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불연속 불연속 제품 (6315)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머
IXFX120N30T IXYS IXFX120N30T 13.2463
RFQ
 ECAD 9460 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 트렌치 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX120 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixfx120n30t 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 120A (TC) 10V 24mohm @ 60a, 10V 5V @ 4MA 265 NC @ 10 v ± 20V 20000 pf @ 25 v - 960W (TC)
IXFK73N30Q IXYS IXFK73N30Q -
RFQ
 ECAD 4349 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK73 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 300 v 73A (TC) 10V 45mohm @ 500ma, 10V 4V @ 4MA 195 NC @ 10 v ± 30V 5400 pf @ 25 v - 500W (TC)
QJ8030NH4TP IXYS QJ8030NH4TP 6.5400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys QJXX30XH4 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB QJ8030 TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-QJ8030NH4TP 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 60 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 30 a 1 v 290A, 350A 35 MA
IXGT32N170-TRL IXYS IXGT32N170-TRL 24.4600
RFQ
 ECAD 775 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT32 기준 350 w TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 1020v, 32a, 2.7ohm, 15v NPT 1700 v 75 a 200a 3.3V @ 15V, 32A 11mj (OFF) 155 NC 45ns/270ns
MMO74-12IO6 IXYS MMO74-12IO6 34.8500
RFQ
 ECAD 4567 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MMO74 1 모든 모든 - 상 scr 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 100 MA 1.2kV 53 a 1.5 v 600A, 640A 100 MA 34 a 2 scrs
IXTA08N100P IXYS IXTA08N100P 2.3918
RFQ
 ECAD 1212 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA08 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 800ma (TC) 10V 20ohm @ 500ma, 10V 4V @ 50µA 11.3 NC @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 42W (TC)
IXTA270N04T4 IXYS IXTA270N04T4 4.0802
RFQ
 ECAD 8868 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA270 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 270A (TC) 10V 2.2mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 182 NC @ 10 v ± 15V 9140 pf @ 25 v - 375W (TC)
DSSK50-015A IXYS DSSK50-015A -
RFQ
 ECAD 5166 0.00000000 ixys - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 DSSK50 Schottky TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 25A 810 mV @ 25 a 1.5 ma @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
IXKG25N80C IXYS IXKG25N80C -
RFQ
 ECAD 7499 0.00000000 ixys Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXKG25 MOSFET (금속 (() ISO264 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 800 v 25A (TC) 10V 150mohm @ 9a, 10V 4V @ 2MA 166 NC @ 10 v ± 20V - 250W (TC)
MDD95-08N1B IXYS MDD95-08N1B 37.2400
RFQ
 ECAD 4069 0.00000000 ixys - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-240AA MDD95 기준 TO-240AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 36 짐 1 연결 연결 시리즈 800 v 120a 1.43 V @ 300 a 15 ma @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C
VHFD37-12IO1 IXYS VHFD37-12IO1 40.4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 v1a-pak VHFD37 짐 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -VHFD37-12IO1 귀 99 8541.30.0080 24 100 MA 1.2kV 1 v 320A, 350A 65 MA 36 a 2 scr, 4 개의 다이오드
N1725MC360 IXYS N1725MC360 -
RFQ
 ECAD 4346 0.00000000 ixys - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 클램프 클램프 TO-200AC, K-PUK N1725 W70 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-N1725MC360 귀 99 8541.30.0080 6 1 a 3.6kV 3360 a 3 v 22000a @ 50Hz 300 MA 3 v 1725 a 150 MA 표준 표준
IXGH60N60C3 IXYS IXGH60N60C3 -
RFQ
 ECAD 3212 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH60 기준 380 W. TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 40A, 3ohm, 15V Pt 600 v 75 a 360 a 2.5V @ 15V, 40A 800µJ (on), 450µJ (OFF) 115 NC 21ns/70ns
MCC26-08IO8B IXYS MCC26-08IO8B 23.5522
RFQ
 ECAD 2200 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 TO-240AA MCC26 시리즈 시리즈 - 연결 scr 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 36 200 MA 800 v 50 a 1.5 v 520A, 560A 100 MA 32 a 2 scrs
IXFA90N20X3-TRL IXYS IXFA90N20X3-TRL 6.6640
RFQ
 ECAD 8592 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA90 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 90A (TC) 10V 12.8mohm @ 45a, 10V 4.5V @ 1.5MA 78 NC @ 10 v ± 20V 5420 pf @ 25 v - 390W (TC)
IXER60N120 IXYS IXER60N120 -
