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불연속 불연속 제품 (6315)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IXTH60N20X4 IXYS IXTH60N20X4 11.5000
RFQ
 ECAD 299 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH60 MOSFET (금속 (() TO-247 (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-IXTH60N20X4 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 60A (TC) 10V 21mohm @ 30a, 10V 4.5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 2450 pf @ 25 v - 250W (TC)
IXFR32N50 IXYS IXFR32N50 -
RFQ
 ECAD 5374 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 IXFR32 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 -
IXFT15N100Q3 IXYS IXFT15N100Q3 19.7000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q3 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT15 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -IXFT15N100Q3 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 15A (TC) 10V 1.05ohm @ 7.5a, 10V 6.5V @ 4MA 64 NC @ 10 v ± 30V 3250 pf @ 25 v - 690W (TC)
IXFP230N075T2 IXYS IXFP230N075T2 7.1800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP230 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 230A (TC) 10V 4.2mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 178 NC @ 10 v ± 20V 10500 pf @ 25 v - 480W (TC)
VVY40-16IO1 IXYS VVY40-16IO1 -
RFQ
 ECAD 4282 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 - 섀시 섀시 기준 기준 vvy40 다리, 3 상 -Scrs/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 5 1.6kV 320A @ 50Hz 34 a 2 scr, 4 개의 다이오드
IXGR40N60C IXYS IXGR40N60C -
RFQ
 ECAD 3568 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGR40 기준 200 w ISOPLUS247 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 40A, 4.7OHM, 15V - 600 v 75 a 150 a 2.7V @ 15V, 40A 850µJ (OFF) 116 NC 25ns/100ns
IXFA76N15T2-TRL IXYS IXFA76N15T2-TRL 3.8409
RFQ
 ECAD 7266 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA76 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFA76N15T2-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 76A (TC) 10V 22mohm @ 38a, 10V 4.5V @ 250µA 97 NC @ 10 v ± 20V 5800 pf @ 25 v - 350W (TC)
DHG20C600PB IXYS DHG20C600PB 3.1500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 DHG20 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 10A 2.37 V @ 10 a 35 ns 15 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
IXFQ8N85X IXYS ixfq8n85x 4.5552
RFQ
 ECAD 8060 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXFQ8N85 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFQ8N85X 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 850 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10V 5.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 654 pf @ 25 v - 200W (TC)
K1010MA650 IXYS K1010MA650 -
RFQ
 ECAD 8268 0.00000000 ixys - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 클램프 클램프 TO-200AC, K-PUK K1010 W77 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-K1010MA650 귀 99 8541.30.0080 6 1 a 6.5kV 2210 a 3 v 14000a @ 50Hz 300 MA 2.5 v 1130 a 150 MA 표준 표준
DNA30E2200PA IXYS DNA30E2200PA 4.6400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 DNA30E2200 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 짐 2200 v 1.26 V @ 30 a 40 µa @ 2200 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A 7pf @ 700V, 1MHz
IXGH16N170A IXYS IXGH16N170A 13.6900
RFQ
 ECAD 3326 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH16 기준 190 w TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 850V, 16A, 10ohm, 15V NPT 1700 v 16 a 40 a 5V @ 15V, 11a 900µJ (OFF) 65 NC 36ns/160ns
IXTA3N110 IXYS IXTA3N110 -
RFQ
 ECAD 6347 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA3 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1100 v 3A (TC) 10V 4ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 150W (TC)
MLO36-12IO1 IXYS MLO36-12IO1 -
RFQ
 ECAD 2035 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MLO 1/scr - scr/다이오드 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 100 MA 1.2kV 28 a 1 v 360A, 390A 65 MA 18 a 1 scr, 1 다이오드
VUO122-12NO7 IXYS VUO122-12NO7 29.3268
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Eco-PAC2 vuo122 기준 Eco-PAC2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.13 V @ 50 a 100 µa @ 1200 v 117 a 3 단계 1.2kV
