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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | Current -Off State (Max) | scr 유형 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | scrs, 수 다이오드 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
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![]() | DS35-08A | - | ![]() | 5996 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | DS35 | 기준 | Do-203ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 짐 | 800 v | 1.55 V @ 150 a | 4 ma @ 800 v | -40 ° C ~ 180 ° C | 49a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFN170N10 | 35.7580 | ![]() | 1044 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN170 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 100 v | 170A (TC) | 10V | 10mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 8MA | 515 NC @ 10 v | ± 20V | 10300 pf @ 25 v | - | 600W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSEP2X31-04A | - | ![]() | 7363 | 0.00000000 | ixys | Hiperfred ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | DSEP2X | 기준 | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 400 v | 30A | 1.45 V @ 30 a | 30 ns | 250 µa @ 400 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTP3N110 | - | ![]() | 3982 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1100 v | 3A (TC) | 10V | 4ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 1350 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | IXFK32N100p | 24.8900 | ![]() | 204 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK32 | MOSFET (금속 (() | TO-264AA (IXFK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 1000 v | 32A (TC) | 10V | 320mohm @ 16a, 10V | 6.5V @ 1mA | 225 NC @ 10 v | ± 30V | 14200 pf @ 25 v | - | 960W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCD26-16IO1B | 30.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | TO-240AA | MCD26 | 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 36 | 200 MA | 1.6kV | 50 a | 1.5 v | 520A, 560A | 100 MA | 32 a | 1 scr, 1 다이오드 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | VTO70-08IO7 | - | ![]() | 5588 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | fo-ta | VTO | 다리 다리, 3 상- 모든 scrs | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 800 v | 1.5 v | 550A, 600A | 100 MA | 70 a | 6 scrs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VHFD37-08IO1 | 38.5600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | v1a-pak | VHFD37 | 짐 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -VHFD37-08IO1 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 24 | 100 MA | 800 v | 1 v | 320A, 350A | 65 MA | 36 a | 2 scr, 4 개의 다이오드 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGN82N120B3H1 | - | ![]() | 1927 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXGN82 | 595 w | 기준 | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | Pt | 1200 v | 145 a | 3.2V @ 15V, 82A | 50 µA | 아니요 | 7.9 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ixfn44n100p | 44.9200 | ![]() | 8476 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN44 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -ixfn44n100p | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 1000 v | 37A (TC) | 10V | 220mohm @ 22a, 10V | 6.5V @ 1mA | 305 NC @ 10 v | ± 30V | 19000 pf @ 25 v | - | 890W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMP76-010T | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | ixys | 트렌치 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | i4 -pac ™ -5 | FMP76 | MOSFET (금속 (() | 89W, 132W | Isoplus i4-Pac ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 및 p 채널 | 100V | 62A, 54A | 11mohm @ 25a, 10V | 4.5V @ 250µA | 104NC @ 10V | 5080pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXTA80N10T | 3.8500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ixys | 도랑 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA80 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 80A (TC) | 10V | 14mohm @ 25a, 10V | 5V @ 100µa | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 3040 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mixa20WB1200TMH | - | ![]() | 8661 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 미니 2 | mixa20w | 100 W. | 3 정류기 정류기 브리지 | 미니 2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | 브레이크가있는 3 인버터 단계 | Pt | 1200 v | 28 a | 2.1V @ 15V, 16A | 100 µa | 예 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH20N60Q | - | ![]() | 2150 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH20 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 350mohm @ 10a, 10V | 4.5V @ 4mA | 90 NC @ 10 v | ± 30V | 3300 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DPG60C200QB | 6.3300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | ixys | Hiperfred² ™ | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | DPG60C200 | 기준 | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -dpg60c200qb | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 30A | 1.34 V @ 30 a | 35 ns | 1 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXTA48P05T-TRL | 2.8547 | ![]() | 5871 | 0.00000000 | ixys | Trenchp ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA48 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTA48P05T-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 50 v | 48A (TC) | 10V | 30mohm @ 24a, 10V | 4.5V @ 250µA | 53 NC @ 10 v | ± 15V | 3660 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXTA200N055T2-TRL | 2.6471 | ![]() | 3190 | 0.00000000 | ixys | Trencht2 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA200 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTA200N055T2-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 200a (TC) | 10V | 4.2mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 109 NC @ 10 v | ± 20V | 6970 pf @ 25 v | - | 360W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | N3790TE280 | - | ![]() | 4971 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | TO-200AF | N3790 | W82 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 238-N3790TE280 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 6 | 1 a | 2.8kV | 7410 a | 3 v | 55000A @ 50Hz | 300 MA | 2.1 v | 3790 a | 250 MA | 표준 표준 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTQ200N06P | - | ![]() | 3389 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ200 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 60 v | 200a (TC) | 10V | 5MOHM @ 400A, 15V | 5V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 5400 pf @ 25 v | - | 714W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFK35N50 | - | ![]() | 9959 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK35 | MOSFET (금속 (() | TO-264AA (IXFK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 500 v | 35A (TC) | 10V | 150mohm @ 16.5a, 10V | 4V @ 4MA | 227 NC @ 10 v | ± 20V | 5700 pf @ 25 v | - | 416W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
QJ8030RH4TP | 5.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | QJXX30XH4 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | QJ8030 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 238-QJ8030RH4TP | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 하나의 | 60 MA | 대안 - 너버리스 스 | 800 v | 30 a | 1 v | 290A, 350A | 35 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFK44N50Q | - | ![]() | 2619 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Q 클래스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK44 | MOSFET (금속 (() | TO-264AA (IXFK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 500 v | 44A (TC) | 10V | 120mohm @ 22a, 10V | 4V @ 4MA | 190 NC @ 10 v | ± 20V | 7000 pf @ 25 v | - | 500W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vwm350-0075p | - | ![]() | 2874 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | v2-pak | VWM350 | MOSFET (금속 (() | - | v2-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 75V | 340a | 3.3mohm @ 250a, 10V | 4V @ 2MA | 450NC @ 10V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MLO175-08IO7 | - | ![]() | 6892 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MLO175 | 1/scr - scr/다이오드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 25 | 200 MA | 800 v | 125 a | 1.5 v | 1500A, 1600A | 100 MA | 80 a | 1 scr, 1 다이오드 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFN110N65X3 | 33.9180 | ![]() | 2490 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | IXFN110 | - | 238-IXFN110N65X3 | 10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFN100N10S2 | - | ![]() | 7546 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN100 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 100 v | 100A (TC) | 10V | 15mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 4MA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 360W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCC162-14IO1B | 77.0817 | ![]() | 1243 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Y4-M6 | MCC162 | 시리즈 시리즈 - 연결 scr | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-MCC162-14IO1B | 귀 99 | 8541.30.0080 | 6 | 200 MA | 1.4kV | 300 a | 2.5 v | 6000A, 6480A | 150 MA | 181 a | 2 scrs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFN34N100 | - | ![]() | 8901 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN34 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 1000 v | 34A (TC) | 10V | 280mohm @ 500ma, 10V | 5.5V @ 8mA | 380 nc @ 10 v | ± 20V | 9200 pf @ 25 v | - | 700W (TC) |
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