SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
DS17-12A IXYS DS17-12A -
RFQ
ECAD 5012 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 DS17 눈사태 DO-203AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1200 v 1.36 V @ 55 a 4 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
IXFH74N20 IXYS IXFH74N20 -
RFQ
ECAD 1069 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH74 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 74A (TC) 10V 30mohm @ 500ma, 10V 4V @ 4MA 280 nc @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 360W (TC)
IXTV250N075TS IXYS IXTV250N075TS -
RFQ
ECAD 8193 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 Plus-220SMD IXTV250 MOSFET (금속 (() Plus-220SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 250A (TC) 10V 4mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 9900 pf @ 25 v - 550W (TC)
IXTM1316 IXYS IXTM1316 -
RFQ
ECAD 2833 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 - - - IXTM13 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 - - - - - - - -
MCD44-14IO1B IXYS MCD44-14IO1B -
RFQ
ECAD 3513 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 TO-240AA MCD44 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 36 200 MA 1.4kV 80 a 1.5 v 1150a, 1230a 100 MA 51 a 1 scr, 1 다이오드
IXFX120N25P IXYS IXFX120N25P 17.2000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX120 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 250 v 120A (TC) 10V 24mohm @ 60a, 10V 5V @ 4MA 185 NC @ 10 v ± 20V 8000 pf @ 25 v - 700W (TC)
VUO100-14NO7 IXYS VUO100-14NO7 -
RFQ
ECAD 6339 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 fo-ta vuo100 기준 fo-ta 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1.4 v @ 150 a 500 µA @ 1400 v 100 a 3 단계 1.4kV
IXTQ230N085T IXYS IXTQ230N085T -
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ230 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 85 v 230A (TC) 10V 4.4mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 187 NC @ 10 v ± 20V 9900 pf @ 25 v - 550W (TC)
IXTN79N20 IXYS IXTN79N20 -
RFQ
ECAD 9988 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 - 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXTN79 MOSFET (금속 (() SOT-227B - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 200 v 85A (TC) - 4V @ 20MA - 400W (TC)
DSEP2X91-03A IXYS DSEP2X91-03A 42.1600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 ixys Hiperfred ™ 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 DSEP2X91 기준 SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 dsep2x9103a 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 300 v 90A 1.54 V @ 90 a 40 ns 1 ma @ 300 v -40 ° C ~ 150 ° C
IXGK35N120CD1 IXYS IXGK35N120CD1 -
RFQ
ECAD 9486 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXGK35 기준 350 w TO-264 (IXGK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 960V, 35A, 5ohm, 15V 60 ns - 1200 v 70 a 140 a 4V @ 15V, 35A 3MJ (OFF) 170 NC 50ns/150ns
DSA70C100HB IXYS DSA70C100HB -
RFQ
ECAD 4970 0.00000000 ixys - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 DSA70C100 Schottky TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 35a 920 MV @ 35 a 450 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
IXFE48N50QD2 IXYS ixfe48n50qd2 -
RFQ
ECAD 6417 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 고갈 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFE48 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 500 v 41A (TC) 10V 110mohm @ 24a, 10V 4V @ 4MA 190 NC @ 10 v ± 20V 8000 pf @ 25 v - 400W (TC)
IXFH15N100 IXYS IXFH15N100 -
RFQ
ECAD 5175 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH15 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 15A (TC) 10V 700mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 4mA 220 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 360W (TC)
FBO16-12N IXYS FBO16-12N 15.4300
RFQ
ECAD 6950 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 FBO16 기준 Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.43 V @ 20 a 10 µa @ 1200 v 22 a 단일 단일 1.2kV