IXTH24N65X2 IXYS IXTH24N65X2 6.4000
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 ixys x2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH24 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 2060 pf @ 25 v - 390W (TC)
MIXG120W1200PTEH IXYS Mixg120W1200pteh 154.9675
RFQ
 ECAD 6401 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 - - - MixG120 - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MIXG120W1200PTEH 24 - - -
VDI75-12P1 IXYS VDI75-12P1 -
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Eco-PAC2 VDI 379 w 기준 Eco-PAC2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 하나의 NPT 1200 v 92 a 3.2V @ 15V, 75A 3.7 MA 예 3.3 NF @ 25 v
IXFP12N50PM IXYS ixfp12n50pm -
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP12 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 6A (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10V 5.5V @ 1mA 29 NC @ 10 v ± 30V 1830 pf @ 25 v - 50W (TC)
IXFK230N20T IXYS IXFK230N20T 26.4300
RFQ
 ECAD 3307 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 트렌치 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK230 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 200 v 230A (TC) 10V 7.5mohm @ 60a, 10V 5V @ 8MA 378 NC @ 10 v ± 20V 28000 pf @ 25 v - 1670W (TC)
IXFR230N20T IXYS IXFR230N20T 22.9893
RFQ
 ECAD 2211 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 트렌치 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFR230 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 156A (TC) 10V 8mohm @ 60a, 10V 5V @ 8MA 378 NC @ 10 v ± 20V 28000 pf @ 25 v - 600W (TC)
FID60-06D IXYS FID60-06D -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 fid60 기준 200 w Isoplus i4-Pac ™ - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 300V, 30A, 22ohm, 15V 70 ns NPT 600 v 65 a 2V @ 15V, 30A 1mj (on), 1.4mj (OFF) 120 NC -
IXFR80N50Q3 IXYS IXFR80N50Q3 37.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q3 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFR80 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 50A (TC) 10V 72mohm @ 40a, 10V 6.5V @ 8mA 200 nc @ 10 v ± 30V 10000 pf @ 25 v - 570W (TC)
HTZ260G19K IXYS HTZ260G19K -
RFQ
 ECAD 8090 0.00000000 ixys HTZ260G 상자 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 HTZ260 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1 연결 연결 시리즈 19600 v 4.7a 16 v @ 12 a 500 µA @ 19600 v
LSIC1MO120T0160-TU IXYS LSIC1MO120T0160-TU 8.1853
RFQ
 ECAD 4102 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 - 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA LSIC1MO120 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-263-7 다운로드 238-LSIC1MO120T0160-TU 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 1200 v 22A (TC) - - - - - -
IXYP30N120C4 IXYS IXYP30N120C4 15.0810
RFQ
 ECAD 4449 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXYP30N120C4 귀 99 8541.29.0095 50
DSEP2X31-06A IXYS DSEP2X31-06A 31.9300
RFQ
 ECAD 3884 0.00000000 ixys Hiperfred ™ 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 DSEP2X31 기준 SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 600 v 30A 2.49 V @ 30 a 30 ns 250 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C
IXGT72N60B3 IXYS IXGT72N60B3 -
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 쓸모없는 - 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT72 기준 540 W. TO-268AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 50a, 3ohm, 15V Pt 600 v 75 a 400 a 1.8V @ 15V, 60A 1.38mj (on), 1.05mj (OFF) 230 NC 31ns/150ns
MCD500-14IO1 IXYS MCD500-14IO1 -
RFQ
 ECAD 5341 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 WC-500 MCD500 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 1 a 1.4kV 1294 a 3 v 16500A @ 50Hz 300 MA 545 a 1 scr, 1 다이오드
IXFK78N50P3 IXYS IXFK78N50P3 22.5100
RFQ
 ECAD 187 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK78 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 78A (TC) 10V 68mohm @ 500ma, 10V 5V @ 4MA 147 NC @ 10 v ± 30V 9900 pf @ 25 v - 1130W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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