SIC
close

불연속 불연속 제품 (6315)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 현재- it (it (av)) (max) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
DSEP29-06BS IXYS DSEP29-06BS -
RFQ
 ECAD 1806 0.00000000 ixys Hiperfred ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB DSEP29-06 기준 TO-263AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.52 V @ 30 a 30 ns 250 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
IXTH12N100 IXYS IXTH12N100 -
RFQ
 ECAD 9990 0.00000000 ixys 메가모스 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH12 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 12A (TC) 10V 1.05ohm @ 6a, 10V 4.5V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXTH140N075L2 IXYS IXTH140N075L2 18.2938
RFQ
 ECAD 9647 0.00000000 ixys l2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH140 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 75 v 140A (TC) 10V 11mohm @ 70a, 10V 4.5V @ 250µA 275 NC @ 10 v ± 20V 9300 pf @ 25 v - 540W (TC)
DSEP2X91-06A IXYS DSEP2X91-06A 39.0200
RFQ
 ECAD 9137 0.00000000 ixys Hiperfred ™ 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 DSEP2X91 기준 SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 dsep2x9106a 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 600 v 90A 2.05 V @ 90 a 35 ns 1 ma @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C
IXTP55N075T IXYS IXTP55N075T -
RFQ
 ECAD 1625 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP55 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 55A (TC) 10V 19.5mohm @ 27.5a, 10V 4V @ 25µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 130W (TC)
MUBW30-12E6K IXYS mubw30-12e6k -
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E1 무드 130 W. 3 정류기 정류기 브리지 E1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 1200 v 30 a 3.6V @ 15V, 30A 1 MA 예 1.18 NF @ 25 v
DS2-12A IXYS DS2-12A -
RFQ
 ECAD 6789 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 구멍을 구멍을 축 DS2 기준 축 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -DS2-12A 귀 99 8541.10.0080 100 짐 1200 v 1.25 V @ 7 a 2 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 180 ° C 3.6a -
IXTP80N075L2 IXYS IXTP80N075L2 7.7400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 ixys l2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP80 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -IXTP80N075L2 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 24mohm @ 40a, 10V 4.5V @ 250µA 103 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 357W (TC)
IXTR210P10T IXYS ixtr210p10t 30.4840
RFQ
 ECAD 5770 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTR210 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 100 v 195a (TC) 10V 8mohm @ 105a, 10V 4.5V @ 250µA 740 NC @ 10 v ± 15V 69500 ​​pf @ 25 v - 595W (TC)
IXTA200N075T IXYS IXTA200N075T -
RFQ
 ECAD 6439 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA200 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 200a (TC) 10V 5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 25 v - 430W (TC)
IXTV98N20T IXYS IXTV98N20T -
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXTV98 MOSFET (금속 (() Plus220 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 98A (TC) - - - -
IXFH26N50P3 IXYS IXFH26N50P3 8.0000
RFQ
 ECAD 298 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH26 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 230mohm @ 13a, 10V 5V @ 4MA 42 NC @ 10 v ± 30V 2220 pf @ 25 v - 500W (TC)
IXFN170N30P IXYS IXFN170N30P 48.2300
RFQ
 ECAD 1237 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN170 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 300 v 138A (TC) 10V 18mohm @ 85a, 10V 4.5V @ 1mA 258 NC @ 10 v ± 20V 20000 pf @ 25 v - 890W (TC)
IXFP4N85XM IXYS ixfp4n85xm 3.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IXFP4N85 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 850 v 3.5A (TC) 10V 2A, 2A, 10V 2.5ohm 5.5V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 30V 247 pf @ 25 v - 35W (TC)
IXFA3N120-TRR IXYS ixfa3n120-trr 6.4701
RFQ
 ECAD 3516 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA3 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFA3N120-TRRTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1200 v 3A (TC) 10V 4.5ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 1.5MA 39 NC @ 10 v ± 20V 1050 pf @ 25 v - 200W (TC)