IXFH180N20X3 IXYS IXFH180N20X3 17.3300
RFQ
ECAD 600 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH180 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 180A (TC) 10V 7.5mohm @ 90a, 10V 4.5V @ 4mA 154 NC @ 10 v ± 20V 10300 pf @ 25 v - 780W (TC)
MCD250-12IO1 IXYS MCD250-12IO1 -
RFQ
ECAD 5717 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 섀시 섀시 Y2-DCB MCD250 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2 150 MA 1.2kV 450 a 2 v 9000A, 9600A 150 MA 287 a 1 scr, 1 다이오드
IXFN26N90 IXYS IXFN26N90 29.2860
RFQ
ECAD 5958 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN26 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 IXFN26N90-NDR 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 900 v 26A (TC) 10V 300mohm @ 13a, 10V 5V @ 8MA 240 NC @ 10 v ± 20V 10800 pf @ 25 v - 600W (TC)
IXFK520N075T2 IXYS IXFK520N075T2 16.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK520 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 75 v 520A (TC) 10V 2.2MOHM @ 100A, 10V 5V @ 8MA 545 NC @ 10 v ± 20V 41000 pf @ 25 v - 1250W (TC)
MCNA95P2200TA IXYS MCNA95P2200TA 49.3825
RFQ
ECAD 5509 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 섀시 섀시 TO-240AA MCNA95 시리즈 시리즈 - 연결 scr - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MCNA95P2200TA 귀 99 8541.30.0080 36 200 MA 2.2kV 149 a 1.5 v 1700a, 1840a 150 MA 95 a 2 scrs
MDK950-22N1W IXYS MDK950-22N1W -
RFQ
ECAD 2308 0.00000000 ixys - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 섀시 섀시 기준 기준 MDK950 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1 음극 음극 공통 2200 v 950a 880 mV @ 500 a 18 µs 50 ma @ 2200 v -40 ° C ~ 150 ° C
IXTH14N80 IXYS IXTH14N80 -
RFQ
ECAD 7343 0.00000000 ixys 메가모스 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH14 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 14A (TC) 10V 700mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 300W (TC)
VMM85-02F IXYS vmm85-02f -
RFQ
ECAD 5985 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 상자 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Y4-M6 vmm85 MOSFET (금속 (() 370W Y4-M6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 2 n 채널 (채널) 200V 84A 25mohm @ 500ma, 10V 4V @ 8MA 450NC @ 10V 15000pf @ 25V -
IXGK60N60C2D1 IXYS IXGK60N60C2D1 -
RFQ
ECAD 5162 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXGK60 기준 480 W. TO-264 (IXGK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 400V, 50A, 2ohm, 15V 35 ns Pt 600 v 75 a 300 a 2.5V @ 15V, 50A 400µJ (on), 480µJ (OFF) 146 NC 18ns/95ns
IXIDM1401_1505_M IXYS IXIDM1401_1505_M -
RFQ
ECAD 8302 0.00000000 ixys - 쟁반 쓸모없는 표면 표면 기준 기준 IGBT IXIDM140 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 -IXIDM1401_1505_M 귀 99 8542.39.0001 1 반 반 10 a 15 v 4000VRMS
IXTH62N65X2 IXYS ixth62n65x2 11.0300
RFQ
ECAD 22 0.00000000 ixys x2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH62 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 62A (TC) 10V 52mohm @ 31a, 10V 4.5V @ 4mA 104 NC @ 10 v ± 30V 5940 pf @ 25 v - 780W (TC)
DSA75-12B IXYS DSA75-12B -
RFQ
ECAD 7776 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 DSA75 눈사태 Do-203ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1200 v 1.17 v @ 150 a 6 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 180 ° C 110A -
VBO40-16NO6 IXYS VBO40-16NO6 29.8300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 vbo40 기준 SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -VBO40-16NO6 귀 99 8541.10.0080 10 1.15 V @ 20 a 40 µa @ 1600 v 40 a 단일 단일 1.6kV
VUO52-14NO1 IXYS vuo52-14no1 -
RFQ
ECAD 7015 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 V1-A vuo52 기준 V1-A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 24 1.13 V @ 20 a 40 µa @ 1400 v 54 a 3 단계 1.4kV
IXTC230N085T IXYS IXTC230N085T -
RFQ
ECAD 2621 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 ISOPLUS220 ™ IXTC230 MOSFET (금속 (() ISOPLUS220 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 85 v 120A (TC) - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고