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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXFA72N30X3 | 10.3300 |  | 227 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra X3 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXFA72 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA (IXFA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 300 v | 72A (TC) | 10V | 19mohm @ 36a, 10V | 4.5V @ 1.5MA | 82 NC @ 10 v | ± 20V | 5400 pf @ 25 v | - | 390W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXGM40N60 | - | | 9699 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AE | IXGM40 | 기준 | 250 W. | TO-204AE | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | 480V, 40A, 22ohm, 15V | 200 ns | - | 600 v | 75 a | 150 a | 2.5V @ 15V, 40A | - | 250 NC | 100NS/600NS | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXTH140N075L2 | 18.2938 | | 9647 | 0.00000000 | ixys | l2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTH140 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 75 v | 140A (TC) | 10V | 11mohm @ 70a, 10V | 4.5V @ 250µA | 275 NC @ 10 v | ± 20V | 9300 pf @ 25 v | - | 540W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXXP12N65B4D1 | 2.8766 | | 4939 | 0.00000000 | ixys | XPT ™, GenX4 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXXP12 | 기준 | 160 W. | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 12a, 20ohm, 15V | 43 ns | - | 650 v | 38 a | 70 a | 1.95V @ 15V, 12A | 440µJ (ON), 220µJ (OFF) | 34 NC | 13ns/158ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXTQ36P15P | 7.5500 | | 9984 | 0.00000000 | ixys | Polarp ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ36 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | p 채널 | 150 v | 36A (TC) | 10V | 110mohm @ 18a, 10V | 4.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MIO600-65E11 | - | | 3468 | 0.00000000 | ixys | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | E11 | 미오 | 기준 | E11 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 단일 단일 | NPT | 6500 v | 600 a | 4.2V @ 15V, 600A | 120 MA | 아니요 | 150 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ixti10n60p | - | | 2539 | 0.00000000 | ixys | Polarhv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IXTI10 | MOSFET (금속 (() | TO-262 (I2PAK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 740mohm @ 5a, 10V | 5V @ 100µa | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 1610 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| HTZ240F14K | - | | 9742 | 0.00000000 | ixys | HTZ240F | 상자 | 활동적인 | 섀시 섀시 | 기준 기준 | HTZ240 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 14000 v | 1.7a | 10 V @ 2 a | 500 µA @ 14000 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH12N70X2 | 6.9900 | | 30 | 0.00000000 | ixys | x2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTH12 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 700 v | 12A (TC) | 10V | 300mohm @ 6a, 10V | 4.5V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 30V | 960 pf @ 25 v | - | 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| HTZ120A38K | - | | 5579 | 0.00000000 | ixys | HTZ120A | 상자 | 활동적인 | 섀시 섀시 | 기준 기준 | HTZ120 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 38000 v | 2A | 36.8 V @ 12 a | 500 µa @ 38000 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| gmm3x100-01x1-smd | - | | 6014 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 24-SMD,, 날개 | gmm3x100 | MOSFET (금속 (() | - | 24-SMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 28 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 100V | 90A | - | 4.5V @ 1mA | 90NC @ 10V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | IXFT30N50Q | - | | 6969 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXFT30 | MOSFET (금속 (() | TO-268AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 30A (TC) | 10V | 160mohm @ 15a, 10V | 4.5V @ 4mA | 190 NC @ 10 v | ± 20V | 4925 pf @ 25 v | - | 360W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR32N50 | - | | 5374 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | IXFR32 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W2840QA220 | - | | 9720 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | 클램프 클램프 | DO-200AB, B-PUK | W2840 | 기준 | W117 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 238-W2840QA220 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 12 | 짐 | 2200 v | - | 2840a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXFR90N20 | - | | 9038 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFR90 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS247 ™ | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | 90A (TC) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXTN120N25 | - | | 4916 | 0.00000000 | ixys | 메가모스 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXTN120 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 250 v | 120A (TC) | 20mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 250µA | 360 NC @ 10 v | 7700 pf @ 25 v | - | 730W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXFH16N50P | 6.1500 | | 8154 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH16 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 611778 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 16A (TC) | 10V | 400mohm @ 8a, 10V | 5.5V @ 2.5MA | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 2250 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT1874 TR | - | | 9385 | 0.00000000 | ixys | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | IXFT1874 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUBW15-12A6 | - | | 2077 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | E1 | 무드 | 70 W. | 3 정류기 정류기 브리지 | E1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 브레이크가있는 3 인버터 단계 | NPT | 1200 v | 18 a | 2.9V @ 15V, 10A | 500 µA | 예 | 850 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA230N04T4 | 3.5176 | | 4167 | 0.00000000 | ixys | 도랑 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA230 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 230A (TC) | 10V | 2.9mohm @ 115a, 10V | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 15V | 7400 pf @ 25 v | - | 340W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VDI100-06P1 | - | | 3171 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Eco-PAC2 | VDI | 294 w | 기준 | Eco-PAC2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 하나의 | NPT | 600 v | 93 a | 2.8V @ 15V, 100A | 1.4 MA | 예 | 4.2 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN170N30P | 48.2300 | | 1237 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN170 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 300 v | 138A (TC) | 10V | 18mohm @ 85a, 10V | 4.5V @ 1mA | 258 NC @ 10 v | ± 20V | 20000 pf @ 25 v | - | 890W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ74N15T | - | | 5488 | 0.00000000 | ixys | 도랑 | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ74 | MOSFET (금속 (() | to-3p | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 150 v | 74A (TC) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FBS10-06SC | - | | 7666 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | isoplusi5-pak ™ | FBS10 | 실리콘 실리콘 쇼트 카바이드 | Isoplus i4-Pac ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 200 µa @ 600 v | 6.6 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| mubw50-12a8 | 152.1800 | | 1653 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | E3 | mubw50 | 350 w | 3 정류기 정류기 브리지 | E3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -MUBW50-12A8 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5 | 브레이크가있는 3 인버터 단계 | NPT | 1200 v | 85 a | 2.6V @ 15V, 50A | 3.7 MA | 예 | 3.3 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ixfa7n80p | 4.0000 | | 4694 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXFA7N80 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA (IXFA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 7A (TC) | 10V | 1.44ohm @ 3.5a, 10V | 5V @ 1MA | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 1890 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DPG10I600APA | 1.6092 | | 5086 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | - | - | DPG10 | - | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-DPG10I600APA | 50 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT60N20L2 | 21.5000 | | 35 | 0.00000000 | ixys | l2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXTT60 | MOSFET (금속 (() | TO-268AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -IXTT60N20L2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | 60A (TC) | 10V | 45mohm @ 30a, 10V | 4.5V @ 250µA | 255 NC @ 10 v | ± 20V | 10500 pf @ 25 v | - | 540W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IXDR30N120 | - | | 6790 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXDR30 | 기준 | 200 w | ISOPLUS247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 30A, 47ohm, 15V | NPT | 1200 v | 50 a | 60 a | 2.9V @ 15V, 30A | 4.6mj (on), 3.4mj (OFF) | 120 NC | - |
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