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불연속 불연속 제품 (6315)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IXTH4N150 IXYS IXTH4N150 8.5733
RFQ
 ECAD 6483 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 ixth4 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1500 v 4A (TC) 10V 6ohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 44.5 nc @ 10 v ± 30V 1576 pf @ 25 v - 280W (TC)
IXYX140N90C3 IXYS IXYX140N90C3 21.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ixys genx3 ™, xpt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXYX140 기준 1630 w Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 450V, 100A, 1OHM, 15V - 900 v 310 a 840 a 2.7V @ 15V, 140A 4.3mj (on), 4mj (Off) 330 NC 40ns/145ns
CS20-22MOF1 IXYS CS20-22MOF1 42.2300
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 (3 리드) CS20 Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CS2022MOF1 귀 99 8541.30.0080 25 150 MA 2.2kV 2.3 v 200a @ 50Hz 250 MA 1.5 v 18 a 50 µA 표준 표준
N1467NC260 IXYS N1467NC260 -
RFQ
 ECAD 5900 0.00000000 ixys - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 클램프 클램프 TO-200AC, K-PUK N1467 W11 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-N1467NC260 귀 99 8541.30.0080 6 1 a 2.6kV 2912 a 3 v 23.6A @ 50Hz 300 MA 1.69 v 1467 a 100 MA 표준 표준
IXFR24N50 IXYS IXFR24N50 -
RFQ
 ECAD 3349 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFR24 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 24A (TC) 10V 230mohm @ 12a, 10V 4V @ 4MA 160 nc @ 10 v ± 20V 4200 pf @ 25 v - 250W (TC)
IXTH130N20T IXYS IXTH130N20T 9.3800
RFQ
 ECAD 7131 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH130 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 130A (TC) 10V 16mohm @ 500ma, 10V 5V @ 1MA 150 nc @ 10 v ± 20V 8800 pf @ 25 v - 830W (TC)
IXTA2N80 IXYS IXTA2N80 -
RFQ
 ECAD 5922 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA2 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 2A (TC) 10V 6.2ohm @ 500ma, 10V 5.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 25 v - 54W (TC)
IXTH200N085T IXYS IXTH200N085T -
RFQ
 ECAD 1499 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH200 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 85 v 200a (TC) 10V 5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 152 NC @ 10 v ± 20V 7600 pf @ 25 v - 480W (TC)
MEK250-12DA IXYS MEK250-12DA 82.6600
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 ixys 프레드 상자 활동적인 섀시 섀시 Y4-M6 MEK250 기준 Y4-M6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 260A 1.8 V @ 260 a 500 ns 12 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C
IXFP130N10T IXYS IXFP130N10T 3.9572
RFQ
 ECAD 9559 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 트렌치 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP130 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 130A (TC) 10V 9.1MOHM @ 25A, 10V 4.5V @ 1mA 104 NC @ 10 v ± 20V 5080 pf @ 25 v - 360W (TC)
MCD700-22IO1W IXYS MCD700-22IO1W -
RFQ
 ECAD 3264 0.00000000 ixys - 쟁반 쓸모없는 - 섀시 섀시 WC-500 MCD700 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 2.2kV 1331 a 18200 @ 50MHz 700 a 1 scr, 1 다이오드
CMA30E1600PZ-TUB IXYS CMA30E1600PZ-TUB 3.4064
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 ixys cma30e1600pz 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB CMA30 TO-263HV 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-CMA30E1600PZ-TUB 귀 99 8541.30.0080 50 60 MA 1.6kV 47 a 1.3 v 260A, 280A 28 MA 1.42 v 30 a 표준 표준
IXFN80N50P IXYS IXFN80N50P 36.1900
RFQ
 ECAD 7813 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN80 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 500 v 66A (TC) 10V 65mohm @ 500ma, 10V 5V @ 8MA 195 NC @ 10 v ± 30V 12700 pf @ 25 v - 700W (TC)
DPF60IM400HB IXYS DPF60IM400HB 5.0100
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 ixys Hiperfred ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 DPF60IM400 기준 TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.27 V @ 60 a 60 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
N1449QL200 IXYS N1449QL200 -
RFQ
 ECAD 1258 0.00000000 ixys - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AB, B-PUK N1449 WP6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-N1449QL200 귀 99 8541.30.0080 12 1 a 2kv 2790 a 3 v 19000a @ 50Hz 300 MA 2.65 v 1410 a 100 MA 표준 표준
IXTP86N20X4 IXYS IXTP86N20X4 11.8200
RFQ