DSP25-16A IXYS DSP25-16A 6.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 DSP25 기준 TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 짐 1 연결 연결 시리즈 1600 v 28a 1.6 V @ 55 a 2 ma @ 1600 v -40 ° C ~ 180 ° C
MCC700-20IO1W IXYS MCC700-20IO1W -
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 ixys - 쟁반 쓸모없는 - 섀시 섀시 WC-500 MCC700 시리즈 시리즈 - 연결 scr - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 2kv 1331 a 18200 @ 50MHz 700 a 2 scrs
IXTN79N20 IXYS IXTN79N20 -
RFQ
 ECAD 9988 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 - 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXTN79 MOSFET (금속 (() SOT-227B - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 200 v 85A (TC) - 4V @ 20MA - 400W (TC)
DS17-12A IXYS DS17-12A -
RFQ
 ECAD 5012 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 DS17 눈사태 DO-203AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 짐 1200 v 1.36 V @ 55 a 4 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
IXFE48N50QD2 IXYS ixfe48n50qd2 -
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 고갈 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFE48 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 500 v 41A (TC) 10V 110mohm @ 24a, 10V 4V @ 4MA 190 NC @ 10 v ± 20V 8000 pf @ 25 v - 400W (TC)
IXTY1N120PTRL IXYS ixty1n120ptrl -
RFQ
 ECAD 3330 0.00000000 ixys 극선 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ixty1 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 영향을받지 영향을받지 238-Ixty1n120ptrltr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 1200 v 1A (TC) 10V 20ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 50µA 17.6 NC @ 10 v ± 30V 445 pf @ 25 v - 63W (TC)
IXFT80N65X2HV-TRL IXYS ixft80n65x2hv-trl 11.8738
RFQ
 ECAD 7815 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT80 MOSFET (금속 (() TO-268HV (IXFT) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 238-IXFT80N65X2HV-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 650 v 80A (TC) 10V 38mohm @ 40a, 10V 5V @ 4MA 140 NC @ 10 v ± 30V 8300 pf @ 25 v - 890W (TC)
IXFH74N20 IXYS IXFH74N20 -
RFQ
 ECAD 1069 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH74 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 74A (TC) 10V 30mohm @ 500ma, 10V 4V @ 4MA 280 nc @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 360W (TC)
IXTT6N120-TRL IXYS IXTT6N120-TRL 9.7655
RFQ
 ECAD 5996 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT6 MOSFET (금속 (() TO-268 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTT6N120-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 1200 v 6A (TC) 10V 2.6ohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXFT26N60P IXYS ixft26n60p 7.0695
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT26 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 270mohm @ 500ma, 10V 5V @ 4MA 72 NC @ 10 v ± 30V 4150 pf @ 25 v - 460W (TC)
IXFT69N30P IXYS ixft69n30p 11.3667
RFQ
 ECAD 3671 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT69 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 69A (TC) 10V 49mohm @ 500ma, 10V 5V @ 4MA 180 NC @ 10 v ± 20V 4960 pf @ 25 v - 500W (TC)
IXGH24N60A IXYS IXGH24N60A -
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH24 기준 150 W. TO-247AD - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 IXGH24N60A-NDR 귀 99 8541.29.0095 30 - - 600 v 48 a 2.7V @ 15V, 24A - -
DSSK80-006BR IXYS DSSK80-006BR -
RFQ
 ECAD 2940 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 DSSK80 Schottky ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DSSK80006BR 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 40a 550 mV @ 40 a 20 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
IXGR120N60B IXYS IXGR120N60B -
RFQ
 ECAD 4434 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGR120 기준 520 w ISOPLUS247 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 100A, 2.4OHM, 15V Pt 600 v 156 a 300 a 2.1V @ 15V, 100A 2.4mj (on), 5.5mj (OFF) 350 NC 60ns/200ns
VUO160-08NO7 IXYS vuo160-08no7 65.7500
RFQ
 ECAD 1975 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 PWS-E vuo160 기준 PWS-E 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vuo16008no7 귀 99 8541.10.0080 5 1.1 v @ 60 a 200 µa @ 800 v 175 a 3 단계 800 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다