | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | IXSH30N60CD1-NDR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V, 30A, 4.7OHM, 15V | 50 ns | - | 600 v | 55 a | 110 a | 2.5V @ 15V, 30A | 700µJ (OFF) | 100 NC | 30ns/90ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VBO54-12NO7 | 15.9700 | ![]() | 1618 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Eco-PAC1 | vbo54 | 기준 | Eco-PAC1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 40 µa @ 1200 v | 54 a | 단일 단일 | 1.2kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDD220-08N1 | - | ![]() | 4810 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | 섀시 섀시 | Y2-DCB | MDD220 | 기준 | Y2-DCB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 800 v | 270A | 1.4 V @ 600 a | 40 ma @ 800 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ixfl30n120p | - | ![]() | 4330 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | isoplusi5-pak ™ | IXFL30 | MOSFET (금속 (() | isoplusi5-pak ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 1200 v | 18A (TC) | 10V | 380mohm @ 15a, 10V | 6.5V @ 1mA | 310 nc @ 10 v | ± 30V | 19000 pf @ 25 v | - | 357W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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