 ECAD 565 0.00000000 ixys x4 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP86 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-IXTP86N20X4 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 86A (TC) 10V 13mohm @ 43a, 10V 4.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 2250 pf @ 25 v - 300W (TC)
DSS6-0025BS-TUB IXYS DSS6-0025BS-TUB -
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 ixys - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DSS6 Schottky TO-252AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-DSS6-0025BS-TUB 귀 99 8541.10.0080 70 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 25 v 400 mV @ 6 a 5 ma @ 25 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 639pf @ 5V, 1MHz
IXFT58N20Q IXYS IXFT58N20Q -
RFQ
 ECAD 6862 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT58 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 1 (무제한) IXFT58N20Q-NDR 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 58A (TC) 10V 40mohm @ 29a, 10V 4V @ 4MA 140 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 300W (TC)
MMIX1F420N10T IXYS mmix1f420n10t 50.6500
RFQ
 ECAD 7133 0.00000000 ixys Gigamos ™, Hiperfet ™, Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 24-powersmd, 21 리드 mmix1f420 MOSFET (금속 (() 24-SMPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 100 v 334A (TC) 10V 2.6MOHM @ 60A, 10V 5V @ 8MA 670 nc @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 10 v - 680W (TC)
IXFA7N100P-TRL IXYS ixfa7n100p-trl 4.1923
RFQ
 ECAD 8879 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA7N100 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFA7N100P-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1000 v 7A (TC) 10V 1.9ohm @ 3.5a, 10V 6V @ 1MA 47 NC @ 10 v ± 30V 2590 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXYP10N65C3 IXYS ixyp10n65c3 -
RFQ
 ECAD 5676 0.00000000 ixys genx3 ™, xpt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXYP10 기준 160 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 10A, 50ohm, 15V Pt 650 v 30 a 54 a 2.5V @ 15V, 10A 240µJ (on), 110µJ (OFF) 18 NC 20ns/77ns
MCO75-12IO1 IXYS MCO75-12IO1 28.8230
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MCO75 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 200 MA 1.2kV 121 a 1.5 v 1070a, 1150a 100 MA 77 a 1 scr
MTC120WX55GD-SMD IXYS MTC120WX55GD-SMD 28.2508
RFQ
 ECAD 2701 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 - - - MTC120 - - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MTC120WX55GD-SMD 귀 99 8541.29.0095 13 - - -
IXFP72N30X3M IXYS ixfp72n30x3m 10.2500
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IXFP72 MOSFET (금속 (() TO-220 된 분리 탭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 72A (TC) 10V 19mohm @ 36a, 10V 4.5V @ 1.5MA 82 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 36W (TC)
VII25-06P1 IXYS vii25-06p1 -
RFQ
 ECAD 2705 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Eco-PAC2 VII 82 W. 기준 Eco-PAC2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 반 반 NPT 600 v 24.5 a 2.9V @ 15V, 25A 600 µA 예 8 nf @ 25 v
IXTQ150N06P IXYS IXTQ150N06P -
RFQ
 ECAD 3587 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ150 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 60 v 150A (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10v 5V @ 250µA 118 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 480W (TC)
DNA30EM2200PZ-TRL IXYS DNA30EM2200PZ-TRL 5.2600
RFQ
 ECAD 5529 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB DNA30EM2200 기준 TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 짐 2200 v 1.26 V @ 30 a 40 µa @ 2200 v -55 ° C ~ 150 ° C 30A 7pf @ 700V, 1MHz
IXFH48N60X3 IXYS IXFH48N60X3 10.6000
RFQ
 ECAD 195 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH48 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-IXFH48N60X3 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 48A (TC) 10V 65mohm @ 24a, 10V 5V @ 2.5MA 38 NC @ 10 v ± 20V 2730 pf @ 25 v - 520W (TC)
UGE0421AY4 IXYS UGE0421AY4 75.8500
RFQ
 ECAD 9761 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 섀시 섀시 uge UGE0421 기준 uge - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6 짐 3200 v 2.72 V @ 55 a 2 ma @ 3200 v 22.9A -
DGSK36-03CS IXYS DGSK36-03CS -
RFQ
 ECAD 5631 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB DGSK36 Schottky TO-263AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 29a 1.9 v @ 7.5 a 23 ns 250 µa @ 300 v -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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