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 ixer60 기준 375 w ISOPLUS247 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 60A, 22ohm, 15V NPT 1200 v 95 a 2.7V @ 15V, 60A 7.2mj (on), 4.8mj (OFF) 350 NC -
IXTT4N150HV IXYS IXTT4N150HV 39.8300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT4 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -IXTT4N150HV 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1500 v 4A (TC) 10V 6ohm @ 500ma, 10V 5V @ 250µA 44.5 nc @ 10 v ± 30V 1576 pf @ 25 v - 280W (TC)
IXTA34N65X2-TRL IXYS IXTA34N65X2-TRL 4.6042
RFQ
 ECAD 9607 0.00000000 ixys x2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA34 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA34N65X2-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 34A (TC) 10V 96mohm @ 17a, 10V 5V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 25 v - 540W (TC)
IXFN24N100 IXYS IXFN24N100 44.6220
RFQ
 ECAD 8042 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN24 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 IXFN24N100-NDR 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 1000 v 24A (TC) 10V 390mohm @ 12a, 10V 5.5V @ 8mA 267 NC @ 10 v ± 20V 8700 pf @ 25 v - 568W (TC)
IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1 10.1700
RFQ
 ECAD 6633 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH48 기준 300 w TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 30A, 5ohm, 15V 100 ns Pt 600 v 280 a 1.8V @ 15V, 32A 840µJ (on), 660µJ (OFF) 115 NC 22ns/130ns
IXFR48N60P IXYS ixfr48n60p 20.3500
RFQ
 ECAD 208 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFR48 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 32A (TC) 10V 150mohm @ 24a, 10V 5V @ 8MA 150 nc @ 10 v ± 30V 8860 pf @ 25 v - 300W (TC)
GMM3X160-0055X2-SMDSAM IXYS gmm3x160-0055x2-smdsam -
RFQ
 ECAD 2426 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 24-SMD,, 날개 GMM3X160 MOSFET (금속 (() - 24-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 6 n 채널 (3 채널 교량) 55V 150a - 4V @ 1MA 110NC @ 10V - -
IXGN80N60A2D1 IXYS IXGN80N60A2D1 -
RFQ
 ECAD 6392 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXGN80 625 w 기준 SOT-227B 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 600 v 160 a 1.35V @ 15V, 80A 650 µA 아니요
IXFX180N25T IXYS IXFX180N25T 19.9600
RFQ
 ECAD 650 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 트렌치 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX180 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 250 v 180A (TC) 10V 12.9mohm @ 60a, 10V 5V @ 8MA 345 NC @ 10 v ± 20V 28000 pf @ 25 v - 1390W (TC)
IXTT240N15X4HV IXYS IXTT240N15X4HV 23.2300
RFQ
 ECAD 3949 0.00000000 ixys x4 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT240 MOSFET (금속 (() TO-268HV (IXTT) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 240A (TC) 10V 4.4mohm @ 120a, 10V 4.5V @ 250µA 195 NC @ 10 v ± 20V 8900 pf @ 25 v - 940W (TC)
IXGH20N120B IXYS IXGH20N120B -
RFQ
 ECAD 7440 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH20 기준 190 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 960V, 20A, 10ohm, 15V Pt 1200 v 40 a 80 a 3.4V @ 15V, 20A 2.1mj (OFF) 72 NC 25ns/150ns
IXBT20N300HV IXYS IXBT20N300HV 32.6163
RFQ
 ECAD 4862 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXBT20 기준 250 W. TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 Q7867913 귀 99 8541.29.0095 30 - 1.35 µs - 3000 v 50 a 140 a 3.2V @ 15V, 20A - 105 NC -
IXTP62N15P IXYS ixtp62n15p 4.9700
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP62 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 62A (TC) 10V 40mohm @ 31a, 10V 5.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 2250 pf @ 25 v - 350W (TC)
IXTH22N50P IXYS ixth22n50p 6.7500
RFQ
 ECAD 5210 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH22 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixth22n50p 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 270mohm @ 11a, 10V 5.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 2630 pf @ 25 v - 350W (TC)
IXFH14N100Q2 IXYS IXFH14N100Q2 15.3847
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q2 클래스 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH14 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 608166 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 14A (TC) 10V 950mohm @ 7a, 10V 5.5V @ 4mA 83 NC @ 10 v ± 30V 2800 pf @ 25 v - 500W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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